纳米In2S3制备研究进展

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作者 叶明富 王苗苗 +3 位作者 牛文杰 陈丙才 陈国昌 孔祥荣 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第9期45-49,共5页

硫化铟(In2S3)是一种重要的半导体材料,具有良好的导电性能、光学性能、声学性能及电子性能等,在纳米材料、微电子和太阳能领域有广阔的发展前景。In2S3纳米材料的制备方法主要有水热合成法、溶剂热合成法、喷雾热解法和超声法等,未来... 硫化铟(In2S3)是一种重要的半导体材料,具有良好的导电性能、光学性能、声学性能及电子性能等,在纳米材料、微电子和太阳能领域有广阔的发展前景。In2S3纳米材料的制备方法主要有水热合成法、溶剂热合成法、喷雾热解法和超声法等,未来应注重开发低成本、高性能、环保绿色的合成方法。 展开更多

关键词 in2s3 纳米材料 溶剂热合成法 喷雾热解法

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一步水热合成In2S3/CdIn2S4异质结微球及其光催化性能 被引量：7

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作者 张开莲 杨凯 +6 位作者 李笑笑 梁若雯 管婕 李文强 黄健 余长林 戴文新 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期3602-3613,共12页

利用一步水热法成功制备了In2S3/CdIn2S4异质结微球催化剂,通过降解甲基橙(MO)、酸性橙Ⅱ(AOⅡ)和罗丹明B(RhB)来评价所制备催化剂的活性。实验结果表明,In2S3/CdIn2S4异质结微球对MO、AOⅡ和RhB的光催化降解率分别达到了87%、75%和96%... 利用一步水热法成功制备了In2S3/CdIn2S4异质结微球催化剂,通过降解甲基橙(MO)、酸性橙Ⅱ(AOⅡ)和罗丹明B(RhB)来评价所制备催化剂的活性。实验结果表明,In2S3/CdIn2S4异质结微球对MO、AOⅡ和RhB的光催化降解率分别达到了87%、75%和96%,明显高于催化剂In2S3和CdIn2S4。瞬态光电流和阻抗测试结果表明,In2S3/CdIn2S4异质结微球受光激发产生的电子空穴对能快速得到分离。捕获主要活性物种实验表明,该反应体系中主要是超氧自由基和空穴起关键性作用。In2S3/CdIn2S4异质结微球催化剂重复使用四次,其催化能力依然保持较高水平。In2S3/CdIn2S4异质结微球活性的增强归因于异质结的形成有助于电子的转移,从而降低了电子空穴对的复合概率。并且合适的能带结构有助于产生大量的光生电子,电子与活性氧的结合最终引起氧化能力的增强。 展开更多

关键词 in2s3/CdIn2S4 一步水热法 异质结 降解 自由基

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不同形貌和结构In2S3微球的微波辅助法制备

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作者 朱燕杰 胡翠翠 +2 位作者 鲁路 张欢欢 邢彦军 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期941-945,1016,共6页

以硝酸铟作为铟源,用硫代乙酰胺或者2-甲基硫代丙酰胺为硫源,在低温开放系统中采用微波辅助加热制备得到硫化铟(In2S3)微球。分别采用包括表面光电压谱(SPV)及紫外-可见漫反射(DRS)在内的诸多方法对产物进行表征,并探究了不同硫源及pH值... 以硝酸铟作为铟源,用硫代乙酰胺或者2-甲基硫代丙酰胺为硫源,在低温开放系统中采用微波辅助加热制备得到硫化铟(In2S3)微球。分别采用包括表面光电压谱(SPV)及紫外-可见漫反射(DRS)在内的诸多方法对产物进行表征,并探究了不同硫源及pH值对In2S3的结构、尺寸及光学性质的影响。以硫代乙酰胺作为硫源时,微波温度90℃下,制备得到实心In2S3微球;以2-甲基硫代丙酰胺为硫源时,微波温度85℃下,制备得到空心In2S3微球。空心In2S3微球的表面光电压高于实心,说明空心In2S3微球的光激发电荷分离效率优于实心。 展开更多

关键词 常压微波辅助法 in2s3 实心微球 空心微球

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In_2S_3-Ag/TiO_2三元纳米体系光催化降解2,4-D的实验研究 被引量：4

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作者 余健 赵令晖 +2 位作者 唐浩 刘承斌 李玥 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期107-114,共8页

采用两步沉积法首次合成出新三元纳米材料-In2S3-Ag/TiO2纳米管阵列,并用电子扫描显微镜(SEM)、光致发光光谱仪(PL)等仪器对该三元催化剂进行形貌、元素、晶体结构的表征与光电性能的测试,并将该三元催化体系应用于2,4-二氯苯氧乙酸(2,4... 采用两步沉积法首次合成出新三元纳米材料-In2S3-Ag/TiO2纳米管阵列,并用电子扫描显微镜(SEM)、光致发光光谱仪(PL)等仪器对该三元催化剂进行形貌、元素、晶体结构的表征与光电性能的测试,并将该三元催化体系应用于2,4-二氯苯氧乙酸(2,4-D)的光降解实验.结果表明,In2S3-Ag/TiO2三元纳米材料所特有的两步光激发体系使它的催化降解能力显著提高,在溶液pH为4.23时,140min内可实现对2,4-D 100%的去除;强酸和强碱的环境都不利于三元催化剂In2S3-Ag/TiO2对2,4-D的催化降解.最后对三元催化剂的光催化降解机理进行了探讨. 展开更多

关键词 光催化 in2s3-Ag/TiO2 两步沉积法 两步光激发

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In_2S_3量子点玻璃的制备及其三阶非线性光学性质 被引量：1

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作者 赵海军 向卫东 +7 位作者 钟家松 杨昕宇 郭玉清 梁晓娟 黄海宇 罗洪艳 赵秀丽 陈兆平 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第10期2148-2154,共7页

本文利用溶胶-凝胶法结合气氛控制合成了含In2S3量子点玻璃。利用X射线粉末衍射仪(XRD),X射线光电子能谱(XPS),透射电子显微镜(TEM),X射线能量色散谱(EDX),高分辨透射电子显微镜(HRTEM)以及选区电子衍射(SAED)对In2S3量子点在玻璃中的... 本文利用溶胶-凝胶法结合气氛控制合成了含In2S3量子点玻璃。利用X射线粉末衍射仪(XRD),X射线光电子能谱(XPS),透射电子显微镜(TEM),X射线能量色散谱(EDX),高分辨透射电子显微镜(HRTEM)以及选区电子衍射(SAED)对In2S3量子点在玻璃中的微结构进行了表征,同时,利用飞秒Z-scan技术详细地研究了该玻璃在800 nm处的三阶非线性光学性质。结果表明,尺寸分布在12～20 nm之间的In2S3四方晶系纳米晶已经在玻璃中形成,并且,该玻璃展示出了优异的三阶非线性光学性能,其三阶非线性光学折射率γ、吸收系数β和和极化率χ(3)分别为-2.04×10-18m2·W-1,8.26×10-12m·W-1,和1.61×10-20m2·V-2。 展开更多

关键词 in2s3 量子点玻璃 溶胶-凝胶 微结构 飞秒Z扫描技术

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Ag掺杂In_2S_3薄膜的拉曼光谱研究 被引量：1

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作者 林斯乐 马靖 程树英 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第18期2724-2726,共3页

利用拉曼光谱结合XRD与SEM测试对未掺杂与Ag掺杂的In2S3薄膜进行了分析研究。XRD测试结果确定了In2S3的物相,并表明掺杂后晶粒尺寸发生一定的变化;拉曼光谱研究表明,掺杂后232、272及300cm-1 3条拉曼谱线发生红移,这是由于掺杂后晶格膨... 利用拉曼光谱结合XRD与SEM测试对未掺杂与Ag掺杂的In2S3薄膜进行了分析研究。XRD测试结果确定了In2S3的物相,并表明掺杂后晶粒尺寸发生一定的变化;拉曼光谱研究表明,掺杂后232、272及300cm-1 3条拉曼谱线发生红移,这是由于掺杂后晶格膨胀引起的。结合部分拉曼谱线半高宽的展宽证实了掺杂后薄膜中存在间隙Ag原子;SEM的测试结果进一步证实Ag掺杂后In2S3晶格存在膨胀,并说明了In2S3薄膜的生长方式。 展开更多

关键词 in2s3薄膜 掺杂 拉曼光谱

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溶剂热法合成In_2S_3/CuSe核壳结构粉体

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作者 高洁 龙飞 +2 位作者 池上森 吴一 邹正光 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1656-1660,共5页

本文以氯化铜、氯化铟、硫脲、亚硒酸以及硒粉为原料,乙二醇及乙二胺为溶剂,采用常压溶剂热法制备了硫化铟为核硒化铜为壳（In2S3/CuSe）的核壳结构复合粉体。主要探讨了反应温度、不同反应原料以及不同表面活性剂对产物物相以及形貌的... 本文以氯化铜、氯化铟、硫脲、亚硒酸以及硒粉为原料,乙二醇及乙二胺为溶剂,采用常压溶剂热法制备了硫化铟为核硒化铜为壳（In2S3/CuSe）的核壳结构复合粉体。主要探讨了反应温度、不同反应原料以及不同表面活性剂对产物物相以及形貌的影响。通过采用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）对产物的物相、形貌以及组成进行了表征。实验结果表明：常压溶剂热条件下可以制备得In2S3/CuSe复合粉体,其最佳反应工艺参数是：于160℃下合成In2S3粉体为核,于100℃下合成包裹在In2S3表面的CuSe粉体从而获得In2S3/CuSe核壳结构复合粉。在该工艺参数下合成产物的形貌主要由圆球状颗粒组成,粉体的粒径分布在1~2μm。此外,本文也通过添加不同种类表面活性剂对产物的形貌进行了控制。 展开更多

关键词 溶剂热法 in2s3/CuSe 核壳粉体 表面活性剂

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FeS_2与In_2S_3复合薄膜组织结构在硫化过程中的变化

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作者 刘艳辉 侯玲 孟亮 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期428-432,共5页

采用电沉积、氧化及热硫化方法制备了In2S3伴生的FeS2复合薄膜。通过改变400℃下的硫化时间,研究了硫化过程中复合薄膜晶体结构及组织形貌的变化。FeS2和In2S3分别由先驱膜中的Fe3O4和衬底膜中的In2O3硫化演变而来,先驱膜的多孔形态可提... 采用电沉积、氧化及热硫化方法制备了In2S3伴生的FeS2复合薄膜。通过改变400℃下的硫化时间,研究了硫化过程中复合薄膜晶体结构及组织形貌的变化。FeS2和In2S3分别由先驱膜中的Fe3O4和衬底膜中的In2O3硫化演变而来,先驱膜的多孔形态可提供In2S3与FeS2共生的几何条件。硫化过程中In2S3比FeS2有更高的结晶速率。随着硫化时间的延长,FeS2及In2S3数量增加,晶粒尺寸增大,FeS2的晶格常数减小。 展开更多

关键词 FeS2 in2s3 薄膜 组织结构

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磁控溅射与硫化热处理制备β-In_2S_3薄膜及光电性能

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作者 关荣锋 尤亚军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第17期17115-17118,17122,共5页

采用磁控溅射预制In薄膜和硫化热处理工艺制备了性能优良的β-In2S3 薄膜.应用XRD、拉曼光谱仪及UV-Vis测试仪对薄膜的品质进行了分析,并测试了薄膜的光学与电学性能.结果表明,溅射功率和硫化热处理温度是影响薄膜品质的主要因素,比较... 采用磁控溅射预制In薄膜和硫化热处理工艺制备了性能优良的β-In2S3 薄膜.应用XRD、拉曼光谱仪及UV-Vis测试仪对薄膜的品质进行了分析,并测试了薄膜的光学与电学性能.结果表明,溅射功率和硫化热处理温度是影响薄膜品质的主要因素,比较合适的溅射功率为100-140W,硫化热处理温度为450℃,过高的热处理温度容易在薄膜中形成缺陷,在薄膜生长过程中容易产生In5S4 杂相,相比之下,溅射气体压强对薄膜品质的影响较小,溅射气体压强可选择在0.4-0.6Pa.光学与电学性能测试结果指出,得到的β-In2S3 薄膜具有良好的光谱透过率,属n型半导体,可用于太阳能电池缓冲层. 展开更多

关键词 薄膜太阳电池 β-in2s3 磁控溅射 硫化 热处理

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化学水浴法制备In_2S_3薄膜的组织和性能研究 被引量：3

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作者 王卫兵 刘平 +4 位作者 李伟 马凤仓 刘新宽 陈小红 何代华 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期402-407,共6页

采用化学水浴(CBD)法在InCl3.4H2O和CH3CSNH2的酸性混合溶液体系中分别通过改变pH值、溶液nIn:nS浓度比及溶液温度参数依次制备In2S3薄膜,并通过X射线衍射、扫描电镜及紫外/可见/近红外分光光度计等手段系统研究不同工艺下制备In2S3薄... 采用化学水浴(CBD)法在InCl3.4H2O和CH3CSNH2的酸性混合溶液体系中分别通过改变pH值、溶液nIn:nS浓度比及溶液温度参数依次制备In2S3薄膜,并通过X射线衍射、扫描电镜及紫外/可见/近红外分光光度计等手段系统研究不同工艺下制备In2S3薄膜的晶相结构、表面形貌及光学性能。研究发现:溶液pH值对制备In2S3薄膜有很大的影响,在pH为1.8制备的In2S3薄膜性能较好;溶液nIn:nS浓度比影响薄膜的致密性,在1:4时相对较好;CBD法制备薄膜最佳溶液温度为80℃。在优化工艺参数下制备的In2S3薄膜可见光透过率在90%以上,禁带宽度为2.72eV,能够满足CIGS太阳能电池缓冲层薄膜的要求。 展开更多

关键词 化学水浴法 in2s3薄膜 PH值 浓度比 溶液温度

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衬底温度对In_2S_3薄膜结构及其性能的影响 被引量：2

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作者 张啸 王华 +2 位作者 许积文 杨玲 任明放 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期415-418,434,共5页

采用超声喷雾热解法,在玻璃基底上一步合成了In2S3薄膜。研究了衬底温度对In2S3薄膜的结构、表面形貌、电学和光学性能影响。结果表明:所制备的In2S3薄膜均具有沿(220)面择优取向生长特性且无其他杂相,衬底温度对薄膜的均匀性、致密度... 采用超声喷雾热解法,在玻璃基底上一步合成了In2S3薄膜。研究了衬底温度对In2S3薄膜的结构、表面形貌、电学和光学性能影响。结果表明:所制备的In2S3薄膜均具有沿(220)面择优取向生长特性且无其他杂相,衬底温度对薄膜的均匀性、致密度、结晶程度均有明显影响,并因此影响薄膜的光电性能。薄膜的导电性随着衬底温度的升高迅速增强,但是在衬底温度为350℃时有所降低。衬底温度为300℃所制备的薄膜在可见光区透光率最高达到90%以上,禁带宽度达到2.43 eV。 展开更多

关键词 超声喷雾热解 in2s3薄膜 衬底温度 禁带宽度

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一种印刷型薄膜太阳能电池p-n结调制技术 被引量：2

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作者 朱子诚 王伟 +1 位作者 蒋辰 周芳芳 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期13-18,共6页

能带值为0.5～0.85eV材料的稀缺是多结太阳能电池面临的一个主要挑战,本文使用非真空的机械化学法合成了能带值为0.83eV的Cu2SnS3化合物,使用印刷技术将其制备成吸收层薄膜,并采用superstrate太阳能电池结构(Mo/Cu2SnS3/In2S3/TiO2/FTO ... 能带值为0.5～0.85eV材料的稀缺是多结太阳能电池面临的一个主要挑战,本文使用非真空的机械化学法合成了能带值为0.83eV的Cu2SnS3化合物,使用印刷技术将其制备成吸收层薄膜,并采用superstrate太阳能电池结构(Mo/Cu2SnS3/In2S3/TiO2/FTO glass)对其光伏特性进行了研究.实验表明所制备的太阳能电池短路电流密度、开路电压、填充因子和转换效率分别为12.38mA/cm2、320mV、0.28和1.10%.此外,为更好地满足多结太阳能电池对电流匹配的需求,本文对所制备太阳能电池的Cu2SnS3/In2S3p-n结进行了分析.通过在p-n结界面植入一层薄的疏松缓冲层,使调制后的太阳能电池短路电流密度从最初的12.38mA/cm2增加到了23.15mA/cm2,相应太阳能电池转换效率从1.1%增加到了1.92%.该p-n调制技术对印刷型薄膜太阳能电池具有重要借鉴意义. 展开更多

关键词 Cu2SnS3薄膜太阳能电池 非真空印刷法 in2s3 Cu2SnS3 p-n结调制技术

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三维In_2S_3/TiO_2纳米复合材料的制备及光电性能 被引量：3

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作者 李玥 邵浦华 +2 位作者 尹萍萍 张恒飞 陈娇 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2018年第8期1-5,共5页

采用阳极氧化法在钛网基底上制备出TiO_2纳米管阵列,利用连续离子层吸附法(SILAR)将半导体In_2S_3沉积到TiO_2纳米管表面,制备In_2S_3/TiO_2纳米复合材料。利用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射仪(XRD)及紫外-可见漫反射光谱(DRS)对材... 采用阳极氧化法在钛网基底上制备出TiO_2纳米管阵列,利用连续离子层吸附法(SILAR)将半导体In_2S_3沉积到TiO_2纳米管表面,制备In_2S_3/TiO_2纳米复合材料。利用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射仪(XRD)及紫外-可见漫反射光谱(DRS)对材料的形貌和结构进行表征,并通过荧光光谱仪以及光电信号对不同沉积圈数的In_2S_3/TiO_2纳米复合材料的光电性能进行测试。结果表明,制备的In_2S_3纳米颗粒均匀沉积在TiO_2纳米管上,并且不会堵塞纳米管的管孔。沉积不同圈数的In_2S_3/TiO_2纳米复合材料表现出不同的光电化学性质。 展开更多

关键词 TIO2纳米管 in2s3 SILAR法 钛网 光电性能

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硫化铟纳米粒子的合成及其对碱性木素的可见光催化降解作用

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作者 陈骏 刘温霞 《中国造纸》 CAS 北大核心 2017年第6期13-16,共4页

以硝酸铟和硫化钠为反应原料,在180℃下水热处理24 h,制备了硫化铟(In_2S_3)纳米光催化剂,并对其进行了X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)表征。在可见光条件下,对碱性木素进行了光催化降解实验。结果表明,所... 以硝酸铟和硫化钠为反应原料,在180℃下水热处理24 h,制备了硫化铟(In_2S_3)纳米光催化剂,并对其进行了X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)表征。在可见光条件下,对碱性木素进行了光催化降解实验。结果表明,所制备的光催化剂为立方相的β-In_2S_3片状纳米粒子,在可见光照射下可以产生空穴、超氧阴离子自由基及少量的羟基自由基,从而对碱性木素产生良好的可见光催化降解和脱色效果。 展开更多

关键词 in2s3纳米粒子 光催化剂 可见光催化降解 碱性木素

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以氨基酸为晶体生长控制剂合成多级纳米结构的硫化铟空心微球(英文) 被引量：3

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作者 邵绍峰 张贵军 +2 位作者 周慧静 关乃佳 陈铁红 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第3期411-416,共6页

以水热方法制备具有多级纳米结构的In2S3空心微球.通过对不同反应时间产物的跟踪表征,证明微球中空结构的形成归因于Ostwald ripening机理.空心微球的壳层由In2S3的纳米粒子或纳米片组成,In2S3空心球的紫外可见光谱蓝移以及荧光光谱在约... 以水热方法制备具有多级纳米结构的In2S3空心微球.通过对不同反应时间产物的跟踪表征,证明微球中空结构的形成归因于Ostwald ripening机理.空心微球的壳层由In2S3的纳米粒子或纳米片组成,In2S3空心球的紫外可见光谱蓝移以及荧光光谱在约385 nm的强发射和364 nm的弱发射,均显示了纳米尺度In2S3晶体的量子局限效应.以不同的氨基酸作为晶体生长修饰剂,可以选择性地制备不同表面形貌的In2S3空心微球,显示了氨基酸的不同功能团在In2S3晶体生长过程中对表面形貌的控制作用. 展开更多

关键词 硫化铟 空心球 多级结构 氨基酸 Ostwald RIPENING

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三维In_2S_3/Ag/TiO_2纳米网对9-蒽羧酸的光催化性能研究

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作者 李玥 孟静静 +2 位作者 邵浦华 杨智雄 高风仙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期1043-1048,共6页

采用光催化还原法以及连续离子层吸附法(SILAR)分别将Ag和In_2S_3纳米粒子修饰在TiO_2纳米网上,成功制备了In_2S_3/Ag/TiO_2复合纳米材料。通过光催化降解9-蒽羧酸(9-ACA)来评价催化剂的光催化性能以及优化In_2S_3的沉积圈数。实验发现,... 采用光催化还原法以及连续离子层吸附法(SILAR)分别将Ag和In_2S_3纳米粒子修饰在TiO_2纳米网上,成功制备了In_2S_3/Ag/TiO_2复合纳米材料。通过光催化降解9-蒽羧酸(9-ACA)来评价催化剂的光催化性能以及优化In_2S_3的沉积圈数。实验发现,In_2S_3/Ag/TiO_2复合纳米材料的光吸收范围从紫外光区扩展至可见光区,并表现出增强的光催化降解9-ACA的效率。其中,沉积了7圈In_2S_3的In_2S_3/Ag/TiO_2纳米网表现出最高的光催化降解效率,在60 min内,对9-ACA的降解效率达到了98.66%。此外,本文还对In_2S_3/Ag/TiO_2复合纳米材料光催化降解9-ACA的机理进行了讨论。 展开更多

关键词 二氧化钛纳米网 三硫化二铟 银 光催化 9-蒽羧酸

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