双膜层ITO/SiO_(2)薄膜制备及其膜电阻均匀性研究

1

作者 朱治坤 陈婉婷 +2 位作者 陈静 朱常青 刘荣梅 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第24期188-196,共9页

目的通过双膜层结构设计制备ITO/SiO_(2)薄膜,研究了靶面磁场强度、镀膜工件移动速度、镀膜功率对ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻均匀性的影响,并研究了优化条件制备的ITO/SiO_(2)薄膜物相、形貌和结构,并通过元素分布分析探讨了SiO_(2)薄膜的... 目的通过双膜层结构设计制备ITO/SiO_(2)薄膜,研究了靶面磁场强度、镀膜工件移动速度、镀膜功率对ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻均匀性的影响,并研究了优化条件制备的ITO/SiO_(2)薄膜物相、形貌和结构,并通过元素分布分析探讨了SiO_(2)薄膜的作用。方法利用磁控溅射法在TN玻璃基板上沉积生成SiO_(2)薄膜,然后再沉积氧化铟锡(ITO)薄膜,制备ITO/SiO_(2)薄膜样品。利用X射线衍射仪(XRD)、ST-21L型薄膜膜电阻测试仪、原子力显微镜(AFM)、透射电镜(TEM)等仪器,研究了靶面磁场强度、镀膜工件移动速度、镀膜功率对ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻均匀性的影响,并研究了优化条件制备的ITO/SiO_(2)薄膜样品的物相结构、表面形貌、截面膜层结构、元素分布与有膜电阻均匀性的关系,探讨了SiO_(2)薄膜结构与晶粒尺寸效应可能发挥的作用。结果(1)磁控溅射优化条件下,磁场强度为780~820 Gs,镀膜工件移动速度为1.2 m/min,镀膜功率为2.5 kW(A21)和3 kW(A23)时,ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻极差最小为10~11Ω/sq,平均值为75~76Ω/sq,ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻的均匀性最好。(2)ITO/SiO_(2)薄膜表现出晶体谱线和非晶谱线的叠加,In_(2)O_(3)和SnO_(2)特征峰发生轻微左偏移现象,SiO_(2)特征峰较宽,说明薄膜中的SiO_(2)处于非晶态结构,且可能部分发生晶粒尺寸效应,以微晶或纳米晶的形式存在。(3)ITO/SiO_(2)薄膜表面形貌比起SiO_(2)薄膜更均匀、连续、平滑且较致密,且具有明显的双膜层结构,其中ITO薄膜表面均匀平整且膜厚均匀,这与膜电阻均匀性一致;SiO_(2)薄膜与ITO薄膜和玻璃基底都形成了界面层,应该也是ITO薄膜结合力较好的原因;In元素的流失受到一定阻隔,应该与薄膜中的SiO_(2)的非晶态结构或发生晶粒尺寸效应,以及多晶ITO结构有关。结论通过优化控制靶面磁场强度、镀膜工件移动速度和镀膜功率等工艺因素,可以提高ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻均匀性,同时通过控制SiO_(2)薄膜成膜质量可以改善ITO薄膜质量,并起到阻隔In元素流失的作用。 展开更多

关键词 磁控溅射法 ito/SiO_(2)双膜层 微观结构 膜电阻均匀性

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ITO法和判别函数法在同胞关系鉴定中的应用 被引量：55

2

作者 陆惠玲 周科伟 +2 位作者 吕德坚 姚亚楠 章雅清 《法医学杂志》 CAS CSCD 2009年第2期118-122,共5页

目的探讨ITO法和判别函数法在全同胞、半同胞关系鉴定中的应用价值。方法根据500对全同胞、50对半同胞及500对无关个体的15个STR基因座(PowerPlexTM16体系)的分型结果,采用ITO法分别计算全同胞关系指数(FSI)、半同胞关系指数(HSI)及其比... 目的探讨ITO法和判别函数法在全同胞、半同胞关系鉴定中的应用价值。方法根据500对全同胞、50对半同胞及500对无关个体的15个STR基因座(PowerPlexTM16体系)的分型结果,采用ITO法分别计算全同胞关系指数(FSI)、半同胞关系指数(HSI)及其比值(FSI∶HSI)。比较三组配对个体的等位基因匹配情况,计算分型结果全不同的基因座数(x0)、半相同的基因座数(x1)和完全相同的基因座数(x2),利用SPSS13.0分析软件建立全同胞、半同胞和无关个体的判别函数。结果(1)以FSI≥19、FSI<1作为全同胞与无关个体的判别标准,交互准确率为96.4%;以HSI≥19、HSI<1作为半同胞与无关个体的判别标准,交互准确率为85.3%;以FSI∶HSI≥1、FSI∶HSI<1作为全同胞与半同胞的判别标准,交互准确率为87.5%。(2)分别建立了全同胞-半同胞-无关个体、全同胞-无关个体、半同胞-无关个体、全同胞-半同胞4组判别函数,判别函数交互准确率为84.4%～97.7%,其中同胞-无关个体判别准确率最高。结论ITO法与判别函数法在全同胞、半同胞鉴定中均具有较高的应用价值。 展开更多

关键词 法医遗传学 同胞关系 短串联重复序列 判别分析 ito法

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FTO/ITO复层导电薄膜的研究 被引量：11

3

作者 胡志强 张晨宁 +3 位作者 丘鹏 刘俐宏 奥谷昌之 金子正治 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1886-1888,共3页

采用溶胶凝胶法与溶液水解法分别制备ITO、FTO以及FTO/ITO复层导电膜,利用分光光度仪测量在可见光范围内的透光率,用四探针法精确测量薄膜的电阻率,通过扫描电镜观测薄膜的表面形态,微观颗粒形貌以及薄膜的厚度。实验表明,用SnCl4.5H2OI... 采用溶胶凝胶法与溶液水解法分别制备ITO、FTO以及FTO/ITO复层导电膜,利用分光光度仪测量在可见光范围内的透光率,用四探针法精确测量薄膜的电阻率,通过扫描电镜观测薄膜的表面形态,微观颗粒形貌以及薄膜的厚度。实验表明,用SnCl4.5H2OI、n(NO3)3.4.5H2O、NH4F作为主要原料,通过溶胶凝胶法和溶液水解法可制备出低电阻率,高透光性的FTO/ITO复合导电薄膜。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 FTO/ito复层导电膜 电阻率 透光率

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铟离子总浓度对铟锡氧化物(ITO)粉末粒径的影响 被引量：2

4

作者 陈林 肖素萍 +5 位作者 刘悦 文忠和 王献忠 向芸 张西玲 宋杰光 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期89-91,共3页

以纯铟、SnCl4·5H2O为原料,采用络盐法制备了纳米晶的铟锡氧化物(ITO)粉末。通过对铟锡复合络合盐(NH4)1.91(In0.91Sn0.09)Cl5·?H2O的制备研究,充分证实了反应初始溶液中络离子的存在。研究了铟离子总浓度对ITO粒径的影响,结... 以纯铟、SnCl4·5H2O为原料,采用络盐法制备了纳米晶的铟锡氧化物(ITO)粉末。通过对铟锡复合络合盐(NH4)1.91(In0.91Sn0.09)Cl5·?H2O的制备研究,充分证实了反应初始溶液中络离子的存在。研究了铟离子总浓度对ITO粒径的影响,结果表明:由于络离子的存在控制了游离In3+的浓度,从而可以在一定浓度范围内增加铟离子总浓度而达到提高产量的目的。通过XRD和激光粒度仪对ITO粉末进行了表征。 展开更多

关键词 ito 络盐法 纳米粉末 络离子

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ITO薄膜的光学性能研究 被引量：6

5

作者 王敏 蒙继龙 陈明光 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 2003年第5期27-29,32,共4页

采用溶胶-凝胶法制备了ITO薄膜,并对溶胶-凝胶法中Sn掺杂量、后续热处理温度以及热处理时间3种工艺参数对ITO薄膜可见光区透射率的影响进行了分析和研究。研究结果表明: w(Sn)掺杂量小于10 %时,ITO薄膜的透射率下降缓慢,掺杂量大于10 %... 采用溶胶-凝胶法制备了ITO薄膜,并对溶胶-凝胶法中Sn掺杂量、后续热处理温度以及热处理时间3种工艺参数对ITO薄膜可见光区透射率的影响进行了分析和研究。研究结果表明: w(Sn)掺杂量小于10 %时,ITO薄膜的透射率下降缓慢,掺杂量大于10 %后,薄膜的透射率急剧下降;随着热处理时间的延长,ITO薄膜的透射率直线型下降;热处理温度与ITO薄膜透射率呈曲线关系,热处理温度为500℃时,ITO薄膜的透射率出现最大值。 展开更多

关键词 ito薄膜 溶胶-凝胶法 光学性能 透射率

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ITO薄膜的气敏特性 被引量：6

6

作者 张正勇 张耀华 《传感技术学报》 CAS CSCD 1999年第1期52-56,共5页

本文研究了用胶体法制备的ＩＴＯ薄膜的气敏特性；并同时研究了各种掺杂杂质对ＩＴＯ薄膜的气敏特性的影响．通过实验发现ＩＴＯ薄膜对乙醇气体具有最高的灵敏度，对二氧化氮等也有较好的敏感特性，一般催化剂型掺杂物如资金属等掺杂对... 本文研究了用胶体法制备的ＩＴＯ薄膜的气敏特性；并同时研究了各种掺杂杂质对ＩＴＯ薄膜的气敏特性的影响．通过实验发现ＩＴＯ薄膜对乙醇气体具有最高的灵敏度，对二氧化氮等也有较好的敏感特性，一般催化剂型掺杂物如资金属等掺杂对提高ＩＴＯ薄膜的灵敏度没有多大帮助．ＩＴＯ薄膜与 ＳｎＯ_２薄膜相比具有更高的稳定性．ＩＴＯ薄膜的气敏特性既具有表面控制型的特征，又具有体效应气敏材料的敏感特性． 展开更多

关键词 ito薄膜 胶体法 气敏特性 掺杂 敏感器件

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激光显微光谱法测定ITO导电膜中的Sn 被引量：2

7

作者 郭庆林 杨志平 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第6期57-60,共4页

本文利用激光显微光谱,涂片法制备样品,采用“S-M”法对ITO导电膜中Sn进行定量分析,结果比较满意。

关键词 S-M法 ito 导电膜 激光显微光谱 锡

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水热法制备ITO薄膜的研究 被引量：2

8

作者 职利 徐华蕊 +1 位作者 朱归胜 周怀营 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期136-138,共3页

以铟锡氯化物为原料,采用水热法在玻璃基片上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,并利用X射线衍射 (XRD)、能谱分析(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)等手段对薄膜的相结构、化学组成及形貌进行了表征,研究了水热温度和时间等条件对ITO薄膜光吸收特性的... 以铟锡氯化物为原料,采用水热法在玻璃基片上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,并利用X射线衍射 (XRD)、能谱分析(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)等手段对薄膜的相结构、化学组成及形貌进行了表征,研究了水热温度和时间等条件对ITO薄膜光吸收特性的影响。结果表明,水热法制备的ITO薄膜呈体心立方多晶结构且均匀、致密。薄膜在可见光区透射比可达98．2%,具备低成本大规模制备ITO薄膜的潜力。 展开更多

关键词 水热法 ito薄膜 光吸收性能

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化学共沉淀法制备纳米ITO粉体及结构表征 被引量：13

9

作者 张艳峰 张久兴 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期573-574,共2页

　以InCl3·5H2O和SnCl4·5H2O为原料,在掺杂浓度In2O3与SnO2的质量比为9∶1的条件下,采用化学共沉淀法合成了纳米ITO粉体。利用TEM、XRD、IR、粒度分布仪等实验手段对粉体的形貌、物相、粒度进行了表征,讨论了煅烧温度对粉体... 　以InCl3·5H2O和SnCl4·5H2O为原料,在掺杂浓度In2O3与SnO2的质量比为9∶1的条件下,采用化学共沉淀法合成了纳米ITO粉体。利用TEM、XRD、IR、粒度分布仪等实验手段对粉体的形貌、物相、粒度进行了表征,讨论了煅烧温度对粉体物相和粒度的影响。研究结果表明:当煅烧温度>300℃时,可以获得立方In2O3结构的球形纳米ITO粉体。 展开更多

关键词 ito 纳米粉体 结构表征 化学共沉淀 TEM XRD 粒度

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溶胶凝胶法制备ITO透明导电薄膜的工艺研究 被引量：3

10

作者 李芝华 任冬燕 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期174-177,共4页

以五水硝酸铟和乙酰丙酮为原料,以无水氯化锡为掺杂剂,采用溶胶凝胶工艺,用提拉法在石英玻璃基体上制备了ITO透明导电薄膜.采用DTA-TG、XRD、SEM等测试手段对薄膜从凝胶态向结晶态转变过程及微区形貌特点进行了表征,并利用四探针电阻率... 以五水硝酸铟和乙酰丙酮为原料,以无水氯化锡为掺杂剂,采用溶胶凝胶工艺,用提拉法在石英玻璃基体上制备了ITO透明导电薄膜.采用DTA-TG、XRD、SEM等测试手段对薄膜从凝胶态向结晶态转变过程及微区形貌特点进行了表征,并利用四探针电阻率仪考察了热处理温度、提拉速度、冷却速度、提拉次数等工艺条件对薄膜的导电性能的影响.结果表明:ITO干凝胶膜在600℃热处理温度下完全转化为结晶态,ITO薄膜具有由球形粒子堆积而成的多孔结构;热处理温度与冷却速度均会对ITO薄膜的导电率产生重要影响. 展开更多

关键词 ito 溶胶凝胶 提拉法 方电阻 导电率

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络盐法制备纳米晶铟锡氧化物(ITO)粉末 被引量：3

11

作者 陈林 吴伯麟 《桂林工学院学报》 北大核心 2007年第2期257-261,共5页

以纯铟、SnCl4·5H2O为原料，采用络盐法制备了一次晶粒平均尺寸小于15nm、费氏粒度为148．5nm、粒径分布较窄、在800～3600cm^-1间对红外光的吸收或反射率在90％以上的纳米晶铟锡氧化物（ITO）粉末．通过制备络合盐晶体（NH4）2InC... 以纯铟、SnCl4·5H2O为原料，采用络盐法制备了一次晶粒平均尺寸小于15nm、费氏粒度为148．5nm、粒径分布较窄、在800～3600cm^-1间对红外光的吸收或反射率在90％以上的纳米晶铟锡氧化物（ITO）粉末．通过制备络合盐晶体（NH4）2InCl5·H2O和（NH4）2SnCl6，证实反应初始溶液中有络离子存在．研究了络离子本身以及分散剂聚乙烯吡咯烷酮对ITO粒径的影响．用XRD、红外光谱仪和激光粒度仪对ITO粉末进行了表征．结果表明：络离子浓度的增加有利于ITO粉末粒径的变小，分散剂的加入有利于ITO费氏粒度的减小． 展开更多

关键词 铟锡氧化物(ito) 纳米晶 络盐法 分散剂 络离子

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发射光谱法测定ITO透明导电膜的Sn/In

12

作者 郭庆林 张金平 杨志平 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期67-69,共3页

本文采用运动电极，火花激发，讨论了膜样品分析中标样和分析样品的一致性，介绍了选用多个样品叠加摄谱对ＩＴＯ膜中Ｓｎ／Ｉｎ浓度比的测量。结果表明分析方法的精密度和准确度满足分析要求。

关键词 发射光谱法 ito透明导电膜 ito膜 锡铟浓度比

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玻璃基Pt/Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3/ITO电容器的结构及物理性能研究

13

作者 周阳 程春生 +4 位作者 赵敬伟 郑红芳 赵庆勋 彭英才 刘保亭 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期242-246,共5页

采用溶胶-凝胶方法在玻璃基ITO电极上制备了Pt/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT)/ITO电容器.采用X射线衍射仪、铁电测试仪、分光光度计对其微观结构、电学性能及光学性能进行了测量.结果表明PZT薄膜结晶良好,具有(101)高度择优取向.铁电电容器具... 采用溶胶-凝胶方法在玻璃基ITO电极上制备了Pt/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT)/ITO电容器.采用X射线衍射仪、铁电测试仪、分光光度计对其微观结构、电学性能及光学性能进行了测量.结果表明PZT薄膜结晶良好,具有(101)高度择优取向.铁电电容器具有良好的保持特性和抗疲劳特性,具有较大的剩余极化强度和电阻率,5V电压下的剩余极化强度和电阻率分别为41.7μC/cm2和2.5×109Ω.cm;漏电流测量结果表明电压小于0.8V时为欧姆导电机制,当电压大于0.8V时,漏电流满足肖特基发射机制.光学透射谱结果表明在短波范围内,PZT表现出强吸收作用;在长波范围内,PZT表现为强透射,最大透射率达到95%. 展开更多

关键词 Pt/PZT/ito 溶胶-凝胶法 电学性能

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分散剂对铟锡氧化物(ITO)粉末粒径的影响

14

作者 肖素萍 陈林 +3 位作者 王献忠 文忠和 张西玲 向芸 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期111-113,共3页

以纯In、SnCl4·5H2O和盐酸为原料,氨水为沉淀剂,采用络盐法制备了纳米铟锡氧化物(ITO)粉末。主要研究了分散剂对ITO纳米粉体粒径的影响。用激光粒度仪、XRD、SEM对所得粉末进行表征。结果表明:随着分散剂的分子量的增加,所得ITO的... 以纯In、SnCl4·5H2O和盐酸为原料,氨水为沉淀剂,采用络盐法制备了纳米铟锡氧化物(ITO)粉末。主要研究了分散剂对ITO纳米粉体粒径的影响。用激光粒度仪、XRD、SEM对所得粉末进行表征。结果表明:随着分散剂的分子量的增加,所得ITO的粒径逐渐变小;加入不同分子量的PEG配合使用有利于制备纳米级颗粒,加入PEG(10000∶6000=1∶1)作分散剂所制ITO粉末粒径为50～100nm。 展开更多

关键词 铟锡氧化物(ito) 纳米粉末 分散剂 络盐法

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采用ITO法鉴定母亲为姐妹的特殊半同胞关系 被引量：2

15

作者 邵诚臣 姚以宁 +4 位作者 周月琴 刘志萍 徐红梅 谢建辉 孙宽 《法医学杂志》 CAS CSCD 2021年第6期836-840,共5页

目的鉴定张A、张B、张C和张X之间的关系是母亲为姐妹的同父异母半同胞关系(以下简称特殊半同胞)还是普通的一代表亲关系,探讨ITO法在判别特殊亲缘关系中的应用。方法提取4名被鉴定人的血痕DNA,使用PowerPlex®21系统和21+1 STR荧光... 目的鉴定张A、张B、张C和张X之间的关系是母亲为姐妹的同父异母半同胞关系(以下简称特殊半同胞)还是普通的一代表亲关系,探讨ITO法在判别特殊亲缘关系中的应用。方法提取4名被鉴定人的血痕DNA,使用PowerPlex®21系统和21+1 STR荧光检测试剂盒检测常染色体STR遗传标记,使用Investigator®Argus X-12 QS试剂盒检测X染色体STR遗传标记,使用ITO法计算特殊半同胞关系指数(special half sibling index,SHSI)与一代表亲关系指数(first cousin index,FCI)及两者的似然比。结果基于常染色体STR基因分型结果计算SHSI与FCI的似然比,结合X染色体STR基因分型结果进行分析,提示倾向于认为张A、张B、张C与张X的关系为特殊半同胞。结论对于特殊亲缘关系的鉴定,需要依照案情综合应用各种遗传标记,在分析共享等位基因得到不排除的结论后,可进一步采用ITO法根据案情建立判别假设,得到客观可靠的鉴定意见。 展开更多

关键词 法医遗传学 ito法 短串联重复 同胞关系 似然比 半同胞关系指数 一代表亲关系指数

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ITO陶瓷靶材的制备方法及研究现状 被引量：2

16

作者 张明杰 陈敬超 +2 位作者 彭平 于杰 吴涛 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2015年第12期35-39,共5页

介绍了ITO靶材的各种性能及应用,综述了目前常用的几种靶材成形方法和烧结工艺以及他们的研究现状,并对ITO靶材今后的发展趋势进行了展望。

关键词 ito靶材 成形方法 烧结工艺

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共沉淀法制备六方相ITO纳米粉体及其光电性能 被引量：3

17

作者 张怡青 刘家祥 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2017年第2期249-254,共6页

以金属In、SnCl_4·5H_2O为原料、尿素为沉淀剂,采用共沉淀法加入(NH_4)_2SO_4,制备出六方相ITO纳米粉体。通过XRD、TEM、四探针电阻仪、荧光光谱仪以及XPS,研究了ITO粉体的晶型、颗粒形貌、电性能以及光性能。结果表明:加入(NH_4)_... 以金属In、SnCl_4·5H_2O为原料、尿素为沉淀剂,采用共沉淀法加入(NH_4)_2SO_4,制备出六方相ITO纳米粉体。通过XRD、TEM、四探针电阻仪、荧光光谱仪以及XPS,研究了ITO粉体的晶型、颗粒形貌、电性能以及光性能。结果表明:加入(NH_4)_2SO_4后,ITO粉体形貌由类菱面体和类球形混合体转变为类球形;不加(NH_4)_2SO_4时晶型为立方相结构,当(NH_4)_2SO_4与铟的物质的量之比为1∶3.45和1∶1.73时粉体晶型转变为六方相结构,继续添加(NH_4)_2SO_4晶型又转变为立方相结构。立方相ITO粉体的电阻率较低为0.64Ω·cm,六方相ITO粉体在相同激发波长下,发射光强度相对较高。 展开更多

关键词 六方氧化铟锡 (NH4)2SO4 共沉淀法 纳米粉体 光电性能

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溶剂热法制备立方状ITO粉体及其电性能 被引量：4

18

作者 彭祥 陈玉洁 刘家祥 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2017年第10期1769-1774,共6页

以乙二醇、乙醇为溶剂通过溶剂热法制备出立方状ITO纳米粉体,研究了反应时间、NaOH浓度对ITO纳米粉体形貌的影响,并讨论了溶剂体积比、NaOH浓度对ITO粉体导电性的影响及机理。结果表明:采用乙二醇与乙醇做溶剂,V_(EG)∶V_(EtOH)=4∶1时... 以乙二醇、乙醇为溶剂通过溶剂热法制备出立方状ITO纳米粉体,研究了反应时间、NaOH浓度对ITO纳米粉体形貌的影响,并讨论了溶剂体积比、NaOH浓度对ITO粉体导电性的影响及机理。结果表明:采用乙二醇与乙醇做溶剂,V_(EG)∶V_(EtOH)=4∶1时,制备出分散性良好的立方状ITO纳米粉体,平均粒径为10.7 nm,且其XRD衍射峰强度比I_(400)/I_(222)最高为0.380;乙二醇与乙醇做溶剂,V_(EG)∶V_(EtOH)=4∶1,且NaOH浓度为0.275 mol·L^(-1)时,粉体电导率最高为46.75 mS·cm^(-1)。 展开更多

关键词 溶剂热法 立方状 ito粉体 电导率

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IBS法和ITO法应用于全同胞鉴定中的探讨 被引量：13

19

作者 孙云龙 杨金龙 +2 位作者 穆立伟 赵智超 邓亚军 《中山大学学报（医学科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期465-468,共4页

【目的】应用GoldeneyeTM 20A扩增体系,讨论IBS法和ITO法在全同胞鉴定中的应用价值。【方法】选取150对全同胞和500对无关个体,用GoldeneyeTM 20A体系进行19个常染色体STR基因座的扩增,计算状态一致性评分(IBS),用ITO法分别计算全同胞... 【目的】应用GoldeneyeTM 20A扩增体系,讨论IBS法和ITO法在全同胞鉴定中的应用价值。【方法】选取150对全同胞和500对无关个体,用GoldeneyeTM 20A体系进行19个常染色体STR基因座的扩增,计算状态一致性评分(IBS),用ITO法分别计算全同胞关系指数(FSI)、半同胞关系指数(HSI)及其比值(FSI:HSI)。【结果】在检测GoldeneyeTM 20A体系19个基因座时,(1)当两个体的IBS≥22时,倾向于全同胞;当IBS≤13时,倾向于无关个体;当13<IBS<22时,无法给出倾向性意见。(2)当FSI<0.01时,倾向于无关个体;当FSI>1且FSI:HSI>1时,倾向于全同胞;当0.01≤FSI≤1或FSI>1而FSI:HSI≤1时,无法给出倾向性意见。【结论】IBS法和ITO法都可以用在全同胞亲缘鉴定中,IBS法将作为新标准出台,其具有快速简便,高准确率的优势,而ITO法计算过程较为复杂,但具有较高的检出概率,是IBS法一种很好的补充。在实际检案中,可根据案件具体情况,综合运用。 展开更多

关键词 GoldeneyeTM 20A 全同胞鉴定 状态一致性评分(IBS) ito法

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制备方法对负载Pd多孔ITO材料组织的影响 被引量：1

20

作者 周允红 周晓龙 +2 位作者 曹建春 曹宇 樊勇军 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期69-72,共4页

采用等体积浸渍法和粉末冶金法分别制备负载有Pd的多孔ITO气敏材料,并通过XRD、SEM、EDS等对其物相和显微组织进行分析与比较。结果表明:通过等体积浸渍法制备得到的负载有Pd的多孔ITO气敏材料,孔隙量少、孔径较小且孔隙周围有Pd集聚的... 采用等体积浸渍法和粉末冶金法分别制备负载有Pd的多孔ITO气敏材料,并通过XRD、SEM、EDS等对其物相和显微组织进行分析与比较。结果表明:通过等体积浸渍法制备得到的负载有Pd的多孔ITO气敏材料,孔隙量少、孔径较小且孔隙周围有Pd集聚的现象;而采用粉末冶金法所制得的负载有Pd的多孔ITO气敏材料,孔隙量多、孔径较大且分布十分均匀,贵金属Pd的实际负载量和理论负载量一致。 展开更多

关键词 ito 负载Pd 制备 等体积浸渍法 粉末冶金法

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