铟锡氢氧化物的煅烧温度对ITO靶材结构性能的影响

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作者 张倍维 陆映东 +3 位作者 黄作 莫斌 方志杰 黄誓成 《功能材料》 北大核心 2025年第1期1209-1216,共8页

研究发现氧化锡铟(ITO)靶材的致密度受ITO前驱粉体烧结活性影响并取决于其结构和组成。而ITO前驱粉体煅烧温度对于ITO靶材结构及其性质的影响尚未明晰。探究铟锡氢氧化物粉体的煅烧形成ITO粉体过程中,温度对于其粉体的结构以及后续制备... 研究发现氧化锡铟(ITO)靶材的致密度受ITO前驱粉体烧结活性影响并取决于其结构和组成。而ITO前驱粉体煅烧温度对于ITO靶材结构及其性质的影响尚未明晰。探究铟锡氢氧化物粉体的煅烧形成ITO粉体过程中,温度对于其粉体的结构以及后续制备的ITO靶材的烧结致密化的影响。XRD衍射分析表明铟锡氢氧化物的粉末煅烧温度和时间的增加均会导致ITO粉体晶粒尺寸变大;当煅烧温度为750℃时(2 h),ITO粉体有较高的比表面积,高的表面金属含量构成,制备的靶材具有高的相对密度,更低的电阻率,靶材断面结构紧凑,内部气孔相对较少。前驱粉体煅烧温度与ITO靶材的结构-性能关系,揭示了煅烧温度直接影响铟锡氢氧化物粉体的立方晶体的形成,改变了生成的ITO粉体结构(比表面积、表面元素构成、粒度等),影响成型的素胚密度,进而影响ITO靶材的烧结致密性及导电性能。 展开更多

关键词 铟锡氧化物 温度-结构-性能关系 锡(Sn)掺杂氧化铟(In2O3) ito靶材

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喷雾干燥-冷等静压-烧结法制备ITO靶材的工艺研究 被引量：10

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作者 李晶 赵晓东 +1 位作者 李芝华 任冬燕 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期38-41,46,共5页

以化学共沉淀法制备的ITO粉末为原料,采用喷雾干燥-冷等静压-烧结法制备了ITO靶材,通过扫描电子显微镜(SEM)观察粉末、素坯及烧结后ITO靶材的表面形貌和气孔分布,并就粉末不同粒度组成对靶材压制与烧结效果的影响进行了分析。实验结果表... 以化学共沉淀法制备的ITO粉末为原料,采用喷雾干燥-冷等静压-烧结法制备了ITO靶材,通过扫描电子显微镜(SEM)观察粉末、素坯及烧结后ITO靶材的表面形貌和气孔分布,并就粉末不同粒度组成对靶材压制与烧结效果的影响进行了分析。实验结果表明:通过喷雾干燥-冷等静压-烧结工艺可制备出相对密度大于97%的ITO靶材,喷雾干燥工序能有效改善粉末的流动性与压形性,以细粉为主的素坯其烧结致密化程度更高。 展开更多

关键词 ito靶材 喷雾干燥 冷等静压 烧结

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成型压力对冷等静压-烧结法制备ITO靶材中孔隙缺陷的影响 被引量：7

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作者 刘志宏 谌伟 +1 位作者 李玉虎 刘智勇 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期2435-2444,共10页

孔隙缺陷是影响ITO靶材密度及其均匀性的主要原因。研究冷等静压-常压烧结法制备ITO靶材中孔隙的形成机理及其在成型中的变化过程,分析成型压力（模压和冷等静压）对生坯及靶材孔隙缺陷及相对密度的影响。结果表明：尽管模压压力远低于... 孔隙缺陷是影响ITO靶材密度及其均匀性的主要原因。研究冷等静压-常压烧结法制备ITO靶材中孔隙的形成机理及其在成型中的变化过程,分析成型压力（模压和冷等静压）对生坯及靶材孔隙缺陷及相对密度的影响。结果表明：尽管模压压力远低于冷等静压压力,但模压过程对ITO生坯中孔隙缺陷的消除具有重要影响;当模压压力由4 MPa提高到20 MPa时,生坯经200 MPa冷等静压后,孔径在15～45μm区间的孔隙率由1.09%降低为0.2%。实验所用ITO颗粒的屈服压力约为12 MPa。当模压压力小于12 MPa时,生坯中的ITO颗粒仅发生压缩形变;而当其大于12 MPa时,ITO颗粒破碎,致使生坯致密化,从而消除孔隙缺陷。在模压和冷等静压压力分别为24和250 MPa条件下,ITO生坯相对密度达59.3%,烧结后ITO靶材相对密度高达99.1%。 展开更多

关键词 ito靶材 成型压力 孔隙缺陷 形成机理

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高致密ITO靶材制备工艺的研究现状和发展趋势 被引量：12

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作者 彭平 陈敬超 +1 位作者 王鹏 陈守东 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2012年第24期31-34,37,共5页

简述了ITO薄膜的各种性能和主要应用,综述了国内外ITO靶材的主要成形、烧结工艺及其研究现状,概括了ITO靶材的发展趋势。

关键词 ito靶材 成形工艺 烧结工艺

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成形工艺对烧结法制备ITO靶材的影响 被引量：10

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作者 王玥 刘家祥 刘宸 《有色金属》 CSCD 北大核心 2010年第4期30-33,共4页

以平均粒径为30nm的ITO粉体为原料，添加少量聚乙烯醇（PVA）造粒，模压成形获得素坯，在氧气氛、1550℃烧结素坯制备IT0靶材。采用100～600MPa的成形压力，添加0．5％，1．0％，2．5％的PVA制备靶材，研究压力和PVA添加量对靶材制备的... 以平均粒径为30nm的ITO粉体为原料，添加少量聚乙烯醇（PVA）造粒，模压成形获得素坯，在氧气氛、1550℃烧结素坯制备IT0靶材。采用100～600MPa的成形压力，添加0．5％，1．0％，2．5％的PVA制备靶材，研究压力和PVA添加量对靶材制备的影响。结果表明，成形压力在100～500MPa内，素坯及靶材密度随压力升高而增大，500MPa时达到最大值，分别为47．5％和99．16％。600MPa时素坯和靶材密度略微降低。成形压力越高，摩擦导致的压力损失越大，素坯脱模越困难。增大PVA添加量，素坯更易脱模，且坯体内密度分布更均一。添加1．0％的PVA时获得的素坯及靶材密度最高，分别为45，21％和98，45％。得出素坯的较佳制备条件为成型压力400MPa，PVA添加1．0％。 展开更多

关键词 粉末冶金 ito靶材 素坯 成形压力 PVA

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ITO靶材第二相In4Sn3O12的结构及其对靶材性能的影响 被引量：2

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作者 谢斌 杨硕 +1 位作者 王伟宁 郗雨林 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第S01期29-33,共5页

以自制的纳米ITO气化粉为原料,采用注浆成型工艺制备了不同SnO 2含量的ITO靶材,并采用不同烧结温度对SnO 2含量为10%(质量分数)的靶材进行了烧结,通过SEM分析了不同SnO 2含量ITO靶材的组织及第二相在靶材中的数量、形貌、分布。结果表明... 以自制的纳米ITO气化粉为原料,采用注浆成型工艺制备了不同SnO 2含量的ITO靶材,并采用不同烧结温度对SnO 2含量为10%(质量分数)的靶材进行了烧结,通过SEM分析了不同SnO 2含量ITO靶材的组织及第二相在靶材中的数量、形貌、分布。结果表明,在1575℃烧结温度下,随着SnO 2含量的增加,靶材晶粒得到细化,晶界交汇处第二相数量明显增多;当烧结温度提高至1600℃时,晶界处第二相发生分解,并向母相中转移。采用王水对1575℃烧结的SnO 2含量为10%的靶材进行腐蚀,提取第二相,并通过EDS、XRD、TEM、TGA分析了第二相的组分、物相结构及热重情况。研究表明,10%SnO 2含量ITO靶材晶界交汇处形成的第二相为六方结构的In 4Sn 3O 12,且靶材的氧含量与In 4Sn 3O 12有关。通过对不同SnO 2含量ITO靶材在密度、电阻率和热扩散系数方面的分析,间接研究了第二相对靶材性能的影响,发现SnO 2含量的增加有利于靶材密度的提高,同时使靶材电阻率增大、氧含量增高、热扩散系数减小。 展开更多

关键词 ito靶材 第二相 In4Sn3O12 氧含量

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ITO靶材在溅射过程中结瘤行为的研究 被引量：4

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作者 姚吉升 唐三川 等 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第B12期47-50,共4页

本文报导了ITO靶材溅射时，靶材表面的时效变化和靶材表面结瘤物的组成及其微结构；探讨了结瘤物生成的原因和减缓瘤子生成的方法，对改善ITO膜质有较好的参考价值。

关键词 ito靶材 ito膜 结瘤 黑化物 磁控溅射 铟锡氧化物薄膜 镀膜

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ITO靶材的断口分析 被引量：1

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作者 曾纪术 陈锦全 +1 位作者 杨眉 吴伯增 《有色金属（冶炼部分）》 CAS 北大核心 2014年第10期64-68,共5页

对国产与日本产两种ITO靶材进行全面的分析对比,并对ITO靶材的断口形貌与靶材黑化结瘤之间的关系进行了探讨。结果表明,国产靶材与日本靶材的相对密度、电阻率、失氧率等参数比较接近,二者均为单一晶相的固溶体。国产靶材的断面为"... 对国产与日本产两种ITO靶材进行全面的分析对比,并对ITO靶材的断口形貌与靶材黑化结瘤之间的关系进行了探讨。结果表明,国产靶材与日本靶材的相对密度、电阻率、失氧率等参数比较接近,二者均为单一晶相的固溶体。国产靶材的断面为"解理+韧窝"的脆—韧混合断裂,断裂面晶界上出现了粒径较大的无规则颗粒物;而日本靶材断面为解理脆性断裂,断裂面晶界清晰,无颗粒物出现。 展开更多

关键词 ito靶材 断口 混合酸 结瘤

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国产ITO靶材的镀膜工艺研究

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作者 彭传才 黄广连 +7 位作者 胡云慧 曹志刚 余圣发 魏敏 易可可 姚吉升 唐三川 陈坚 《矿冶工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期61-63,共3页

介绍了国产ＩＴＯ靶材磁控溅射制备ＩＴＯ膜的工艺实验。实验结果表明，国产ＩＴＯ靶材具有良好的工艺稳定性和重现性，在优选镀膜工艺参数条件下，获得了性能优良的ＩＴＯ透明导电膜，并且在室温基片上也获得了满意的结果。

关键词 ito靶 ito膜 放电特性 氧分压 基片温度

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ITO靶材的研究现状与发展趋势 被引量：9

10

作者 李音波 李卫华 +2 位作者 闫琳 余前春 韩志伟 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期996-1000,共5页

概述了ITO靶材的应用范围和日益增大的市场需求;对ITO靶材的加工技术和工艺进行了探讨,对ITO薄膜的特性进行了描述;

关键词 ito靶材 透明导电膜 烧结工艺

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烧结气氛压力对高性能TFT用ITO靶材结瘤性能的研究 被引量：3

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作者 黄誓成 杨祥 +4 位作者 陆映东 姜姝 李喜峰 张雪凤 杜海柱 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期8057-8061,共5页

通过在烧结过程中调节气氛气压改变烧结压力来制备高性能ITO靶材,采用磁控溅射生长ITO薄膜,采用X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜等对ITO薄膜进行表征并对靶材表面进行观察。结果表明烧结压力... 通过在烧结过程中调节气氛气压改变烧结压力来制备高性能ITO靶材,采用磁控溅射生长ITO薄膜,采用X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜等对ITO薄膜进行表征并对靶材表面进行观察。结果表明烧结压力略高于标准大气压(0.105 MPa)工艺条件下制备的ITO靶材表面的结瘤更少。磁控溅射制备的薄膜均处于非晶状态,薄膜的表面粗糙度由0.35nm降低至0.28nm,薄膜的平均光学透过率均高于84%。改善工艺后的ITO靶材制备的ITO薄膜刻蚀残留非常少。在优化的工艺条件下,靶材质量得到有效改善,透明导电氧化物薄膜性能得到提高。 展开更多

关键词 气氛烧结 ito靶材 ito薄膜

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ITO靶材的结瘤问题研究 被引量：2

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作者 姜鹤 王东新 +2 位作者 孙本双 钟景明 王燕昌 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期9-12,共4页

本文综述了ITO靶材在溅射过程中发生结瘤现象的研究状况,分别分析了陶瓷ITO靶、In-Sn靶和其他靶材的结瘤形成原因以及其他因素对溅射用靶材结瘤现象的影响,并讨论了缓解ITO靶材结瘤问题的方法。

关键词 ito靶材 溅射 毒化

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ITO靶材在磁控溅射过程中的毒化现象 被引量：19

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作者 孔伟华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期1083-1088,共6页

研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒... 研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生. 展开更多

关键词 ito靶材 直流磁控反应溅射 毒化现象 三氧化二铟 二氧化锡 导电氧化物半导体 薄膜 制备

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氧气流量及烧结保温时间对ITO靶材的相含量与电阻率的影响

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作者 池铭浩 翁卫祥 李强 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期15-19,共5页

采用注浆成型法在不同烧结参数下制备ITO靶材,研究不同氧气流量及烧结保温时间对ITO靶材的相含量与电阻率的影响。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对ITO靶材的物相组成以及微观组织形貌进行表征,运用Rietveld法对样品XRD数据进行结... 采用注浆成型法在不同烧结参数下制备ITO靶材,研究不同氧气流量及烧结保温时间对ITO靶材的相含量与电阻率的影响。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对ITO靶材的物相组成以及微观组织形貌进行表征,运用Rietveld法对样品XRD数据进行结构精修以计算其相含量。研究结果表明:靶材均由主相(In_(2)O_(3)相)以及第二相(In_(4)Sn_(3)O_(12)相)组成。当氧气流量由40 L/min提高到160 L/min时,第二相含量由19.82%(质量分数,下同)逐渐增加到25.83%;当保温时间由6 h延长到12 h时,第二相含量由19.79%逐渐增加到31.27%。对不同氧气流量以及烧结保温时间下所制备的样品进行相对密度以及电阻率测定,结果表明,靶材密度是影响其电阻率的最主要因素,靶材的电阻率随着密度的增加而降低。靶材密度相近时,靶材相含量对其电学性能有较大的影响,此时靶材的电阻率随着第二相含量的增加而增大。 展开更多

关键词 ito靶材 相含量 电阻率 Rietveld法精修

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粉浆浇注制备大尺寸ITO靶材工艺 被引量：3

15

作者 钟景明 岳坤 +1 位作者 孙本双 王东新 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期2333-2338,共6页

研究分散剂、pH值和固相含量对铟锡氧化物(ITO)浆料稳定性、流变性的影响,以及粉浆浇注压力对坯体密度的影响。结果表明:当聚丙烯酸(PAA)质量分数为0.5%、聚乙二醇(PEG)质量分数为1.5%、pH值为9、ITO固相含量为70%(质量分数)时,调制的... 研究分散剂、pH值和固相含量对铟锡氧化物(ITO)浆料稳定性、流变性的影响,以及粉浆浇注压力对坯体密度的影响。结果表明:当聚丙烯酸(PAA)质量分数为0.5%、聚乙二醇(PEG)质量分数为1.5%、pH值为9、ITO固相含量为70%(质量分数)时,调制的浆料的流变性和稳定性最佳,并在注浆压力为1.5 MPa的条件下制备出相对密度为68%的高密度粉浆浇注坯体;对该素坯进行常压烧结制备了相对密度高于99.5%的ITO靶材。对靶材的组织与成分分析发现,粉浆浇注ITO靶材的结构为氧化锡完全固溶于氧化铟的单一立方In2O3结构,同时In、Sn和O元素分布均匀,无元素富集现象,晶粒尺寸均匀,完全满足八代以上镀膜线的应用技术要求。 展开更多

关键词 ito靶材 粉浆浇注 浆料性能 微观组织

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ITO靶材中氧含量EPMA定量分析方法研究 被引量：2

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作者 许德美 李峰 付晓旭 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期60-63,共4页

ITO靶材中氧含量的理论值为 17 66% (重量百分比 )。在成型过程中 ,因工艺条件的不同 ,各类靶材会有不同程度的失氧 ,失氧量的多少决定着其性能的优劣。本文将探讨EPMA测量ITO靶中氧含量时所遇到的问题 ,针对ITO靶材材质自身的特点 ,采... ITO靶材中氧含量的理论值为 17 66% (重量百分比 )。在成型过程中 ,因工艺条件的不同 ,各类靶材会有不同程度的失氧 ,失氧量的多少决定着其性能的优劣。本文将探讨EPMA测量ITO靶中氧含量时所遇到的问题 ,针对ITO靶材材质自身的特点 ,采用不同于传统EPMA测量方法 ,准确地测量了ITO靶材中的氧含量。本方法的主要特征为 :不作基质修正 ,考虑晶体结构带来的影响而引入密度修正。 展开更多

关键词 氧含量 ito膜 ito靶材 EPMA 密度 基质修正 谱峰漂移 电子探针定量分析 铟锡复合氧化物

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直热式ITO靶材热压设备的设计 被引量：1

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作者 陈正伟 刘舒 +1 位作者 步怀立 高光伟 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期78-81,共4页

随着平面显示技术的发展,氧化铟锡(ITO)靶材的需求大增,然而国内生产的靶材多为低密度的中低端产品,ITO靶材的制备目前多采用的是热压烧结的形式,实现ITO靶材的制备突破研制合适的装备及工艺成为焦点问题。本文结合直热式制备ITO靶材工... 随着平面显示技术的发展,氧化铟锡(ITO)靶材的需求大增,然而国内生产的靶材多为低密度的中低端产品,ITO靶材的制备目前多采用的是热压烧结的形式,实现ITO靶材的制备突破研制合适的装备及工艺成为焦点问题。本文结合直热式制备ITO靶材工艺给出了ITO靶材热压炉中核心加热区的设计方法,并利用ANSYS软件对设计完成的石墨模具进行了仿真分析。 展开更多

关键词 ito靶材 装备设计 仿真

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ITO靶材烧结用垫片自动磨床设计研究

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作者 赖玉活 陈荣智 +1 位作者 林伟健 黄应欢 《制造技术与机床》 北大核心 2024年第8期105-112,共8页

针对ITO靶材烧结用垫片生产成本高、效率低、质量差的难题,设计了一款加工该垫片的自动磨床。通过研究其功能需求,确定磨削方式,进行了总体、机构设计。结构设计通过集成创新方式设计了新颖的分料、上料、磨削、下料、砂轮修整、除尘、... 针对ITO靶材烧结用垫片生产成本高、效率低、质量差的难题,设计了一款加工该垫片的自动磨床。通过研究其功能需求,确定磨削方式,进行了总体、机构设计。结构设计通过集成创新方式设计了新颖的分料、上料、磨削、下料、砂轮修整、除尘、清洁及安全等机构,并对其进行可靠性计算及实验验证。该自动磨床设计巧妙,结构简单,安全高效,实现了垫片自动化加工,已应用于生产中,效果显著。 展开更多

关键词 ito靶材 自动磨床 结构设计 可靠性分析

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2004年株洲冶炼集团ITO靶材产量将达到10t

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《中国有色冶金》 CAS 2004年第2期59-59,共1页

关键词 2004年 株洲冶炼集团 ito靶材 产量

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盐酸溶解-铝置换-熔炼-电解工艺从废ITO靶材制备高纯铟 被引量：6

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作者 徐东升 刘家祥 《有色金属》 CSCD 北大核心 2008年第1期74-76,共3页

采用处理废ITO靶材制备高纯铟，研究各步骤中的主要影响因素。结果表明，当盐酸浓度为6mol／L、用量为理论用量的4倍，温度90℃时，靶材溶解迅速完全。pH值3．0～3．5之间铟锡分离最彻底，熔炼最佳温度350℃。在最佳电解工艺条件下，得... 采用处理废ITO靶材制备高纯铟，研究各步骤中的主要影响因素。结果表明，当盐酸浓度为6mol／L、用量为理论用量的4倍，温度90℃时，靶材溶解迅速完全。pH值3．0～3．5之间铟锡分离最彻底，熔炼最佳温度350℃。在最佳电解工艺条件下，得到金属铟纯度99．9974％，符合铟锭国标YS／T257—1998要求。铟总回收率93％。 展开更多

关键词 冶金技术 ito废靶材 高纯铟 溶解 置换 电解

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