期刊文献+
共找到117篇文章
< 1 2 6 >
每页显示 20 50 100
基于iNNE+SGPR的风电机组偏航静态误差软测量研究
1
作者 郭东杰 贾成真 +4 位作者 张治 刘玉山 王灵梅 周志鹏 石娟娟 《智慧电力》 北大核心 2025年第11期81-90,共10页
针对现有软测量方法在异常点检测上计算效率低、传统数理统计方法精度不足问题,提出一种基于最近邻距离的孤立异常检测(iNNE)和稀疏高斯回归分析(SGPR)的风电机组静态偏航误差软测量方法。首先,采用条件判断与iNNE算法对不同地形风电场... 针对现有软测量方法在异常点检测上计算效率低、传统数理统计方法精度不足问题,提出一种基于最近邻距离的孤立异常检测(iNNE)和稀疏高斯回归分析(SGPR)的风电机组静态偏航误差软测量方法。首先,采用条件判断与iNNE算法对不同地形风电场的历史运行数据进行预处理;其次,基于完全独立训练条件(FITC)假设构建SGPR模型,结合箱线图分析方法建立偏航误差角的软测量模型,并提出准确性、稳定性与可靠性3类评价指标,将其与现有机器学习方法及激光雷达实测结果进行对比和分析;最后,对5 MW风电机组年发电量(AEP)进行估算。测试结果表明,所提机器学习软测量方法能够更准确地估计偏航误差,经误差补偿后可有效提升机组年发电量。 展开更多
关键词 偏航静态误差 机器学习 innE SGPR 箱型图 软测量
在线阅读 下载PDF
极性、半极性和非极性InN薄膜的MOCVD外延生长与表征
2
作者 赵见国 殷瑞 +7 位作者 徐儒 倪海彬 陶涛 庄喆 严羽 谢自力 刘斌 常建华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期204-210,共7页
利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同晶面的蓝宝石(Al2O3)衬底上实现了极性(0002)面、半极性(11-22)面和非极性(11-20)面InN薄膜的外延生长,并通过多种表征手段对三个不同极性面InN薄膜的结构和光学特性进行了系统研究。... 利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同晶面的蓝宝石(Al2O3)衬底上实现了极性(0002)面、半极性(11-22)面和非极性(11-20)面InN薄膜的外延生长,并通过多种表征手段对三个不同极性面InN薄膜的结构和光学特性进行了系统研究。X射线衍射(XRD)曲线展示了(0002)、(11-22)和(11-20)面InN较强的衍射峰,表明InN薄膜具有较高的成膜质量。通过扫描电子显微镜(SEM)表面图发现,极性(0002)面InN的表面形貌较光滑,而半极性和非极性InN表面均存在未完全合并的孔洞。光致发光(PL)光谱展示,不同极性面InN的峰值能量在0.63 eV附近,并从极性、半极性到非极性逐渐红移。此外,可见-红外分光光度计测得的透射谱显示,极性(0002)面InN的吸收边约为0.85 eV,而半极性(11-22)面和非极性(11-20)面InN的吸收边约为0.78 eV,表明极性InN具有更大的斯托克斯位移。 展开更多
关键词 半极性面 非极性面 inn薄膜 外延生长
在线阅读 下载PDF
InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱(英文) 被引量:3
3
作者 陈志忠 秦志新 +3 位作者 杨志坚 童玉珍 丁晓民 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期38-42,共5页
我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层。用X射线衍射 (XRD) ,光致发光谱(PL) ,光吸收谱等测量手段 ,研究了InGaN的辐射发光机制。In组分利用Vegard定理和XRD测量得到。我们发现随着In组分的增加 ,在光吸收谱上发现吸收边... 我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层。用X射线衍射 (XRD) ,光致发光谱(PL) ,光吸收谱等测量手段 ,研究了InGaN的辐射发光机制。In组分利用Vegard定理和XRD测量得到。我们发现随着In组分的增加 ,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾 ;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导 ,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽。我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构 ,从而影响了光学吸收特性。而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源。 展开更多
关键词 INGAN inn分凝 inn量子点 光致发光
在线阅读 下载PDF
InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱
4
作者 陈志忠 秦志新 +3 位作者 杨志坚 童玉珍 丁晓民 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期38-42,共5页
我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层.用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),光吸收谱等测量手段,研究了InGaN的辐射发光机制.In组分利用Vegard定理和XRD测量得到.我们发现随着In组分的增加,在光吸收谱上发现吸收边的红移和... 我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层.用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),光吸收谱等测量手段,研究了InGaN的辐射发光机制.In组分利用Vegard定理和XRD测量得到.我们发现随着In组分的增加,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽.我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构,从而影响了光学吸收特性.而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源. 展开更多
关键词 INGAN inn分凝 inn量子点 光致发光
在线阅读 下载PDF
InN和GaN系衬底材料的研究和发展 被引量:2
5
作者 徐军 周圣明 +5 位作者 杨卫桥 夏长泰 彭观良 蒋成勇 周国清 邓佩珍 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第F01期386-390,共5页
InN和GaN是宽禁带半导体中最重要的光电子材料,但现在还存在一些技术上的困难阻碍了它们的研究进展,其中一个重要的问题就是缺少合适的衬底材料。虽然现在对衬底材料的要求相对降低了,但为了生长出高质量的外延薄膜,选择合适的衬底材料... InN和GaN是宽禁带半导体中最重要的光电子材料,但现在还存在一些技术上的困难阻碍了它们的研究进展,其中一个重要的问题就是缺少合适的衬底材料。虽然现在对衬底材料的要求相对降低了,但为了生长出高质量的外延薄膜,选择合适的衬底材料还是非常必要。本文针对目前使用的InN外延衬底材料分别进行了讨论,评价了它们的优缺点,指出目前实用的InN衬底材料是有限的,应用最多的还是蓝宝石衬底和MgAl2O4晶体,且MgAl2O4晶体比蓝宝石晶体更有前景。 展开更多
关键词 inn GAN 宽禁带半导体 衬底 光电子材料
在线阅读 下载PDF
InN材料及器件的最新研究进展 被引量:1
6
作者 丁少锋 范广涵 +2 位作者 李述体 郑树文 陈琨 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期16-20,共5页
InN材料是性能优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,在光电子领域有着非常重要的应用价值,由此成为最近国际国内研究的热点。就InN材料的制备方法、p型掺杂、电学特性、光学特性、器件的研究应用以及国内研究的最新进展进行了综述。
关键词 inn 特性 应用 进展
在线阅读 下载PDF
在c面蓝宝石上生长的InN外延薄膜中位错与极性的TEM研究 被引量:3
7
作者 卢朝靖 李金华 段晓峰 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期95-96,共2页
关键词 分子束外延生长 外延薄膜 穿透位错 inn TEM 蓝宝石 极性 GAN薄膜
在线阅读 下载PDF
在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN 被引量:1
8
作者 谢自力 张荣 +11 位作者 修向前 毕朝霞 刘斌 濮林 陈敦军 韩平 顾书林 江若琏 朱顺明 赵红 施毅 郑有炓 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1050-1055,共6页
利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)系统,在(0001)蓝宝石衬底上采用预淀积In纳米点技术低温合成制备了立方相的InN薄膜。首先以TM In作源在蓝宝石衬底表面预淀积了一层金属In纳米点,然后在一定条件下合成生长InN薄膜。X射线衍射谱(... 利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)系统,在(0001)蓝宝石衬底上采用预淀积In纳米点技术低温合成制备了立方相的InN薄膜。首先以TM In作源在蓝宝石衬底表面预淀积了一层金属In纳米点,然后在一定条件下合成生长InN薄膜。X射线衍射谱(XRD)和X射线光电子发射谱(XPS)显示适当的预淀积In不仅能够促进InN的生长,同时还能够抑制金属In在InN薄膜中的聚集。原子力显微镜(AFM)观察表明,金属In纳米点不仅增强了成核密度,而且促进了InN岛的兼并。自由能计算表明预淀积的In优先和NH3分解得到的NH与N基反应生成InN。我们认为这种优先生成的InN为接下来InN的生长提供了成核位,从而促进了InN的生长。 展开更多
关键词 inn 预淀积In纳米点 MOCVD
在线阅读 下载PDF
影响InN材料带隙的几个关键问题 被引量:2
9
作者 董少光 李炳乾 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第15期82-87,共6页
确定了InN材料的带隙值并研究了影响InN材料带隙变化的导带电学结构和几个关键因素,以解释当前用不同方法生长不同质量的InN材料时出现的各种不同带隙值。用光致发光、光吸收和光调制反射方法测量确定InN材料的带隙值约为0.7eV;探讨了In... 确定了InN材料的带隙值并研究了影响InN材料带隙变化的导带电学结构和几个关键因素,以解释当前用不同方法生长不同质量的InN材料时出现的各种不同带隙值。用光致发光、光吸收和光调制反射方法测量确定InN材料的带隙值约为0.7eV;探讨了InN材料带隙与温度的函数关系,并分析了影响InN材料带隙的导带电学结构和有关因素。影响InN材料带隙的主要因素有Moss-Burstein效应、深能级俘获现象以及N∶In化学计量比等,得出在不同质量样品和不同生长条件下,3种因素均影响InN材料的带隙值,但所起的作用却不尽相同。 展开更多
关键词 inn材料 带隙 Moss-Burstein效应 深能级 化学计量
在线阅读 下载PDF
MOCVD生长的InGaN薄膜中InN分凝的研究(英文)
10
作者 秦志新 陈志忠 +2 位作者 童玉珍 陆曙 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期43-47,共5页
利用X射线衍射 (XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量。利用Vegard定理和XRD 2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为 0 1~ 0 34。通过测量XRD摇摆曲线的InN( 0 0 0 2 )和InGaN( 0 0 0 2 )的积分强度之比测得InN在InGaN... 利用X射线衍射 (XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量。利用Vegard定理和XRD 2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为 0 1~ 0 34。通过测量XRD摇摆曲线的InN( 0 0 0 2 )和InGaN( 0 0 0 2 )的积分强度之比测得InN在InGaN中的含量为 0 0 6 84 %~ 2 6 396 %。根据XRD理论 ,计算出InN和InGaN的理论衍射强度。InN含量在所有样品中均小于 3% ,这表明样品的相分离度比较低。还发现InN在InGaN薄膜中的含量与氮气载气流量和反应室气压明显相关。 展开更多
关键词 INGAN inn分凝 MOCVD
在线阅读 下载PDF
MOCVD生长的InGaN薄膜中InN分凝的研究
11
作者 秦志新 陈志忠 +2 位作者 童玉珍 陆曙 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期43-47,共5页
利用X射线衍射(XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量.利用Vegard定理和XRD2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为0.1~0.34.通过测量XRD摇摆曲线的InN(0002)和InGaN(0002)的积分强度之比测得InN在InGaN中的含量为0.0684%~... 利用X射线衍射(XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量.利用Vegard定理和XRD2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为0.1~0.34.通过测量XRD摇摆曲线的InN(0002)和InGaN(0002)的积分强度之比测得InN在InGaN中的含量为0.0684%~2.6396%.根据XRD理论,计算出InN和InGaN的理论衍射强度.InN含量在所有样品中均小于3%,这表明样品的相分离度比较低.还发现InN在InGaN薄膜中的含量与氮气载气流量和反应室气压明显相关. 展开更多
关键词 INGAN inn分凝 MOCVD
在线阅读 下载PDF
表面缺陷对氧在InN(0001)上吸附的第一原理研究
12
作者 赵玉岭 贾英宾 戴宪起 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期66-68,共3页
研究了氧在InN(0001)面的吸附结构.结果表明,吸附能随着氧覆盖度的增加而减小,0.25 MLs氧吸附在InN(0001)-(2×2)衬底上的H3位是最稳定的吸附结构.对不同的表面缺陷,氧占据氮位比较稳定.氧的掺入很可能是造成InN的高载流子浓度和带... 研究了氧在InN(0001)面的吸附结构.结果表明,吸附能随着氧覆盖度的增加而减小,0.25 MLs氧吸附在InN(0001)-(2×2)衬底上的H3位是最稳定的吸附结构.对不同的表面缺陷,氧占据氮位比较稳定.氧的掺入很可能是造成InN的高载流子浓度和带隙变化的重要原因. 展开更多
关键词 氧吸附 第一性原理 inn 形成能
在线阅读 下载PDF
S钝化InN(001)面第一性原理研究
13
作者 戴宪起 韦俊红 田勋康 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期154-154,共1页
关键词 钝化 inn 第一原理 吸附能
在线阅读 下载PDF
InN纳米材料发光的蓝移研究
14
作者 王培南 杨炜东 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期565-566,共2页
关键词 inn 纳材料 发光 蓝移 氮化铟 半导体材料
在线阅读 下载PDF
Internet新闻服务器INN的配置技术
15
作者 邱保志 李向丽 《计算机应用研究》 CSCD 1999年第1期43-46,共4页
本文在介绍工作原理的基础上,详细地讨论了INN电子新闻系统的安装配置技术和调试方法。
关键词 新闻服务器 inn INTERNET网 NNTP协议
在线阅读 下载PDF
簇合物(I_2InN_3)_n(n=1~4)的结构和稳定性的理论研究(英文)
16
作者 李宝惠 张旭 夏其英 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期386-394,共9页
为寻求单一源前驱体,采用密度泛函理论DFT-B3LYP方法系统研究新的第IIIA主族叠氮簇合物的结构与性质关系.结果表明,簇合物(I2InN3)n(n=2~4)的优化构型均为由不同子体系的叠氮基α-N和In原子相连形成的环状结构,叠氮基以直线型存在.研... 为寻求单一源前驱体,采用密度泛函理论DFT-B3LYP方法系统研究新的第IIIA主族叠氮簇合物的结构与性质关系.结果表明,簇合物(I2InN3)n(n=2~4)的优化构型均为由不同子体系的叠氮基α-N和In原子相连形成的环状结构,叠氮基以直线型存在.研究了几何参数随聚合度的变化趋势,并对计算获得的IR谱进行归属.能量和聚合焓均揭示簇合物的稳定性次序为3A>3B和4B>4C>4A>4D.簇合物(I2InN3)n(n=1~4)的热力学函数随温度升高和聚合度n增大而増加.热力学分析表明聚合反应在温度高达500K均可自发进行. 展开更多
关键词 (I2inn3)n(n=1~4) 密度泛函理论 结构 IR谱 热力学性质
在线阅读 下载PDF
三元层状氮化物Ti2InN材料的合成及电学性质研究
17
作者 宋丽红 慕利斌 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第12期1225-1228,共4页
以TiN,In粉,Ti粉为原料,用封管烧结方法合成了Ti_(2)InN多晶块体材料。用X射线衍射和扫描电镜表征物相和微观结构,并测试了Ti_(2)InN样品电阻率随温度的变化。结果表明:Ti_(2)InN样品表现为单相,呈良好的层状结构,化学组成与理论成分基... 以TiN,In粉,Ti粉为原料,用封管烧结方法合成了Ti_(2)InN多晶块体材料。用X射线衍射和扫描电镜表征物相和微观结构,并测试了Ti_(2)InN样品电阻率随温度的变化。结果表明:Ti_(2)InN样品表现为单相,呈良好的层状结构,化学组成与理论成分基本一致,电阻率随温度从300到5 K逐渐降低,5 K以上没有发现超导特性。 展开更多
关键词 层状结构氮化物 Ti2inn M2AX Mn+1AXn
在线阅读 下载PDF
磁控溅射法制备InN薄膜的可控生长及表征 被引量:4
18
作者 王箫扬 张雄 +4 位作者 杨延宁 贺琳 张富春 张水利 李小敏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期1123-1127,共5页
为了开发氮化铟(InN)半导体材料在光电子领域的应用,采用磁控溅射法在Si(111)衬底上实现了InN薄膜的制备。通过X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对获得的InN薄膜样品进行表征,系统地研究了压强、Ar和N2流量比及衬底温度对InN薄膜结构、... 为了开发氮化铟(InN)半导体材料在光电子领域的应用,采用磁控溅射法在Si(111)衬底上实现了InN薄膜的制备。通过X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对获得的InN薄膜样品进行表征,系统地研究了压强、Ar和N2流量比及衬底温度对InN薄膜结构、形貌的影响。结果表明:随着压强的增加,(101)峰的强度先增加后减小,晶面距离d先变小后变大且均获得三角锥形的InN薄膜;随着Ar与N2流量比的增加,InN薄膜的生长取向由沿(101)面变为沿(002)面生长且均获得三角锥状的InN晶粒;随着衬底温度的升高,InN薄膜的生长取向发生了变化且形貌逐渐由三角锥状向截面为六方的颗粒状结构转化。 展开更多
关键词 inn薄膜 磁控溅射 压强 流量比 衬底温度
在线阅读 下载PDF
半导体氮化铟(InN)的晶格振动 被引量:5
19
作者 钱志刚 沈文忠 +1 位作者 小川博司 郭其新 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2003年第3期257-283,共27页
 本文总结了新型半导体InN薄膜晶格振动研究的现状,主要为Raman散射光谱及部分红外光谱的研究结果。重点内容为InN(包括六方纤锌矿结构和立方闪锌矿结构)的布里渊区中心(Γ点)声子结构、电子激发态(等离子激元)与纵光学声子耦合、无序...  本文总结了新型半导体InN薄膜晶格振动研究的现状,主要为Raman散射光谱及部分红外光谱的研究结果。重点内容为InN(包括六方纤锌矿结构和立方闪锌矿结构)的布里渊区中心(Γ点)声子结构、电子激发态(等离子激元)与纵光学声子耦合、无序化激发模和晶格振动模的温度、应力效应等,也涉及部分和InN有关的氮化物合金以及超晶格、量子阱和量子点等结构的晶格振动研究。同时对相关材料和结构的Raman光谱研究作了一些展望。 展开更多
关键词 半导体 氮化铟 薄膜 晶格振动 inn Raman散射光谱 红外光谱 量子阱 量子点 超晶格
在线阅读 下载PDF
HCVD方法中生长温度和氨气流量对InN晶体结构和形貌的影响 被引量:1
20
作者 张哲 于斌 +4 位作者 李天保 余春燕 贾伟 郭俊杰 许并社 《太原理工大学学报》 CAS 北大核心 2020年第6期789-793,共5页
实验以升华温度较低的三氯化铟(InCl3)为铟源,通过自制的卤化物化学气相沉积(HCVD)装置扩大了Ⅲ、Ⅴ族源共混生长区域,实现了InN在Si(111)衬底上的生长。探讨了生长温度与氨气流量对InN结构和形貌的影响。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电... 实验以升华温度较低的三氯化铟(InCl3)为铟源,通过自制的卤化物化学气相沉积(HCVD)装置扩大了Ⅲ、Ⅴ族源共混生长区域,实现了InN在Si(111)衬底上的生长。探讨了生长温度与氨气流量对InN结构和形貌的影响。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对InN的晶体结构、形貌和元素组成进行表征。分析结果表明:固定NH3流量,随着生长温度的升高,InN形貌由分离的薄片状转变为交织的圆饼状,其中非极性(100)晶面取向性增强,晶体质量得到改善;保持生长温度恒定,增加氨气流量,InN形态由圆饼状转变为垂直的柱状,晶体取向从由非极性面(100)为主向极性(002)面为主的趋势转变。本实验研究对InN纳米材料的可控生长具有指导作用。 展开更多
关键词 inn INCL3 HCVD 取向 XRD
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 6 下一页 到第
使用帮助 返回顶部