基于自主开发的600 V/30 A IGBT芯片研制了一款高性能智能功率模块(IPM)。该IPM采用引线框架、印制电路板(PCB)和直接覆铜(DBC)结构技术方案,对焊接和注塑封装工艺进行了优化,并对模块的热性能进行了计算。与三菱公司IPM在常温快速启停...基于自主开发的600 V/30 A IGBT芯片研制了一款高性能智能功率模块(IPM)。该IPM采用引线框架、印制电路板(PCB)和直接覆铜(DBC)结构技术方案,对焊接和注塑封装工艺进行了优化,并对模块的热性能进行了计算。与三菱公司IPM在常温快速启停、高温空载快速启停、温升方面进行了对比试验分析。测试结果表明,采用自主开发IGBT芯片的IPM完全满足应用需求。该IPM在常温快速启停试验运行50 min后进行保护,保护时间比三菱公司IPM略长;在高温空载快速启停和温升方面,该IPM与三菱公司IPM无明显差异;在高温空载快速启停试验中,稳态下该IPM驱动器最高温度为105℃;温升试验中,采用该IPM驱动电机,电机温升为56℃。展开更多
文摘基于自主开发的600 V/30 A IGBT芯片研制了一款高性能智能功率模块(IPM)。该IPM采用引线框架、印制电路板(PCB)和直接覆铜(DBC)结构技术方案,对焊接和注塑封装工艺进行了优化,并对模块的热性能进行了计算。与三菱公司IPM在常温快速启停、高温空载快速启停、温升方面进行了对比试验分析。测试结果表明,采用自主开发IGBT芯片的IPM完全满足应用需求。该IPM在常温快速启停试验运行50 min后进行保护,保护时间比三菱公司IPM略长;在高温空载快速启停和温升方面,该IPM与三菱公司IPM无明显差异;在高温空载快速启停试验中,稳态下该IPM驱动器最高温度为105℃;温升试验中,采用该IPM驱动电机,电机温升为56℃。
