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题名In2Se3薄膜生长及结晶择优取向的影响因素研究
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作者
王兴磊
敖建平
何青
李凤岩
杨宇
王茺
孙云
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机构
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室
云南大学材料科学与工程系
云南大学工程技术研究院
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出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期420-425,共6页
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基金
国家高技术研究发展计划(863)项目(No.2004AA513020)
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文摘
(In,Ga)_2Se_3薄膜的生长结晶性的好坏直接影响着在其基础上化合生长的Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)薄膜以及CIGS太阳电池器件的性能。实验就多源共蒸发制备In_2Se_3预制层工艺中3个主要条件,即衬底材质、Se源温度、衬底温度进行研究。分析讨论上述3种因素对In_2Se_3薄膜的结晶生长和择优取向生长的影响。发现:在Mo/苏打石灰玻璃(Mo/SLG)衬底上生长,Se源温度在270℃以上或衬底温度为380～400℃的较高温度时,制备的In_2Se_3预制层是单一晶相的In_2 Se_3,其X射线衍射峰是以(110)和(300)峰为择优取向。反之,生长在苏打石灰玻璃(SLG)衬底上,Se源温度为230℃以下或衬底温度为较低温度300℃时,In_2Se_3预制层结晶质量较差,其X射线衍射峰则多以In_2Se_3(006)衍射峰为择优取向。
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关键词
in2se3薄膜
CU(IN
GA)se2
择优取向
太阳电池
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Keywords
in2 se3 thin films
Cu（ In, Ga） se2
preferred orientation
solar cell
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分类号
TM615
[电气工程—电力系统及自动化]
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