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In∶Ce∶Cu∶LiNbO_3晶体的生长及存储性能研究 被引量:1
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作者 王军 徐悟生 王锐 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期16-19,共4页
在Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体中掺进In2 O3 ,用CZ法首次生长In∶Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体。对晶体的抗光折变能力、红外光谱、指数增益系数、衍射效率和响应时间进行了测试 ,结果表明 :In(3mol% )∶Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体的抗光折变能力比Ce∶Cu∶Li... 在Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体中掺进In2 O3 ,用CZ法首次生长In∶Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体。对晶体的抗光折变能力、红外光谱、指数增益系数、衍射效率和响应时间进行了测试 ,结果表明 :In(3mol% )∶Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体的抗光折变能力比Ce∶Cu∶LiNbO3 提高两个数量级 ,其OH-吸收峰由LiNbO3 的 3484cm-1移到 35 0 8cm-1,响应速度比Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体快三倍。对In∶Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体抗光折变能力提高的机理。 展开更多
关键词 In:ce:cu:linbo3晶体 晶体生长 存储性能 响应时间
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近化学计量比Ce∶Mn∶LiNbO_3晶体光折变性能研究 被引量:3
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作者 杨春晖 许艳波 +1 位作者 王锐 徐玉恒 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期909-911,共3页
在LiNbO3中掺进0 .015mass%MnCO3和0 .1mass%CeO2,以Czchralski法生长Li/Nb比为1.38的近化学计量比Ce∶Mn∶Li NbO3(Ce∶Mn∶SLN)晶体和Li/Nb比为0.946的同成分Ce∶Mn∶Li NbO3(Ce∶Mn∶CLN)晶体.测试了晶体的红外光谱和紫外可见吸收光... 在LiNbO3中掺进0 .015mass%MnCO3和0 .1mass%CeO2,以Czchralski法生长Li/Nb比为1.38的近化学计量比Ce∶Mn∶Li NbO3(Ce∶Mn∶SLN)晶体和Li/Nb比为0.946的同成分Ce∶Mn∶Li NbO3(Ce∶Mn∶CLN)晶体.测试了晶体的红外光谱和紫外可见吸收光谱,讨论了Ce∶Mn∶SLN晶体OH-吸收峰和吸收边移动机理.利用二波耦合光路测试了晶体的指数增益系数,Ce∶Mn∶SLN晶体指数增益系数Γ达到27cm2-.同时,研究了Ce∶Mn∶SLN指数增益系数提高的机理. 展开更多
关键词 ce:Mn:linbo3晶体 晶体生长 指数增益系数
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LiNbO_3:In:Fe:Cu晶体中的双波长非易失存储 被引量:1
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作者 骆素华 王健 +3 位作者 石宏新 孟庆鑫 姜永远 孙秀冬 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期1675-1678,共4页
为了提高晶体的非易失存储性能,采用双波长存储技术实验研究了LiNbO3:In:Fe:Cu晶体中的非易失存储,折射率调制度为1.04×10-4,记录灵敏度达到0.965cm/J.与传统的双色非易失记录相比,该方法大幅度地提高了光栅的强度和记录的灵敏度.... 为了提高晶体的非易失存储性能,采用双波长存储技术实验研究了LiNbO3:In:Fe:Cu晶体中的非易失存储,折射率调制度为1.04×10-4,记录灵敏度达到0.965cm/J.与传统的双色非易失记录相比,该方法大幅度地提高了光栅的强度和记录的灵敏度.利用Kukhtarev带输运模型对双波长非易失记录过程中光栅的动态演化过程进行了数值模拟,同时讨论了氧化还原程度对双波长非易失全息记录的影响.理论与实验符合的较好. 展开更多
关键词 非易失记录 蓝光光折变 灵敏度 linbo3:In:Fe:cu晶体
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Li/Nb比变化对Ce:Fe:LiNbO_3晶体的光折变性能的影响 被引量:1
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作者 于晓艳 荣宪伟 +1 位作者 关承祥 赵朝中 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期538-542,537,共6页
在LiNbO3晶体中掺进0.1wt%CeO2和0.03wt%Fe2O3以Czochralski技术生长不同Li/Nb比(0.94、1.20、1.40)Ce:Fe:LiNbO3晶体,其中Li/Nb=1.40的Ce:Fe:LiNbO3晶体是化学计量比。测试了不同Li/Nb比Ce:Fe:LiNbO3晶体抗光损伤能力,得到随着Li/Nb比... 在LiNbO3晶体中掺进0.1wt%CeO2和0.03wt%Fe2O3以Czochralski技术生长不同Li/Nb比(0.94、1.20、1.40)Ce:Fe:LiNbO3晶体,其中Li/Nb=1.40的Ce:Fe:LiNbO3晶体是化学计量比。测试了不同Li/Nb比Ce:Fe:LiNbO3晶体抗光损伤能力,得到随着Li/Nb比的增加,晶体的抗光损伤能力增加。研究了晶体抗光损伤能力增强的机理。随着Li/Nb比的增加,晶体的响应速度和光折变灵敏度增加。测试不同Li/Nb比Ce:Fe:LiNbO3晶体位相共轭效应,利用产生的位相共轭光波消除图像的位相共轭畸变。利用Li/Nb=1.40的Ce:Fe:LiNbO3晶体做记录介质,Li/Nb=1.20的Ce:Fe:LiNbO3晶体作位相共轭镜进行全息关联存储实验。实验结果表明,存储系统具有实时处理,成像质量好,信噪比高和可反复使用的优点。 展开更多
关键词 ce:FE:linbo3晶体 光折变性能 抗光损伤能力
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[Li]/[Nb]比变化对Ce:Mn:LiNbO3晶体光折变性能的影响:
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作者 王义杰 于海涛 刘威 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期400-403,共4页
采用提拉法生长4种不同[Li]/[Nb]比(0.94,1.05,1.20,1.38)的Ce(0.1%(质量分数)):Mn(0.05%(质量分数)):LiNb03晶体和掺镁量为5%(摩尔分数)的Mg:Ce(0.1%):Mn(0.015%):LiNbO3晶体。测试晶体红外光谱... 采用提拉法生长4种不同[Li]/[Nb]比(0.94,1.05,1.20,1.38)的Ce(0.1%(质量分数)):Mn(0.05%(质量分数)):LiNb03晶体和掺镁量为5%(摩尔分数)的Mg:Ce(0.1%):Mn(0.015%):LiNbO3晶体。测试晶体红外光谱,[Li]/[Nb]为1.2和1.38的Ce:Mn:LiNb03晶体OH吸收峰移到3466cm^-1,这是化学计量比的标志吸收峰。Mg(5%(摩尔分数))Ce:Mn:LiNbO3晶体OH吸收峰移到3535cm^-1,这是Mg^2+达到阈值浓度的标志吸收峰,以锂空位模型解释OH-吸收峰移动机理。采用光斑畸变法测试晶体抗光损伤能力,采用二波耦合光路测试晶体的指数增益系数、响应时间、计算载流子浓度。随着[Li]/[Nb]比增加,这些数据指标增加。[Li]/[Nb]为1.38,Ce:Mn:LiNbO3晶体是化学计量比,它的指数增益系数比Ce:Mn:LiNbO3晶体提高1倍,响应速度和抗光损伤能力提高1个数量级以上,是性能最为优良的光折变晶体材料之一。 展开更多
关键词 Mg ce Mn linbo3晶体 光折变性能 红外光谱
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Ce:Fe:LiNbO3晶体光栅热固定的研究
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作者 刘波 毕建聪 +1 位作者 郑威 徐玉恒 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期209-211,共3页
在LiNbO3晶体中掺进CeO2和Fe2O3,以Czchralski法生长Ce:Fe:LiNbO3晶体,对晶体进行氧化还原处理.测试Ce:Fe:LiNbO3晶体的吸收光谱,发现Ce:Fe:LiNbO3晶体的吸收边相对LiNbO3晶体发生红移.氧化态的Ce:Fe:LiNbO3晶体的吸收边相对还原态的Ce:... 在LiNbO3晶体中掺进CeO2和Fe2O3,以Czchralski法生长Ce:Fe:LiNbO3晶体,对晶体进行氧化还原处理.测试Ce:Fe:LiNbO3晶体的吸收光谱,发现Ce:Fe:LiNbO3晶体的吸收边相对LiNbO3晶体发生红移.氧化态的Ce:Fe:LiNbO3晶体的吸收边相对还原态的Ce:Fe:LiNbO3晶体发生紫移.采用热固定法测试Ce:Fe:LiNbO3晶体(氧化,生长,还原)的显影效率.Ce:Fe:LiNbO3晶体(还原)的显影效率低于Ce:Fe:LiNbO3晶体(氧化)的显影效率.测算并推导出热固定光栅在常温下的寿命. 展开更多
关键词 ce:FE:linbo3晶体 热固定 吸收光谱
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Ce:Cu:SBN晶体的生长及其自泵浦位相共轭效应的研究 被引量:1
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作者 杨春晖 侯丛福 +2 位作者 徐悟生 徐玉恒 王继扬 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第1期93-95,88,共4页
在铌酸锶钡(SrxBa1-xNb2O6,SBN)中掺进CeO2和CuO,生长了Ce∶Cu∶SBN晶体,测试了该晶体的衍射效率、自泵浦位相共轭反射率和响应时间。以Ce∶Cu∶SBN晶体作为自泵浦位相共轭镜,以Zn∶Fe∶LiNbO3晶体作为存储介质,实现了实时关联存储。
关键词 ce:cu:SBN晶体 自泵浦位相共轭 晶体生长
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双掺杂铌酸锂晶体中体全息记录的振荡特性研究
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作者 刘少杰 江竹青 +1 位作者 李熊 陶世荃 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1450-1453,共4页
分析了双中心记录初始阶段振荡现象的产生机制,研究了晶体掺杂浓度和记录光与UV光的束比对记录初期阶段振荡特性的影响.结果表明,振荡现象可以归因于记录介质双能级中心深浅能级电子数平衡分布的改变.在浅能级掺杂浓度较小的晶体中记录... 分析了双中心记录初始阶段振荡现象的产生机制,研究了晶体掺杂浓度和记录光与UV光的束比对记录初期阶段振荡特性的影响.结果表明,振荡现象可以归因于记录介质双能级中心深浅能级电子数平衡分布的改变.在浅能级掺杂浓度较小的晶体中记录时,振荡强度较大;记录光与UV门光束的光束比越大,振荡持续时间越短. 展开更多
关键词 体全息存储 linbo3∶Fe∶cu晶体 双中心全息记录 紫外光预敏化 衍射效率
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