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InAlO_3(ZnO)_(15)超晶格纳米串的合成及其电学性质
被引量：
5
1
作者
陈婷婷
王广宁
+2 位作者
黄东亮
郎颖
张锷
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期110-114,共5页
通过化学气相沉积方法成功合成了InAlO3(ZnO)15超晶格纳米串。扫描电镜观察到InAlO3(ZnO)15纳米片沿生长方向均匀排列,直径约为80～150 nm,长度约为7～20μm。X射线衍射结果表明样品具有InAlO3(ZnO)15超晶格纳米结构。高分辨透射电子显...
通过化学气相沉积方法成功合成了InAlO3(ZnO)15超晶格纳米串。扫描电镜观察到InAlO3(ZnO)15纳米片沿生长方向均匀排列,直径约为80～150 nm,长度约为7～20μm。X射线衍射结果表明样品具有InAlO3(ZnO)15超晶格纳米结构。高分辨透射电子显微镜显示相邻两个In-O层中间共16层In(Al)O(ZnO)m+block,并研究了其生长机制。在0.6～3 V电压范围内,I-V特性曲线出现非线性性质。
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关键词
inalo
3
(
zno
)
15
化学气相沉积法
电学性质
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职称材料
题名
InAlO_3(ZnO)_(15)超晶格纳米串的合成及其电学性质
被引量：
5
1
作者
陈婷婷
王广宁
黄东亮
郎颖
张锷
机构
哈尔滨师范大学物理与电子工程学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期110-114,共5页
文摘
通过化学气相沉积方法成功合成了InAlO3(ZnO)15超晶格纳米串。扫描电镜观察到InAlO3(ZnO)15纳米片沿生长方向均匀排列,直径约为80～150 nm,长度约为7～20μm。X射线衍射结果表明样品具有InAlO3(ZnO)15超晶格纳米结构。高分辨透射电子显微镜显示相邻两个In-O层中间共16层In(Al)O(ZnO)m+block,并研究了其生长机制。在0.6～3 V电压范围内,I-V特性曲线出现非线性性质。
关键词
inalo
3
(
zno
)
15
化学气相沉积法
电学性质
Keywords
inalo3（zno）15
CVD
transport properties
分类号
O613.52 [理学—无机化学]
O614.24 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InAlO_3(ZnO)_(15)超晶格纳米串的合成及其电学性质
陈婷婷
王广宁
黄东亮
郎颖
张锷
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
5
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职称材料
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