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一种基于In-Zn-O薄膜晶体管的交直流混合双边驱动的OLED行集成驱动电路
1
作者 张立荣 肖文平 +3 位作者 周雷 吴为敬 徐苗 王磊 《集成电路应用》 2018年第4期12-16,共5页
提出一种基于In-Zn-O薄膜晶体管(IZO TFTs)的行集成驱动电路,该电路采用了交流直流混合的驱动方式,即电路的级联输出级COUT(N)连接了时钟信号,而输出级OUT(N)连接了直流电源VDD。电路在级联输出级与输出级之间添加了一个反相器作为输出... 提出一种基于In-Zn-O薄膜晶体管(IZO TFTs)的行集成驱动电路,该电路采用了交流直流混合的驱动方式,即电路的级联输出级COUT(N)连接了时钟信号,而输出级OUT(N)连接了直流电源VDD。电路在级联输出级与输出级之间添加了一个反相器作为输出级的控制端,控制下拉TFT管的开关状态,实现双边驱动的功能。我们成功地制作了54级该行集成驱动电路。实验结果表明,该电路在负载5 k?和100 pF条件下可以很好地进行工作,功耗为18μW。满足300 ppi OLED显示屏双边驱动需求。 展开更多
关键词 行集成驱动电路 in-zn-o薄膜晶体管(IZOTFTs) 交流直流混合的驱动(AC-DC) 双边驱动
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一种输入级模块复用的In-Zn-O薄膜晶体管行集成驱动电路 被引量：2
2
作者 张立荣 李冠明 +5 位作者 黄长煜 周雷 罗东向 徐苗 吴为敬 彭俊彪 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期832-837,共6页
提出了一种新型的基于In-Zn-O薄膜晶体管(IZO TFT)的行集成驱动电路。该电路采用了输入级模块复用的驱动方法,即一级输入级驱动多级输出级,因此可以显著地减少输入级模块TFT的数量,缩减电路的面积,满足高分辨率显示屏设计,同时也可以迎... 提出了一种新型的基于In-Zn-O薄膜晶体管(IZO TFT)的行集成驱动电路。该电路采用了输入级模块复用的驱动方法,即一级输入级驱动多级输出级,因此可以显著地减少输入级模块TFT的数量,缩减电路的面积,满足高分辨率显示屏设计,同时也可以迎合显示屏窄边框的审美需求。电路的输入级模块工作时间是输出级模块的n倍(n是一级输入级模块驱动输出级模块的级数),因此输入级尺寸可以做得更小。另外,该电路的驱动时钟频率是传统结构中一级输入级模块驱动一级输出级模块时钟频率的1/n,有效地降低了电路的动态耦合功耗。我们制作了20级的行集成驱动电路,一级输入级模块驱动两级输出级模块,该电路的尺寸为宽730μm,高为164μm,满足窄边框的要求。从实验测结果表明,该电路很好地满足300PPI的AMLCD或AMOLED显示屏的需求。 展开更多
关键词 in-zn-o薄膜晶体管 行集成驱动电路 输入级模块复用 输出级模块
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基于P3HT的有机薄膜晶体管环境稳定性提升
3
作者 李强 丁莉峰 +4 位作者 李磊磊 李禹文 李鑫旺 马佳楠 桑胜波 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期23-31,共9页
电子设备领域对高稳定性有机薄膜晶体管(OTFT)的需求日益增长。为了解决有机材料在环境因素作用下影响晶体管稳定性的问题,制备了一种新型OTFT,并同时采用两种方法来提高其环境稳定性:对晶体管进行表面钝化处理,利用钝化层的高化学稳定... 电子设备领域对高稳定性有机薄膜晶体管(OTFT)的需求日益增长。为了解决有机材料在环境因素作用下影响晶体管稳定性的问题,制备了一种新型OTFT,并同时采用两种方法来提高其环境稳定性:对晶体管进行表面钝化处理,利用钝化层的高化学稳定性隔绝空气中的氧分子和水分子;利用聚(3-己基噻)(P3HT)共混聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)有源层获得高抗氧化性和抗水解能力。测试结果表明,经过60d后器件载流子迁移率仅降低到原始值的87.91%,电流开关比降低到原来的81.90%,说明本文提出的环境稳定性提升方法优于其他方法。 展开更多
关键词 聚(3-己基噻吩)(P3HT) 有机薄膜晶体管(OTFT) 稳定性提升 表面钝化 有源层共混
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氧化锌锡薄膜晶体管的制备与性能研究 被引量：1
4
作者 初学峰 胡小军 +2 位作者 张祺 黄林茂 谢意含 《液晶与显示》 CSCD 北大核心 2024年第1期40-47,共8页
为了提高薄膜晶体管的性能,本文基于射频磁控溅射技术,采用氧化锌锡(ZTO)材料作为沟道层,在SiO2/p-Si衬底上制备高性能ZTO薄膜晶体管。采用AFM、XRD、UV-Vis研究了溅射功率对ZTO薄膜的表面形貌和光学性能的影响。使用半导体参数仪对ZTO... 为了提高薄膜晶体管的性能,本文基于射频磁控溅射技术,采用氧化锌锡(ZTO)材料作为沟道层,在SiO2/p-Si衬底上制备高性能ZTO薄膜晶体管。采用AFM、XRD、UV-Vis研究了溅射功率对ZTO薄膜的表面形貌和光学性能的影响。使用半导体参数仪对ZTO薄膜晶体管进行电学性能的测试,利用XPS分析研究溅射功率对ZTO薄膜中元素组成和价态的影响,探索高性能薄膜晶体管的原理机制。实验结果表明,所有ZTO薄膜样品是非晶结构,表面致密,透光率均大于90%。适当增加溅射功率能够改善ZTO薄膜晶体管的电学性能。在90 W溅射功率下制备的薄膜晶体管综合性能较好,其饱和迁移率达到了15.61 cm^(2)/(V·s),亚阈值摆幅为0.30 V/decade,阈值电压为-5.06 V,电流开关比为8.92×10^(9)。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 溅射功率 XPS分析 ZTO薄膜
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IGZO薄膜晶体管生物传感器无标记检测强直性脊柱炎
5
作者 吕腾博 刘嘉乐 +3 位作者 刘丽 李昕 韩传余 王小力 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期157-163,共7页
为了快速检测强直性脊柱炎血清学分子标志物人体白细胞抗原(HLA-B27),开发了一种基于人体白细胞抗原B27(HLA-B27)功能化的氧化铟镓锌(IGZO)薄膜晶体管生物传感器。利用射频磁控溅射技术和微纳加工工艺制备了IGZO薄膜晶体管(IGZO TFT),采... 为了快速检测强直性脊柱炎血清学分子标志物人体白细胞抗原(HLA-B27),开发了一种基于人体白细胞抗原B27(HLA-B27)功能化的氧化铟镓锌(IGZO)薄膜晶体管生物传感器。利用射频磁控溅射技术和微纳加工工艺制备了IGZO薄膜晶体管(IGZO TFT),采用3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)和抗体对IGZO TFT进行修饰,制备出针对HLA-B27检测的生物传感器。实验结果表明,功能化的IGZO TFT生物传感器具有稳定的电学特性和传感性能。传感器对HLA-B27的检测极限为1 pg/mL,在1 pg/mL至100 ng/mL的范围内均有良好的线性响应。这说明所设计的高性能生物传感器能够有效检测出强直性脊柱炎的标志物。此外,IGZO TFT可以扩展为传感器阵列平台,实现对某种疾病多种标志物的联合检测,在便携式床旁诊断设备的应用中具有巨大潜力。 展开更多
关键词 IGZO 薄膜晶体管 生物传感器 强直性脊柱炎 人体白细胞抗原B27
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高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 被引量：2
6
作者 李强 葛春桥 +4 位作者 陈露 钟威平 梁齐莹 柳春锡 丁金铎 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期447-465,共19页
基于金属氧化物半导体(MOS)的薄膜晶体管(TFT)由于较高的场效应迁移率(μFE)、极低的关断漏电流和大面积电性均匀等特点,已成为助推平板显示或柔性显示产业发展的一项关键技术。经过30余年的研究,非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)率先替代非晶... 基于金属氧化物半导体(MOS)的薄膜晶体管(TFT)由于较高的场效应迁移率(μFE)、极低的关断漏电流和大面积电性均匀等特点,已成为助推平板显示或柔性显示产业发展的一项关键技术。经过30余年的研究,非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)率先替代非晶硅(a-Si)在TFT中得到推广应用。然而,为了同时满足显示产业对更高生产效益、更佳显示性能(如高分辨率、高刷新率等)和更低功耗等多元升级要求,需要迁移率更高的MOS TFTs技术。本文从固体物理学的角度,系统综述了MOS TFTs通过多元MOS材料实现高迁移率特性的研究进展,并讨论了迁移率与器件稳定性之间的关系。最后,总结展望了MOS TFTs的现状和发展趋势。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体 薄膜晶体管 场效应迁移率 偏压稳定性
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柔性氧化物薄膜晶体管栅绝缘层的研究进展 被引量：1
7
作者 谭海星 林剑荣 +5 位作者 黄培源 彭憬怡 刘思 陈建文 徐华 肖鹏 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第23期20-28,共9页
柔性氧化物薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)因具有迁移率高、电流开关比大、器件均一性好、柔韧性好和轻薄等优点而备受业界关注,广泛应用于柔性有机发光二极管(OLED)显示、柔性传感、仿生突触等领域。其中,栅绝缘层对柔性氧化物... 柔性氧化物薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)因具有迁移率高、电流开关比大、器件均一性好、柔韧性好和轻薄等优点而备受业界关注,广泛应用于柔性有机发光二极管(OLED)显示、柔性传感、仿生突触等领域。其中,栅绝缘层对柔性氧化物TFT的性能至关重要,它不仅影响着器件的基本电学性能,对器件的偏压、光照稳定性也有着明显的影响。因此,栅绝缘层材料及其制备工艺是实现高性能柔性氧化物TFT制备的关键。本工作综述了柔性氧化物TFT栅绝缘层的研究进展,首先介绍了几种典型的栅绝缘层薄膜制备技术;然后介绍了可应用于柔性氧化物TFT的栅绝缘层材料,包括无机高介电常数(高K)栅绝缘层材料(如氧化锆(ZrO_(2))、氧化铪(HfO_(2))和氧化铝(Al_(2)O_(3)))、有机栅绝缘层材料(如聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚乙烯醇(PVA))以及双电层电解质栅绝缘层材料,并论述了几种栅绝缘层材料的优缺点;最后对柔性氧化物TFT的栅绝缘层技术特点和应用进行了总结,并对未来栅绝缘层技术的发展和研究进行了展望。 展开更多
关键词 柔性 薄膜晶体管 栅绝缘层 高介电常数
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非晶铟镓锌氧薄膜晶体管反相器稳定性提升的电路设计
8
作者 江舒 张天昊 +2 位作者 魏晓敏 李梁栋 董承远 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1182-1191,共10页
薄膜晶体管(TFT)反相器的稳定性问题是影响其在玻璃上系统(SOG)显示技术等领域中实际应用的重要挑战。本文基于实验数据提取了非晶铟镓锌氧TFT器件仿真模型,拟合并得到了其阈值电压变化幅度(ΔVTH)与电压偏置时间的拉伸指数方程。在此... 薄膜晶体管(TFT)反相器的稳定性问题是影响其在玻璃上系统(SOG)显示技术等领域中实际应用的重要挑战。本文基于实验数据提取了非晶铟镓锌氧TFT器件仿真模型,拟合并得到了其阈值电压变化幅度(ΔVTH)与电压偏置时间的拉伸指数方程。在此基础上,探究了传统伪CMOS反相器的电学稳定性随偏置时间的变化规律,并提出了一种改进的TFT反相器电路,对其进行管宽调节并设计了物理版图。改进型反相器通过延迟输出级下拉管的开启使输出高电平值接近电源电压,增加了18.47%。通过反馈缓解其阈值电压漂移所导致的等效电阻增大对输出级电流的影响,显著提高了其速度稳定性。在电压偏置时间为2.56×10^(7)s时,其上升时间的变化率只有4.09%,远低于传统伪CMOS反相器的296.11%。 展开更多
关键词 反相器 薄膜晶体管 稳定性 非晶铟镓锌氧 玻璃上系统
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脉冲对InGaZnO薄膜晶体管性能的影响
9
作者 丘鹤元 谢鑫 +7 位作者 李宗祥 陈周煜 王宝强 王文超 刘正 刘耀 刘娜妮 王洋 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期466-471,共6页
超大尺寸IGZO(InGaZnO)产品在高温高湿(50℃/80%)信赖性评价中易发生异常显示不良(Abnormal Display,AD)。其不良原因主要是集成栅极驱动电路(Gate Driver On Array,GOA)的关键器件M2转移特性曲线(IDS-VGS)在评价中发生了严重正移。本... 超大尺寸IGZO(InGaZnO)产品在高温高湿(50℃/80%)信赖性评价中易发生异常显示不良(Abnormal Display,AD)。其不良原因主要是集成栅极驱动电路(Gate Driver On Array,GOA)的关键器件M2转移特性曲线(IDS-VGS)在评价中发生了严重正移。本文通过脉冲实验,模拟GOA关键器件M2的实际工作环境,重现了转移特性曲线严重正移的不良现象。通过设置不同的脉冲实验,揭示了造成不良的主要影响因素:M2器件关闭时,漏极与源极之间的压差VDS过大,使IGZO膜层内的氧空位V+O在电场作用下同时向IGZO与GI(Gate Insulator)的边界及源极端迁移,由于氧空位V+O对电子的捕获作用,最终导致转移特性曲线发生正移,并发现迁移的氧空位V+O经过加热后可以复原。此外,在不改变IGZO成膜条件下,通过减小M2器件关闭时的VDS压差,导入超大尺寸IGZO产品,高温高湿信赖性评价2000 h未发生AD不良。 展开更多
关键词 InGaZnO薄膜晶体管 集成栅极驱动电路 异常显示 阈值电压漂移
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基于可加速学习有机薄膜晶体管的视觉图像预处理的研究
10
作者 代岩 陈耿旭 《电视技术》 2024年第5期72-78,85,共8页
图像在传输和显示过程中,由于噪声、特征衰减等原因会造成不同程度的图像质量下降问题,导致信息的错误传递,因此通过图像预处理来改善图像质量及提取图像特征十分必要。除了需要图像采集,还需要人脑对图像进行信息处理。神经形态显示器... 图像在传输和显示过程中,由于噪声、特征衰减等原因会造成不同程度的图像质量下降问题,导致信息的错误传递,因此通过图像预处理来改善图像质量及提取图像特征十分必要。除了需要图像采集,还需要人脑对图像进行信息处理。神经形态显示器件作为可以模拟人脑中的神经元突触,具有传输快、抗干扰能力强等诸多优点,被认为是神经形态领域中有价值的组成部分。提出二维材料Ti3C2TxMXene纳米片与钙钛矿量子点共混(CsPbBr3/MXene)形成的异质结结构增强了光电流的产生,并结合有机半导体材料PDVT-10优异的载流子迁移率制备的有机薄膜突触晶体管,成功模拟了生物突触的兴奋性突触后电流(Excitatory Post-Synaptic Current,EPSC)、双脉冲易化(Paired-Pulse Facilitation,PPF)等基本功能。在相同的光脉冲刺激下,相较于纯CsPbBr3突触晶体管,CsPbBr3/MXene突触晶体管的单脉冲EPSC与多脉冲EPSC峰值分别达到148%与157.6%的巨幅提升,实现了在相同时间内从短期可塑性(Short-Term Plasticity,STP)到长期可塑性(Long-Term Plasticity,LTP)的快速转化。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 加速学习 图像预处理
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中大尺寸电子纸发展现状及其薄膜晶体管基板技术分析
11
作者 雷晟 吴伟 +1 位作者 阎建全 蒲衫 《信息技术与标准化》 2024年第3期40-44,共5页
从电子纸市场观察入手,介绍了中大尺寸电子纸显示在电子阅读器和标牌等领域的应用现状,阐述了电子纸供应链主要情况,探讨了薄膜晶体管基板作为供应链关键上游材料的技术发展方向,分析了薄膜晶体管基板技术上的创新和实现构想,为新一代... 从电子纸市场观察入手,介绍了中大尺寸电子纸显示在电子阅读器和标牌等领域的应用现状,阐述了电子纸供应链主要情况,探讨了薄膜晶体管基板作为供应链关键上游材料的技术发展方向,分析了薄膜晶体管基板技术上的创新和实现构想,为新一代中大尺寸电子纸显示用薄膜晶体管基板的设计提供参考和指导建议。 展开更多
关键词 中大尺寸电子纸 电子纸供应链 电子纸终端 薄膜晶体管 铟镓锌氧化物
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Mg-In-Zn-O肖特基源漏薄膜晶体管的性能研究
12
作者 吴佳宏 屈新萍 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期510-515,共6页
通过溶胶-凝胶法在SiO2/Si衬底上制备Mg-In-Zn-O(MIZO)透明氧化物半导体薄膜,并制备了MIZO肖特基源漏薄膜晶体管。实验结果表明,制备的MIZO薄膜呈现非晶态,具有良好的透过率。5%配比的MIZO具有较好的晶体管特性,其他Mg配比的MIZO薄膜晶... 通过溶胶-凝胶法在SiO2/Si衬底上制备Mg-In-Zn-O(MIZO)透明氧化物半导体薄膜,并制备了MIZO肖特基源漏薄膜晶体管。实验结果表明,制备的MIZO薄膜呈现非晶态,具有良好的透过率。5%配比的MIZO具有较好的晶体管特性,其他Mg配比的MIZO薄膜晶体管性能随着Mg含量增加而变差。实验结果发现,由于先在氧化层上淀积金属源漏,使得器件受到较多界面态的影响,导致漏电流崩塌效应,漏电流随着漏电压的增大而略微变小,当改变金属的淀积顺序时,此效应得到改善。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 MIZO薄膜 薄膜晶体管
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使用低电阻金属铝制造薄膜晶体管阵列信号电极 被引量：8
13
作者 刘翔 陈旭 +2 位作者 谢振宇 高浩然 王威 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期533-536,共4页
金属电阻是影响大尺寸TFT-LCD信号延迟的关键因素。研究了利用低电阻率金属Al制作大尺寸TFT阵列信号线的生产工艺,发现在完成有源半导体层刻蚀后残留的少量Cl2会在后续工艺中对金属Al造成腐蚀,严重地影响了产品的性能。通过优化刻蚀工艺... 金属电阻是影响大尺寸TFT-LCD信号延迟的关键因素。研究了利用低电阻率金属Al制作大尺寸TFT阵列信号线的生产工艺,发现在完成有源半导体层刻蚀后残留的少量Cl2会在后续工艺中对金属Al造成腐蚀,严重地影响了产品的性能。通过优化刻蚀工艺,采用活性更高的SF6去除刻蚀有源半导体层时残留的少量Cl2,避免了金属Al腐蚀的发生。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 铝 腐蚀 刻蚀
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金属氧化物薄膜晶体管及其在新型显示中的应用 被引量：12
14
作者 曹镛 陶洪 +4 位作者 邹建华 徐苗 兰林锋 王磊 彭俊彪 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1-11,共11页
为适应高分辨率、大尺寸的液晶(LCD)和有源有机发光二极管(AMOLED)等新型显示技术发展的需要,开发了一种新型的基于金属氧化物有源半导体材料的薄膜晶体管(MOTFT)驱动面板.文中阐述了MOTFT的材料、器件结构、制作工艺以及应用,并对影响M... 为适应高分辨率、大尺寸的液晶(LCD)和有源有机发光二极管(AMOLED)等新型显示技术发展的需要,开发了一种新型的基于金属氧化物有源半导体材料的薄膜晶体管(MOTFT)驱动面板.文中阐述了MOTFT的材料、器件结构、制作工艺以及应用,并对影响MOTFT性能的因素进行了讨论.研发团队开发的MOTFT的迁移率最高可达21.6cm2/(V.s),阈值电压为1.63V,开关比为109,亚阈值摆幅为0.216 V/decade.基于该MOTFT驱动面板,在国内率先实现了5英寸彩色AMOLED显示屏.该MOTFT驱动面板具有迁移率高、制作工艺简单、成本较低以及容易实现大面积等优势,在LCD和AMOLED等新型显示领域具有广泛的应用前景. 展开更多
关键词 氧化物半导体 薄膜晶体管 AMOLED 新型显示
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薄膜晶体管阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究 被引量：7
15
作者 刘翔 王章涛 +2 位作者 崔祥彦 邓振波 邱海军 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期183-187,共5页
光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一。初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺,影响光刻胶灰化的主要因素有功率、气压和灰化气体的流量,经过一组正交实验,得到了功率、气压、灰化气体的流量对光刻胶的灰化速率和均匀... 光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一。初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺,影响光刻胶灰化的主要因素有功率、气压和灰化气体的流量,经过一组正交实验,得到了功率、气压、灰化气体的流量对光刻胶的灰化速率和均匀度的影响趋势。结果表明,功率是影响灰化速率的主要因素。通过不断地优化光刻胶的灰化条件,最终得到了理想的灰化条件,即功率为10500W,气压为26.7Pa,O2的流量为2000mL/min,灰化时间为91s。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 四次光刻 光刻胶 灰化
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退火温度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响 被引量：5
16
作者 张新安 张景文 +1 位作者 张伟风 侯洵 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期557-561,共5页
采用光刻剥离法和射频磁控溅射技术在带有热氧化层的硅衬底上制备了以氧化锌(ZnO)为沟道层的薄膜晶体管(ZnO-TFT)。研究了不同温度退火处理对ZnO-TFT电学性能的影响,发现随着ZnO薄膜退火温度的增加,ZnO-TFT的阈值电压减小,电子的场效应... 采用光刻剥离法和射频磁控溅射技术在带有热氧化层的硅衬底上制备了以氧化锌(ZnO)为沟道层的薄膜晶体管(ZnO-TFT)。研究了不同温度退火处理对ZnO-TFT电学性能的影响,发现随着ZnO薄膜退火温度的增加,ZnO-TFT的阈值电压减小,电子的场效应迁移率增大。用原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜的微区结构进行观察,发现ZnO薄膜的平均粒径随退火温度的增加而增大,表明ZnO-TFT电学性质和沟道层薄膜晶粒大小密切相关。 展开更多
关键词 氧化锌 薄膜 晶体管 退火
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喷墨打印电极在薄膜晶体管中的应用 被引量：5
17
作者 宁洪龙 杨财桂 +7 位作者 陈建秋 陶瑞强 周艺聪 蔡炜 朱镇南 魏靖林 姚日晖 彭俊彪 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期742-748,共7页
喷墨打印技术具有成本低、环境友好、效率高和直接写入等优势,被广泛应用于薄膜晶体管(TFTs)中图形化电极的制备。高密度、大尺寸、柔性和低能耗电子器件的快速发展,对打印电极质量提出了更高的要求。文章对导电墨水、喷墨打印技术及喷... 喷墨打印技术具有成本低、环境友好、效率高和直接写入等优势,被广泛应用于薄膜晶体管(TFTs)中图形化电极的制备。高密度、大尺寸、柔性和低能耗电子器件的快速发展,对打印电极质量提出了更高的要求。文章对导电墨水、喷墨打印技术及喷墨打印电极工艺优化进行了总结,并指出了现阶段喷墨打印电极在薄膜晶体管应用中存在的问题及今后的研究方向。 展开更多
关键词 喷墨打印 导电墨水 电极 薄膜晶体管
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退火温度对ZnO薄膜晶体管电特性的影响 被引量：5
18
作者 刘玉荣 任力飞 +5 位作者 杨任花 韩静 姚若河 温智超 徐海红 许佳雄 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期103-107,共5页
针对非晶硅和有机薄膜晶体管的低迁移率问题,以高纯Zn为靶材,反应磁控溅射沉积、且在不同温度下退火的ZnO薄膜作为半导体活性层,成功地制备出基于ZnO材料的薄膜晶体管(ZnO-TFT),研究了退火温度对ZnO-TFT电特性的影响.结果表明:ZnO-TFT... 针对非晶硅和有机薄膜晶体管的低迁移率问题,以高纯Zn为靶材,反应磁控溅射沉积、且在不同温度下退火的ZnO薄膜作为半导体活性层,成功地制备出基于ZnO材料的薄膜晶体管(ZnO-TFT),研究了退火温度对ZnO-TFT电特性的影响.结果表明:ZnO-TFT的载流子迁移率随退火温度的升高而明显增大,700℃退火的样品迁移率为8.00cm2/(V.s),阈值电压随退火温度的升高而明显减小,在较高温度下退火处理制备的ZnO-TFT呈现出较低的关态电流.结合X射线衍射谱、原子力显微镜和X射线光电子能谱对ZnO薄膜的微结构及组分的分析,发现ZnO-TFT性能随退火温度升高的改善来源于退火温度的升高使ZnO薄膜的晶粒尺寸增大且更均匀、外形更规整、表面更光滑,氧含量更少. 展开更多
关键词 薄膜晶体管 氧化锌 电特性 退火温度
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未退火InGaZnO作为缓冲层的InGaZnO薄膜晶体管性能研究 被引量：5
19
作者 苟昌华 武明珠 +4 位作者 郭永林 杨永强 关晓亮 段羽 王红波 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期602-607,共6页
铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)因具有场效应迁移率高,大面积均匀性好,无定型态等特点,被认为是显示器朝着大尺寸、柔性化方向发展的新型背板技术。源漏电极与有源层之间的接触氧化会增大器件的接触电阻,从而导致器件的性能降低。利... 铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)因具有场效应迁移率高,大面积均匀性好,无定型态等特点,被认为是显示器朝着大尺寸、柔性化方向发展的新型背板技术。源漏电极与有源层之间的接触氧化会增大器件的接触电阻,从而导致器件的性能降低。利用未退火IGZO具有氧含量低、氧空位多、电导率高的特点,提出采用未退火IGZO作为源漏电极缓冲层,以减少源漏电极与有源层之间的接触氧化。研究发现插入4nm未退火IGZO缓冲层时,相对于未采用缓冲层的器件,其饱和区场效应迁移率提高了11.6%,阈值电压降低了3.8V,器件性能有所提高。此外,该方法还可以在原位退火之后继续使用与有源层相同的材料溅射生长缓冲层,能够使得在采用矩形靶溅射方式的工业生产中,制备缓冲层工艺更加简单。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 INGAZNO 接触电阻 缓冲层
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薄膜热处理对ZnO薄膜晶体管性能的提高 被引量：4
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作者 张浩 张良 +3 位作者 李俊 蒋雪茵 张志林 张建华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1281-1285,共5页
制备了两种以SiO2为绝缘层的底栅ZnO薄膜晶体管,分别以未退火和退火处理的ZnO薄膜作为有源层。与未退火处理的ZnO薄膜晶体管相比,退火处理的ZnO薄膜晶体管的饱和迁移率由2.3 cm2/(V.s)增大至3.12 cm2/(V.s),阈值电压由20.8 V减小至9.9 V... 制备了两种以SiO2为绝缘层的底栅ZnO薄膜晶体管,分别以未退火和退火处理的ZnO薄膜作为有源层。与未退火处理的ZnO薄膜晶体管相比,退火处理的ZnO薄膜晶体管的饱和迁移率由2.3 cm2/(V.s)增大至3.12 cm2/(V.s),阈值电压由20.8 V减小至9.9 V,亚阈值摆幅由2.6 V/dec减小至1.9 V/dec。25 V直流电压施加3 600 s后,未退火器件的阈值电压变化达到8 V,而退火处理的器件的阈值电压变化仅为3.4V。实验结果表明,对有源层退火处理有利于提升ZnO-TFT器件的电学性能和偏压稳定性。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 ZNO 稳定性 退火
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