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基于Ieda模型的产生区电流与产生区宽度的理论关系
1
作者
丁扣宝
施红军
张秀淼
《杭州大学学报（自然科学版）》
CSCD
1996年第3期246-250,共5页
采用Ieda提出的载流子发射的三维模型,研究了半导体中载流子的电场增强产生现象,推导出基于三维模型的产生区电流与产生区宽度的理论关系,并用于解释有关的实验结果.
关键词
半导体
电场增强
ieda模型
载流子产生
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职称材料
题名
基于Ieda模型的产生区电流与产生区宽度的理论关系
1
作者
丁扣宝
施红军
张秀淼
机构
杭州大学电子工程系
出处
《杭州大学学报（自然科学版）》
CSCD
1996年第3期246-250,共5页
基金
国家自然科学基金资助课题
文摘
采用Ieda提出的载流子发射的三维模型,研究了半导体中载流子的电场增强产生现象,推导出基于三维模型的产生区电流与产生区宽度的理论关系,并用于解释有关的实验结果.
关键词
半导体
电场增强
ieda模型
载流子产生
Keywords
:semiconductor
field-enhanced
carrier generation
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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作者
出处
发文年
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1
基于Ieda模型的产生区电流与产生区宽度的理论关系
丁扣宝
施红军
张秀淼
《杭州大学学报（自然科学版）》
CSCD
1996
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