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MOCVD生长的InN薄膜中In分凝现象
1
作者
徐峰
陈敦军
+5 位作者
张荣
谢自力
刘斌
刘启佳
江若涟
郑有阧
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期851-855,共5页
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法不同生长条件下在c面蓝宝石衬底上制备了InN薄膜,通过不同的物理表征手段研究了InN薄膜的物理性质,结果表明:合适的生长温度可以抑制InN薄膜表面分凝现象。研究认为较低的生长温度使作为N源的NH3...
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法不同生长条件下在c面蓝宝石衬底上制备了InN薄膜,通过不同的物理表征手段研究了InN薄膜的物理性质,结果表明:合适的生长温度可以抑制InN薄膜表面分凝现象。研究认为较低的生长温度使作为N源的NH3分解率较低,In—N的成键可能性小,导致In在表面聚集出现分凝;而较高生长温度时,InN薄膜中In—N键能较小,易发生断裂,反应活性较强的N和H原子逸离薄膜表面,In滞留在薄膜表面也导致In分凝现象的出现。相对于表面分凝的样品,未出现表面分凝的样品的薄膜晶体质量和表面形貌也得到了提高。同时,通过Raman散射谱研究了晶格振动E2声子模的应力效应。
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关键词
in分凝
X射线衍射
原子力显微镜
X射线光电子谱
RAMAN散射
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职称材料
题名
MOCVD生长的InN薄膜中In分凝现象
1
作者
徐峰
陈敦军
张荣
谢自力
刘斌
刘启佳
江若涟
郑有阧
机构
南京大学物理系江苏省光电功能材料重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期851-855,共5页
基金
国家自然科学基金(60476030
60421003
+4 种基金
60676057)
"973"专项基金(2006CB604905
2006CB604907)
新世纪优秀人才计划(NCET-05-0445)
江苏省自然科学基金(BK2006126)资助项目
文摘
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法不同生长条件下在c面蓝宝石衬底上制备了InN薄膜,通过不同的物理表征手段研究了InN薄膜的物理性质,结果表明:合适的生长温度可以抑制InN薄膜表面分凝现象。研究认为较低的生长温度使作为N源的NH3分解率较低,In—N的成键可能性小,导致In在表面聚集出现分凝;而较高生长温度时,InN薄膜中In—N键能较小,易发生断裂,反应活性较强的N和H原子逸离薄膜表面,In滞留在薄膜表面也导致In分凝现象的出现。相对于表面分凝的样品,未出现表面分凝的样品的薄膜晶体质量和表面形貌也得到了提高。同时,通过Raman散射谱研究了晶格振动E2声子模的应力效应。
关键词
in分凝
X射线衍射
原子力显微镜
X射线光电子谱
RAMAN散射
Keywords
In segregation
X-ray diffraction
atomic force microscope
X-ray photoelectron spectroscopy
Raman scattering
分类号
O472.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
MOCVD生长的InN薄膜中In分凝现象
徐峰
陈敦军
张荣
谢自力
刘斌
刘启佳
江若涟
郑有阧
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
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