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草酸-草酸盐浸出废弃ITO玻璃中铟的机理与浸铟条件的优化
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作者 牛鹏宇 党晓娥 +1 位作者 王碧侠 刘成鹏 《有色金属(中英文)》 北大核心 2025年第5期796-805,共10页
为了解决火法和无机酸法对废弃ITO玻璃粉末中铟锡分离效果差以及草酸法对铟浸出率较低的问题,提出采用草酸-草酸盐A浸出分离ITO玻璃粉末中的铟和锡,并采用响应面法对铟的浸出条件进行优化,建立预测铟的浸出率回归模型,确定浸出液中铟的... 为了解决火法和无机酸法对废弃ITO玻璃粉末中铟锡分离效果差以及草酸法对铟浸出率较低的问题,提出采用草酸-草酸盐A浸出分离ITO玻璃粉末中的铟和锡,并采用响应面法对铟的浸出条件进行优化,建立预测铟的浸出率回归模型,确定浸出液中铟的存在形式,探索水解法回收铟的可行性。结果表明,草酸-草酸盐A浸出铟的优化条件为:c(C_(2)O_(4)^(2-))_(TOT)为0.09 mol/L,n(H_(2)C_(2)O_(4))∶n(A)为0.988∶1,液固比6.5 m L/g。在该条件下,铟的浸出率预测值和实验值分别为96.51%和97.69%,锡的浸出率仅为2.18%,铟锡分离效果较好。浸出液中的铟以In(C_(2)O_(4))_(3)^(3-)和In(C_(2)O_(4))_(2)^(2-)形式存在,可溶锡以Sn^(2+)和SnOH^(+)形式进入浸出液,且可采用水解法分离浸出液中的铟和锡,铟以In(OH)_(3)形式沉淀析出,锡留于浸出液。研究结果证明,采用草酸-草酸盐A浸出-浸出液水解工艺能提高铟的浸出率和铟锡的分离效果,解决了现有火法和湿法分离铟锡过程存在的技术缺陷。 展开更多
关键词 废弃ito玻璃粉末 响应曲面法 优化 草酸 浸出 水解
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LiNbO_(3)/ITO异质结薄膜的制备及光电性质研究
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作者 朱家怡 杜帅 +2 位作者 周鹏飞 郑凡 陈云琳 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第5期819-824,共6页
在200℃下采用磁控溅射方法在玻璃衬底与硅基板上溅射沉积LiNbO_(3)/ITO(LN/ITO)异质结薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计和变温霍尔效应等测试了该薄膜的结构、形貌及光电性质。XRD测试结果表明,相比于... 在200℃下采用磁控溅射方法在玻璃衬底与硅基板上溅射沉积LiNbO_(3)/ITO(LN/ITO)异质结薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计和变温霍尔效应等测试了该薄膜的结构、形貌及光电性质。XRD测试结果表明,相比于ITO/LN,LN/ITO叠层顺序有更优的生长取向和结晶性能。AFM结果显示,200℃下异质结薄膜表面较为平整,鲜少有凸起。通过紫外可见分光光度计透光性能测试,相比于LN单层薄膜,叠层后的异质结薄膜的透光率在可见光范围内有所提高,且退火后异质结薄膜透光性进一步增强。利用变温霍尔效应测试仪研究了LN/ITO异质结的电学性质,测试结果表明LN/ITO异质结薄膜为p型半导体;与LN单层薄膜相比,LN/ITO异质结薄膜的电导率提高了11个数量级。 展开更多
关键词 LN/ito薄膜 异质结 磁控溅射镀膜 透光率 霍尔效应
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基于法布里-珀罗腔产生飞秒激光脉冲串在ITO薄膜表面精密加工
3
作者 李重周 王培尧 +3 位作者 龙明泉 许宇锋 韩若中 贾天卿 《光子学报》 北大核心 2025年第5期33-46,共14页
利用法布里-珀罗腔对飞秒激光进行时域整形,得到输出子脉冲间隔在1~1500 ps内灵活可调的飞秒激光脉冲串,在厚度为185 nm的ITO薄膜上加工出高质量的刻蚀线。实验结果显示,利用飞秒激光脉冲串加工得到的单根刻蚀线在线边沿粗糙度上明显优... 利用法布里-珀罗腔对飞秒激光进行时域整形,得到输出子脉冲间隔在1~1500 ps内灵活可调的飞秒激光脉冲串,在厚度为185 nm的ITO薄膜上加工出高质量的刻蚀线。实验结果显示,利用飞秒激光脉冲串加工得到的单根刻蚀线在线边沿粗糙度上明显优于原始高斯光加工的刻蚀线。利用子脉冲间隔为150 ps、激光能流密度为0.49 J/cm^(2)、扫线速度为0.2 mm/s的脉冲串加工得到的刻蚀线质量较高,线宽度仅有1.45μm(顶部)和0.95μm(底部),线边沿粗糙度仅有9.48 nm。该加工工艺配合平移台,实现了高质量的排线和任意曲线的导线。 展开更多
关键词 激光加工 法布里-珀罗腔 飞秒激光脉冲串 刻蚀线 ito薄膜
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铟锡氢氧化物的煅烧温度对ITO靶材结构性能的影响
4
作者 张倍维 陆映东 +3 位作者 黄作 莫斌 方志杰 黄誓成 《功能材料》 北大核心 2025年第1期1209-1216,共8页
研究发现氧化锡铟(ITO)靶材的致密度受ITO前驱粉体烧结活性影响并取决于其结构和组成。而ITO前驱粉体煅烧温度对于ITO靶材结构及其性质的影响尚未明晰。探究铟锡氢氧化物粉体的煅烧形成ITO粉体过程中,温度对于其粉体的结构以及后续制备... 研究发现氧化锡铟(ITO)靶材的致密度受ITO前驱粉体烧结活性影响并取决于其结构和组成。而ITO前驱粉体煅烧温度对于ITO靶材结构及其性质的影响尚未明晰。探究铟锡氢氧化物粉体的煅烧形成ITO粉体过程中,温度对于其粉体的结构以及后续制备的ITO靶材的烧结致密化的影响。XRD衍射分析表明铟锡氢氧化物的粉末煅烧温度和时间的增加均会导致ITO粉体晶粒尺寸变大;当煅烧温度为750℃时(2 h),ITO粉体有较高的比表面积,高的表面金属含量构成,制备的靶材具有高的相对密度,更低的电阻率,靶材断面结构紧凑,内部气孔相对较少。前驱粉体煅烧温度与ITO靶材的结构-性能关系,揭示了煅烧温度直接影响铟锡氢氧化物粉体的立方晶体的形成,改变了生成的ITO粉体结构(比表面积、表面元素构成、粒度等),影响成型的素胚密度,进而影响ITO靶材的烧结致密性及导电性能。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 温度-结构-性能关系 锡(Sn)掺杂氧化铟(In2O3) ito靶材
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基于多孔ITO电极的WO_(3)薄膜的制备及其电致变色性能
5
作者 杨光 张楠 +3 位作者 陈舒锦 王义 谢安 严育杰 《无机材料学报》 北大核心 2025年第7期781-789,共9页
电致变色智能窗可通过调制电致变色材料的光学透过率来调控室外入射光进而实现节能建筑。由于磁控溅射技术具有大面积和均匀沉积的优势,利用其所制备的非晶三氧化钨(Tungsten Oxide,WO_(3))最有实现商业化的潜力。然而,磁控溅射制备的WO... 电致变色智能窗可通过调制电致变色材料的光学透过率来调控室外入射光进而实现节能建筑。由于磁控溅射技术具有大面积和均匀沉积的优势,利用其所制备的非晶三氧化钨(Tungsten Oxide,WO_(3))最有实现商业化的潜力。然而,磁控溅射制备的WO_(3)薄膜本征致密原子结构导致较低的离子传输效率,因此其电致变色性能远低于溶液法。本研究提出了基于埋层多孔电极制备微结构磁控溅射基WO_(3)薄膜的方法,从而提高材料的光学调制幅度和响应时间。实验结果表明,与致密WO_(3)薄膜相比,通过该方法制备的多孔WO_(3)薄膜展现出显著提升的电致变色性能。当多孔WO_(3)薄膜厚度增加到300 nm时,获得了高达79.08%的光学调制幅度,2.6 s的着色时间和2.0 s的褪色时间,以及高达52.5 cm^(2)/C的着色效率。性能提升主要归因于多孔氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)电极和多孔WO_(3)薄膜的协同作用。多孔ITO电极可增加与WO_(3)组分的接触面积,使更多电荷注入WO_(3)薄膜中,进而促进氧化还原反应过程。此外,多孔WO_(3)薄膜也增加了与电解液的接触面积,随之增加了反应活性位点以及缩短了离子扩散路径,进而加速了离子扩散和迁移过程,实现了高效的氧化还原反应和快速的离子传输。本工作为制备高性能微纳结构磁控溅射电致变色薄膜提供了一种有效的方法。 展开更多
关键词 电致变色 磁控溅射 ito电极 多孔WO_(3)
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Redox-Active Monolayers on ITO Prepared by Post-Amidation and Direct Esterification and Their Spectroelectrochemical Characterization
6
作者 Takamasa Sagara Sae Nakai +1 位作者 Ryusuke Yofu Shota Kojin 《电化学(中英文)》 北大核心 2025年第6期51-63,共13页
A redox-active monolayer on an optically transparent electrode constitutes a typical platform for spectroelectrochemical sensing.The necessity for its sophistication arises from the availability of multi-dimensional s... A redox-active monolayer on an optically transparent electrode constitutes a typical platform for spectroelectrochemical sensing.The necessity for its sophistication arises from the availability of multi-dimensional sensing signals.Simultaneous monitoring of the redox current and color change synchronized with the oxidation state change significantly enhances sen-sitivity and selectivity.This study aimed to elucidate the modification of an indium tin oxide(ITO)electrode with a viologen monolayer with an ordered orientation.Novel methods were developed to immobilize a viologen molecule bearing a car-boxyl group to form assembled monolayers through a condensation reaction using 1-ethyl-3-(3-dimethylaminopropyl)-car-bodiimide with N-hydroxy-succinimide(EDC/NHS).In the two methods of immobilization,one utilizes a two-step process to firstly form an aromatic siloxane base layer and subsequently attach the viologen derivative through an amide linkage by post-amidation.The other employs a direct ester linkage between the hydroxyl groups of the ITO surface and the car-boxyl group of the viologen derivative.The latter method was also applied to immobilize a ferrocenyl group at a very short distance from the ITO surface.Potential-modulated UV-visible transmission absorption spectral measurement techniques with oblique incidence of plane-polarized light were employed to determine the orientation of the longitudinal axis of the reduced form of the viologen.The frequency dependence data of the potential-modulated transmission absorption signals were utilized to analyze the electron transfer kinetics.The performance of the two viologen-modified electrodes was com-pared to that of an ITO modified by post-amidation to the most commonly used base layer prepared with 3-aminopropyl triethoxysilane. 展开更多
关键词 Redox-active monolayer ito electrode Absorption spectroscopy Molecular orientation EDC/NHS
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ITO/AgNWs/ITO薄膜的制备及其性能研究
7
作者 杨涛 陈彩明 +4 位作者 黄瑜佳 吴少平 徐华蕊 汪坤喆 朱归胜 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第7期1150-1159,共10页
随着显示面板向超大尺寸、超高清、可触控的方向发展,单一的氧化铟锡(ITO)薄膜难以满足显示器件越来越高的光电性能要求,因此复合导电薄膜得以发展。本文制备了以二维银纳米线(AgNWs)导电网络嵌入ITO薄膜形成的ITO(222)/AgNWs/ITO(400)... 随着显示面板向超大尺寸、超高清、可触控的方向发展,单一的氧化铟锡(ITO)薄膜难以满足显示器件越来越高的光电性能要求,因此复合导电薄膜得以发展。本文制备了以二维银纳米线(AgNWs)导电网络嵌入ITO薄膜形成的ITO(222)/AgNWs/ITO(400)复合薄膜结构,系统研究了AgNWs添加量和上层ITO薄膜溅射温度对复合薄膜结构与光电性能的影响,AgNWs金属导电网络不仅提升了薄膜的电学性能,还保持了优良的光学性能。结果表明,在旋涂600μL的AgNWs分散液、上层ITO薄膜的溅射温度为175℃时,制备的复合ITO薄膜方阻为7.13Ω/□,在550 nm处透过率为91.52%,且品质因数为57.82×10^(-3)Ω^(-1),实现了超低电阻率和高可见光透过率复合ITO薄膜的制备。 展开更多
关键词 ito薄膜 磁控溅射 AgNWs 导电网络 复合薄膜 光电性能 溅射温度
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模压成型压力对氧化铟锡(ITO)靶材性能影响研究
8
作者 姜峰 谭泽旦 +5 位作者 黄誓成 方志杰 陆映东 覃立仁 王永清 曾纪术 《矿冶工程》 CAS 北大核心 2024年第1期134-137,142,共5页
以化学共沉淀-煅烧法制备的纳米ITO粉体为原料,通过模压、冷等静压成型,采用常压烧结法制备了ITO靶材,研究了模压成型压力对ITO靶材相对密度、电阻率和晶粒尺寸的影响。结果表明,模压成型压力60 MPa且烧结条件适宜时,制得的ITO靶材相对... 以化学共沉淀-煅烧法制备的纳米ITO粉体为原料,通过模压、冷等静压成型,采用常压烧结法制备了ITO靶材,研究了模压成型压力对ITO靶材相对密度、电阻率和晶粒尺寸的影响。结果表明,模压成型压力60 MPa且烧结条件适宜时,制得的ITO靶材相对密度为99.81%、电阻率为1.707×10^(-4)Ω·cm、平均晶粒尺寸为7.62μm。研究结果可为ITO靶材的致密化与大型化生产提供借鉴。 展开更多
关键词 模压成型 氧化铟锡 导电薄膜 靶材 常压烧结 电阻率 致密化
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ITO导电玻璃单颗磨粒切削机理仿真试验研究 被引量:1
9
作者 邱晓龙 孙兴伟 +3 位作者 刘寅 杨赫然 董祉序 张维锋 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2024年第3期354-362,共9页
为研究氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)导电玻璃材料的去除机理,采用单磨粒对材料进行切削仿真,建立了ITO导电玻璃的材料模型,根据加工表面形貌、应力和切削力情况分析了材料去除机理,之后研究了切削参数对切削力和残余应力的影响,并与... 为研究氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)导电玻璃材料的去除机理,采用单磨粒对材料进行切削仿真,建立了ITO导电玻璃的材料模型,根据加工表面形貌、应力和切削力情况分析了材料去除机理,之后研究了切削参数对切削力和残余应力的影响,并与钠钙玻璃进行对比分析。结果表明:在磨粒的切削过程中,材料的去除受ITO薄膜层、玻璃基底和内聚力接触行为的共同影响,会产生分层、通道开裂和层间断裂等失效形式;随着磨粒的进给,切削力在一定范围内波动,且呈现上升、稳定、降低的变化,同时磨粒的切削力与切削速度和切削深度呈正相关;薄膜上残余应力相比玻璃基底,数值更大且波动更剧烈;当切削深度接近ITO薄膜厚度时,薄膜的存在对磨粒切削行为的影响显著。 展开更多
关键词 ito导电玻璃 材料去除机理 切削力 残余应力
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ITO负载单原子钇吸附NO和CO的第一性原理研究
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作者 曹宇 吴海龙 +4 位作者 邱辰 张立志 王泽瑞 钟山 周晓龙 《原子与分子物理学报》 北大核心 2024年第6期39-45,共7页
基于密度泛函理论,对氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)表面负载单原子Y模型的表面性能进行了第一性原理计算.根据表面能计算结果可知,单原子Y最稳定负载位置为空位(H),即确定了ITO负载单原子钇(Single-atom Y supported on ITO,Y/ITO)稳... 基于密度泛函理论,对氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)表面负载单原子Y模型的表面性能进行了第一性原理计算.根据表面能计算结果可知,单原子Y最稳定负载位置为空位(H),即确定了ITO负载单原子钇(Single-atom Y supported on ITO,Y/ITO)稳定模型.对ITO和Y/ITO表面吸附气体分子(NO和CO)模型的吸附性能进行了第一性原理计算.根据对比ITO和Y/ITO表面的吸附能和态密度计算结果可知,单原子钇负载提高了ITO表面的稳定性和吸附性能.根据对比Y/ITO表面吸附NO和CO气体分子的吸附能和态密度计算结果可知,NO和CO气体分子吸附均为自发行为,过程放热.且NO气体分子更容易吸附在Y/ITO表面,即Y/ITO对NO气体分子更敏感. 展开更多
关键词 NO CO 单原子钇 吸附 第一性原理 ito
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基于聚吡咯纳米复合材料功能化的ITO传感器电控吸附溶出伏安法测定水环境中痕量Cr(Ⅵ)
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作者 贾胜彬 司士辉 +2 位作者 陈金华 刘书平 张汶铮 《分析科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期641-647,共7页
基于ITO玻璃较低的背景电流、免打磨预处理等优势,结合还原氧化石墨烯(RGO)与纳米金/聚吡咯纳米复合物(AuNPs/Ppy)的电控吸附能力,构建了一种可代替传统固体(金、玻碳)电极的新型电化学传感器(RGO/AuNPs/Ppy-ITO),用于测定水环境中的痕... 基于ITO玻璃较低的背景电流、免打磨预处理等优势,结合还原氧化石墨烯(RGO)与纳米金/聚吡咯纳米复合物(AuNPs/Ppy)的电控吸附能力,构建了一种可代替传统固体(金、玻碳)电极的新型电化学传感器(RGO/AuNPs/Ppy-ITO),用于测定水环境中的痕量Cr(Ⅵ)。利用修饰电极表面大量含氮结构与正电位下的电控吸附作用,采用差分脉冲溶出伏安法记录Cr(Ⅵ)的还原峰曲线,在经优化的pH、富集电压与时间等条件下,测得Cr(Ⅵ)还原峰电流与检测浓度在1~1500μg/L范围之内线性关系良好,相关系数R^(2)=0.9973,检测限为0.83μg/L。相较于金电极测试结果,不仅解决了金电极表面状态不稳定导致重现性较差的缺点,且具备更高的灵敏度与较低的成本耗材,在对水环境中Cr(Ⅵ)的现场快速、痕量一次性检测方面具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 电化学传感 ito电极 Cr(Ⅵ) 聚吡咯(Ppy)
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双膜层ITO/SiO_(2)薄膜制备及其膜电阻均匀性研究
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作者 朱治坤 陈婉婷 +2 位作者 陈静 朱常青 刘荣梅 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第24期188-196,共9页
目的通过双膜层结构设计制备ITO/SiO_(2)薄膜,研究了靶面磁场强度、镀膜工件移动速度、镀膜功率对ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻均匀性的影响,并研究了优化条件制备的ITO/SiO_(2)薄膜物相、形貌和结构,并通过元素分布分析探讨了SiO_(2)薄膜的... 目的通过双膜层结构设计制备ITO/SiO_(2)薄膜,研究了靶面磁场强度、镀膜工件移动速度、镀膜功率对ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻均匀性的影响,并研究了优化条件制备的ITO/SiO_(2)薄膜物相、形貌和结构,并通过元素分布分析探讨了SiO_(2)薄膜的作用。方法利用磁控溅射法在TN玻璃基板上沉积生成SiO_(2)薄膜,然后再沉积氧化铟锡(ITO)薄膜,制备ITO/SiO_(2)薄膜样品。利用X射线衍射仪(XRD)、ST-21L型薄膜膜电阻测试仪、原子力显微镜(AFM)、透射电镜(TEM)等仪器,研究了靶面磁场强度、镀膜工件移动速度、镀膜功率对ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻均匀性的影响,并研究了优化条件制备的ITO/SiO_(2)薄膜样品的物相结构、表面形貌、截面膜层结构、元素分布与有膜电阻均匀性的关系,探讨了SiO_(2)薄膜结构与晶粒尺寸效应可能发挥的作用。结果(1)磁控溅射优化条件下,磁场强度为780~820 Gs,镀膜工件移动速度为1.2 m/min,镀膜功率为2.5 kW(A21)和3 kW(A23)时,ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻极差最小为10~11Ω/sq,平均值为75~76Ω/sq,ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻的均匀性最好。(2)ITO/SiO_(2)薄膜表现出晶体谱线和非晶谱线的叠加,In_(2)O_(3)和SnO_(2)特征峰发生轻微左偏移现象,SiO_(2)特征峰较宽,说明薄膜中的SiO_(2)处于非晶态结构,且可能部分发生晶粒尺寸效应,以微晶或纳米晶的形式存在。(3)ITO/SiO_(2)薄膜表面形貌比起SiO_(2)薄膜更均匀、连续、平滑且较致密,且具有明显的双膜层结构,其中ITO薄膜表面均匀平整且膜厚均匀,这与膜电阻均匀性一致;SiO_(2)薄膜与ITO薄膜和玻璃基底都形成了界面层,应该也是ITO薄膜结合力较好的原因;In元素的流失受到一定阻隔,应该与薄膜中的SiO_(2)的非晶态结构或发生晶粒尺寸效应,以及多晶ITO结构有关。结论通过优化控制靶面磁场强度、镀膜工件移动速度和镀膜功率等工艺因素,可以提高ITO/SiO_(2)薄膜膜电阻均匀性,同时通过控制SiO_(2)薄膜成膜质量可以改善ITO薄膜质量,并起到阻隔In元素流失的作用。 展开更多
关键词 磁控溅射法 ito/SiO_(2)双膜层 微观结构 膜电阻均匀性
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基于ITO的Co-ZnO电极的制备及对邻苯二酚的检测评价
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作者 马寅 杨意 +3 位作者 吴青华 缪楚宇 武莹 李宇春 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期206-211,217,共7页
采用分布电沉积法在ITO导电玻璃表面制备Co-ZnO电极传感器,并将其用于邻苯二酚的分析检测。利用SEM、EDS和XRD对制备的Co-ZnO电极进行表面形貌、元素组成和晶体结构分析,并利用循环伏安法和计时电流法对其进行电化学分析。结果表明,Co-... 采用分布电沉积法在ITO导电玻璃表面制备Co-ZnO电极传感器,并将其用于邻苯二酚的分析检测。利用SEM、EDS和XRD对制备的Co-ZnO电极进行表面形貌、元素组成和晶体结构分析,并利用循环伏安法和计时电流法对其进行电化学分析。结果表明,Co-ZnO电极对邻苯二酚具有非常明显的电催化活性,通过测试分析得到其线性范围为0.01~10 mmol/L、灵敏度为1429.67 mA/(mM·cm^(2))、检出限为0.87μmol/L。通过干扰试验可知,Co-ZnO电极对其有良好的选择性,且电极的重现性良好。 展开更多
关键词 邻苯二酚 ito导电玻璃 Co-ZnO电极 电沉积
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ITO靶材烧结用垫片自动磨床设计研究
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作者 赖玉活 陈荣智 +1 位作者 林伟健 黄应欢 《制造技术与机床》 北大核心 2024年第8期105-112,共8页
针对ITO靶材烧结用垫片生产成本高、效率低、质量差的难题,设计了一款加工该垫片的自动磨床。通过研究其功能需求,确定磨削方式,进行了总体、机构设计。结构设计通过集成创新方式设计了新颖的分料、上料、磨削、下料、砂轮修整、除尘、... 针对ITO靶材烧结用垫片生产成本高、效率低、质量差的难题,设计了一款加工该垫片的自动磨床。通过研究其功能需求,确定磨削方式,进行了总体、机构设计。结构设计通过集成创新方式设计了新颖的分料、上料、磨削、下料、砂轮修整、除尘、清洁及安全等机构,并对其进行可靠性计算及实验验证。该自动磨床设计巧妙,结构简单,安全高效,实现了垫片自动化加工,已应用于生产中,效果显著。 展开更多
关键词 ito靶材 自动磨床 结构设计 可靠性分析
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ITO法和判别函数法在同胞关系鉴定中的应用 被引量:55
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作者 陆惠玲 周科伟 +2 位作者 吕德坚 姚亚楠 章雅清 《法医学杂志》 CAS CSCD 2009年第2期118-122,共5页
目的探讨ITO法和判别函数法在全同胞、半同胞关系鉴定中的应用价值。方法根据500对全同胞、50对半同胞及500对无关个体的15个STR基因座(PowerPlexTM16体系)的分型结果,采用ITO法分别计算全同胞关系指数(FSI)、半同胞关系指数(HSI)及其比... 目的探讨ITO法和判别函数法在全同胞、半同胞关系鉴定中的应用价值。方法根据500对全同胞、50对半同胞及500对无关个体的15个STR基因座(PowerPlexTM16体系)的分型结果,采用ITO法分别计算全同胞关系指数(FSI)、半同胞关系指数(HSI)及其比值(FSI∶HSI)。比较三组配对个体的等位基因匹配情况,计算分型结果全不同的基因座数(x0)、半相同的基因座数(x1)和完全相同的基因座数(x2),利用SPSS13.0分析软件建立全同胞、半同胞和无关个体的判别函数。结果(1)以FSI≥19、FSI<1作为全同胞与无关个体的判别标准,交互准确率为96.4%;以HSI≥19、HSI<1作为半同胞与无关个体的判别标准,交互准确率为85.3%;以FSI∶HSI≥1、FSI∶HSI<1作为全同胞与半同胞的判别标准,交互准确率为87.5%。(2)分别建立了全同胞-半同胞-无关个体、全同胞-无关个体、半同胞-无关个体、全同胞-半同胞4组判别函数,判别函数交互准确率为84.4%~97.7%,其中同胞-无关个体判别准确率最高。结论ITO法与判别函数法在全同胞、半同胞鉴定中均具有较高的应用价值。 展开更多
关键词 法医遗传学 同胞关系 短串联重复序列 判别分析 ito
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ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究 被引量:20
16
作者 马颖 张方辉 +2 位作者 靳宝安 牟强 袁桃利 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第5期376-379,共4页
以氯化铟和氯化锡为前驱物,采用溶胶 凝胶法在玻璃基片上制备了ITO薄膜。研究了掺锡浓度、热处理温度和热处理时间等工艺条件对ITO薄膜光电特性的影响。制备的ITO薄膜的方阻为300Ω/□,可见光平均透过率为80%,电阻率为4×10-3Ω... 以氯化铟和氯化锡为前驱物,采用溶胶 凝胶法在玻璃基片上制备了ITO薄膜。研究了掺锡浓度、热处理温度和热处理时间等工艺条件对ITO薄膜光电特性的影响。制备的ITO薄膜的方阻为300Ω/□,可见光平均透过率为80%,电阻率为4×10-3Ω·cm,其光电特性已达到了TN LCD透明电极的要求。 展开更多
关键词 ito薄膜 溶胶-凝胶法 透光率 液晶显示器 热处理 光电特性
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ITO薄膜的微结构表征及其组分特性 被引量:24
17
作者 蔡琪 曹春斌 +2 位作者 江锡顺 宋学萍 孙兆奇 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期195-199,共5页
用直流磁控溅射法制备了氧铟锡(ITO)薄膜。采用XRD、TEM、XPS对薄膜的微结构和化学组分进行了测试分析。分析结果表明:制备的薄膜中,Sn元素已固溶到In2O3晶格形成了多晶ITO。延长退火时间,薄膜的结晶度增加,SnO被氧化为SnO2并逐渐达到饱... 用直流磁控溅射法制备了氧铟锡(ITO)薄膜。采用XRD、TEM、XPS对薄膜的微结构和化学组分进行了测试分析。分析结果表明:制备的薄膜中,Sn元素已固溶到In2O3晶格形成了多晶ITO。延长退火时间,薄膜的结晶度增加,SnO被氧化为SnO2并逐渐达到饱和,薄膜表面先失氧后附氧,膜中氧空位含量先增加后减少。退火1h后,薄膜具有最低电阻率(6×10-4Ω.cm)和高可见光平均透射率(93.2%)。 展开更多
关键词 ito薄膜 直流磁控溅射 微结构 组分
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透光导电ITO膜的制备及其光电特性的研究 被引量:16
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作者 周引穗 王俊 +4 位作者 杨晓东 董庆彦 高爱华 胡晓云 陆治国 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1077-1080,共4页
采用溶胶 凝胶方法制备ITO膜 ,并从制备工艺上研究了各种因素对ITO膜光电特性的影响 最后制出的ITO膜厚度约为 5 0nm ,在可见光区平均透射比达 97% ,最高达 99.5 5 % ,电阻率在 2 .0Ω·cm左右 ,最低达到 0 .
关键词 制备 ito 溶胶-凝胶 光电特性 掺锡氧化铟膜 透光导电膜
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两种方法制备ITO薄膜的红外特性分析 被引量:14
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作者 周平 黄昱勇 +3 位作者 林宇翔 李海峰 刘旭 顾培夫 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期985-988,共4页
比较了用电束加热蒸发法和直流磁控溅射法制备的氧化锡铟 (ITO)薄膜在红外波段的光学特性 实验发现 ,通过直流磁控溅射在常温下制备的ITO薄膜在红外波段折射率稳定、消光系数小 ,比电子束加热蒸发制备的膜有较高的透过率 在波长 1 5 5... 比较了用电束加热蒸发法和直流磁控溅射法制备的氧化锡铟 (ITO)薄膜在红外波段的光学特性 实验发现 ,通过直流磁控溅射在常温下制备的ITO薄膜在红外波段折射率稳定、消光系数小 ,比电子束加热蒸发制备的膜有较高的透过率 在波长 1 5 5 0nm附近的透过率可达 86%以上 ,消光系数约为 0 0 4 ,方电阻最低为 1 0 0Ω/□ . 展开更多
关键词 红外特性 ito薄膜 光学特性 磁控溅射 电子束加热蒸发 氧化锡铟薄膜 制备方法
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ITO玻璃光刻工艺的研究 被引量:14
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作者 张麦丽 王秀峰 +1 位作者 牟强 张方辉 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期22-26,共5页
将光刻胶涂敷在带有 ITO薄膜的玻璃表面上,利用紫外光对其进行光刻,通过金相显微镜观察刻蚀后的 ITO表面形貌,定性地讨论各个工艺的不同对刻蚀后的电极的影响,得到最佳清洗工艺为:洗涤剂棉球擦洗,然后分别用丙酮、蒸馏水超声清洗两次,烘... 将光刻胶涂敷在带有 ITO薄膜的玻璃表面上,利用紫外光对其进行光刻,通过金相显微镜观察刻蚀后的 ITO表面形貌,定性地讨论各个工艺的不同对刻蚀后的电极的影响,得到最佳清洗工艺为:洗涤剂棉球擦洗,然后分别用丙酮、蒸馏水超声清洗两次,烘干;对于正性光刻胶RZJ 390PG,最佳实验效果的曝光时间为5 min;最佳显影时间为 2 min;最佳刻蚀时间为6 min,为OLED得到精细阳极奠定了基础。 展开更多
关键词 ito 光刻 曝光时间 显影时间 刻蚀时间
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