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InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器
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作者 金峰 孙可 +5 位作者 俞谦 王健华 李德杰 蔡丽红 黄绮 周钧铭 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1997年第6期24-26,共3页
在国内首次设计并制作了脊波导结构的In(0.53)Ga(0.47)As/In(0.52)Al(0.48)AS多量子阱电吸收型光调制器,并对它的工作特性进行了测试。在3.0V的驱动电压下实现了20dB以上的消光比,光3dB带宽达到了3GHz。对限制光调制器带宽的主要原... 在国内首次设计并制作了脊波导结构的In(0.53)Ga(0.47)As/In(0.52)Al(0.48)AS多量子阱电吸收型光调制器,并对它的工作特性进行了测试。在3.0V的驱动电压下实现了20dB以上的消光比,光3dB带宽达到了3GHz。对限制光调制器带宽的主要原因进行了分析,结果表明器件电容限制了带宽的提高,这主要是由于SiO2刻蚀液的钻蚀导致SiO2绝缘层厚度减小造成的。改进制作工艺可望大大改善调制器的工作带宽。 展开更多
关键词 光调制器 电吸收 多量子阱 ingaas/inalas
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低温InGaAs/InAlAs多量子阱的分子束外延生长与表征 被引量:1
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作者 万文坚 尹嵘 +3 位作者 韩英军 王丰 郭旭光 曹俊诚 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1523-1526,共4页
采用气源分子束外延(GSMBE)生长了低温InGaAs材料,研究了生长温度及As压对InGaAs材料性质的影响,得到优化的生长条件为:生长温度为300℃、As压为77.3kPa。通过Be掺杂,并采用In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As多量子阱结构,将材料的方块电... 采用气源分子束外延(GSMBE)生长了低温InGaAs材料,研究了生长温度及As压对InGaAs材料性质的影响,得到优化的生长条件为:生长温度为300℃、As压为77.3kPa。通过Be掺杂,并采用In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As多量子阱结构,将材料的方块电阻提高到1.632×106Ω/Sq,载流子数密度降低至1.058×1014 cm-3。X射线衍射结果表明:InGaAs多量子阱材料具有较高的晶体质量。这种Be掺杂InGaAs多量子阱材料缺陷密度大且电阻率高,是制作太赫兹光电导天线较理想的基质材料。 展开更多
关键词 低温ingaas ingaas inalas 多量子阱 分子束外延
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电流增益截止频率为441 GHz的InGaAs/InAlAs InP HEMT
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作者 封瑞泽 曹书睿 +4 位作者 冯识谕 周福贵 刘同 苏永波 金智 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期329-333,共5页
本文设计并制作了fT>400 GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT)。采用窄栅槽技术优化了寄生电阻。器件栅长为54.4 nm,栅宽为2×50μm。最大漏极电流IDS.max为957 mA/mm,最大跨导gm.... 本文设计并制作了fT>400 GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT)。采用窄栅槽技术优化了寄生电阻。器件栅长为54.4 nm,栅宽为2×50μm。最大漏极电流IDS.max为957 mA/mm,最大跨导gm.max为1265 mS/mm。即使在相对较小的VDS=0.7 V下,电流增益截止频率fT达到了441 GHz,最大振荡频率fmax达到了299 GHz。该器件可应用于太赫兹单片集成放大器和其他电路中。 展开更多
关键词 铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMTs) ingaas/inalas 电流增益截止频率(f_(T)) 最大振荡频率(f_(max)) 栅槽
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掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究 被引量:1
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作者 仇志军 桂永胜 +6 位作者 崔利杰 曾一平 黄志明 疏小舟 戴宁 郭少令 禇君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期329-332,共4页
利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气 ,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置 ,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为 4meV。此外 ,通过迁移率... 利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气 ,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置 ,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为 4meV。此外 ,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系 . 展开更多
关键词 单量子阱 二维电子气 输运 迁移率 载流子 拍频现象 掺杂 电子对 对称 能级
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InGaAs/InAlAs量子级联激光器研究 被引量:1
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作者 张权生 刘峰奇 +3 位作者 张永照 王占国 Honghai Gao A.Krier 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期41-43,共3页
简要报道了自行研制的 In Ga As/ In Al As量子级联激光器的制备及其主要特性 .该器件具有增强型脊型波导结构 ,在 80 K时阈值电流为 0 .5 A,相应的阈值电流密度为 5 KA/ cm2 .
关键词 量子级联 激光器 制备 V-I特性 光功率/电流特性 发光特性 ingaas inalas 半导体激光器
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采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性(英文) 被引量:3
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作者 顾溢 王凯 +3 位作者 李成 方祥 曹远迎 张永刚 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期481-485,共5页
利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表明,具有InxGa1-xAs... 利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表明,具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs缓冲层的结构都能获得较平整的表面;具有InxGa1-xAs缓冲层的探测器结构表现出更大的剩余应力;具有InxAl1-xAs缓冲层的探测器结构所观察到的光学特性更优. 展开更多
关键词 光电探测器 高In组分 缓冲层 ingaas inalas
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InAlAsInGaAs HEMT跨阻前置放大器的设计与实现 被引量:2
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作者 王蓉 王志功 +3 位作者 柯锡明 敖金平 李献杰 刘伟吉 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期46-49,共4页
提出了基于耗尽型InAlAs InGaAsHEMT器件的光纤通信接收机中的单电源跨阻前置放大器电路 ,并给出了设计方法与实验结果 .该前置放大器采用单电源供电 ,单端输入 ,双端差动输出 ,由两级源级跟随器 ,一级输出级以及一个反馈电阻组成 .当... 提出了基于耗尽型InAlAs InGaAsHEMT器件的光纤通信接收机中的单电源跨阻前置放大器电路 ,并给出了设计方法与实验结果 .该前置放大器采用单电源供电 ,单端输入 ,双端差动输出 ,由两级源级跟随器 ,一级输出级以及一个反馈电阻组成 .当前置放大器工作在 2 .5Gbit s时 ,跨阻可达 62 .5dBΩ .采用 + 5V电源供电 ,功耗为 2 展开更多
关键词 inalas/ingaasHEMT 光接收机 前置放大器 工艺 光纤通信接收机 设计
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太赫兹InP基InAlAs/InGaAs PHEMTs的研制(英文) 被引量:4
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作者 王志明 黄辉 +6 位作者 胡志富 赵卓彬 崔玉兴 孙希国 李亮 付兴昌 吕昕 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期135-139,共5页
研制了一种T型栅长为90 nm的InP基In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.65)Ga_(0.35)As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).该器件的总栅宽为2×25μm,展现了极好的DC直流和RF射频特性,其最大饱和电流密度和最大有效跨导分别为894 m A/mm和1 64... 研制了一种T型栅长为90 nm的InP基In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.65)Ga_(0.35)As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).该器件的总栅宽为2×25μm,展现了极好的DC直流和RF射频特性,其最大饱和电流密度和最大有效跨导分别为894 m A/mm和1 640 m S/mm.采用LRM+(Line-Reflect-Reflect-Match)校准方法实现系统在1~110 GHz全频段内一次性校准,减小了传统的分段测试多次校准带来的误差,且测试数据的连续性较好.在国内完成了器件的1~110 GHz全频段在片测试,基于1~110 GHz在片测试的S参数外推获得的截止频率ft和最大振荡频率f_(max)分别为252 GHz和394 GHz.与传统的测试到40 GHz外推相比,本文外推获得的f_(max)更加准确.这些结果的获得是由于栅长的缩短,寄生效应的减小以及1~110 GHz全频段在片测试的实现.器件的欧姆接触电阻率减小为0.035Ω·mm. 展开更多
关键词 磷化铟 赝配高电子迁移率晶体管 inalas/ingaas 在片测试 单片集成电路
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InP衬底上InAlAs异变缓冲层和高铟组分InGaAs的生长温度优化(英文) 被引量:1
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作者 张见 陈星佑 +6 位作者 顾溢 龚谦 黄卫国 杜奔 黄华 马英杰 张永刚 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期699-703,710,共6页
利用气态源分子束外延技术在InP衬底上生长了包含InAlAs异变缓冲层的In0.83Ga0.17As外延层.使用不同生长温度方案生长的高铟InGaAs和InAlAs异变缓冲层的特性分别通过高分辨X射线衍射倒易空间图、原子力显微镜、光致发光和霍尔等测量手... 利用气态源分子束外延技术在InP衬底上生长了包含InAlAs异变缓冲层的In0.83Ga0.17As外延层.使用不同生长温度方案生长的高铟InGaAs和InAlAs异变缓冲层的特性分别通过高分辨X射线衍射倒易空间图、原子力显微镜、光致发光和霍尔等测量手段进行了表征.结果表明,InAlAs异变缓冲层的生长温度越低,X射线衍射倒易空间图(004)反射面沿Qx方向的衍射峰半峰宽就越宽,外延层和衬底之间的倾角就越大,同时样品表面粗糙度越高.这意味着材料的缺陷增加,弛豫不充分.对于生长在具有相同生长温度的InAlAs异变缓冲层上的In0.83Ga0.17As外延层,采用较高的生长温度时,X射线衍射倒易空间图(004)反射面沿Qx方向的衍射峰半峰宽较小,77K下有更强的光致发光,但是表面粗糙度会有所增加.这说明生长温度提高后,材料中的缺陷得到抑制. 展开更多
关键词 分子束外延 ingaas inalas异变缓冲层 生长温度
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InAlAs/InGaAs/InP基PHEMTs小信号建模及低噪声应用(英文) 被引量:2
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作者 刘军 于伟华 +3 位作者 杨宋源 侯彦飞 崔大胜 吕昕 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期683-687,共5页
利用改进的小信号模型对采用100nmInAlAs/InGaAs/InP工艺设计实现的PHEMTs器件进行建模,并设计实现了一款W波段单片低噪声放大器进行信号模型的验证。为了进一步改善信号模型低频S参数拟合差的精度,该小信号模型考虑了栅源和栅漏二极管... 利用改进的小信号模型对采用100nmInAlAs/InGaAs/InP工艺设计实现的PHEMTs器件进行建模,并设计实现了一款W波段单片低噪声放大器进行信号模型的验证。为了进一步改善信号模型低频S参数拟合差的精度,该小信号模型考虑了栅源和栅漏二极管微分电阻,在等效电路拓扑中分别用Rfs和Rfd表示.为了验证模型的可行性,基于该信号模型研制了W波段低噪声放大器单片.在片测试结果表明:最大小信号增益为14.4dB@92.5GHz,3dB带宽为25GHz@85-110GHz.而且,该放大器也表现出了良好的噪声特性,在88GHz处噪声系数为4.1dB,相关增益为13.8dB.与同频段其他芯片相比,该放大器单片具有宽3dB带宽和高的单级增益. 展开更多
关键词 inalas/ingaas/InP 赝高电子迁移率晶体管(PHEMTs) 小信号模型 毫米波和亚毫米波 单片微波集成电路(MMIC) 低噪声放大器
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晶圆键合GaAs/InGaAs双结太阳电池 被引量:1
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作者 蒋卓宇 李娟 +2 位作者 孔祥力 代盼 孙强健 《半导体技术》 北大核心 2025年第4期365-371,共7页
为了避免直接外延生长引起晶格失配问题,利用晶圆键合技术开发了GaAs/InGaAs双结太阳电池。采用金属固态源分子束外延(MBE)生长方法,在GaAs衬底上生长GaAs顶电池,在InP衬底上生长InGaAs底电池。通过晶圆键合技术将这些子电池键合在一起... 为了避免直接外延生长引起晶格失配问题,利用晶圆键合技术开发了GaAs/InGaAs双结太阳电池。采用金属固态源分子束外延(MBE)生长方法,在GaAs衬底上生长GaAs顶电池,在InP衬底上生长InGaAs底电池。通过晶圆键合技术将这些子电池键合在一起,制备了晶圆键合GaAs/InGaAs双结太阳电池。测试结果显示,通过晶圆键合技术制备的双结太阳电池具有较低的电损耗,在聚光下获得了超过31.7%的光电转换效率。双结太阳电池的晶圆键合技术改善了常规直接材料生长方法因晶格失配造成的位错问题,可以更灵活地实现双结太阳电池的优化设计。 展开更多
关键词 分子束外延(MBE) ingaas GAAS 晶圆键合 双结太阳电池
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基于线阵InGaAs相机的亮环境下光伏电池板缺陷检测方法
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作者 徐晗 钱芸生 +2 位作者 张益军 郎怡政 黄益东 《应用光学》 北大核心 2025年第1期156-162,共7页
亮环境下太阳光容易淹没光伏电池板光致发光(photoluminescence,PL)现象的缺陷信息,使检测设备无法直接感知缺陷。针对此问题,提出了一种基于时域误差的检测方法,能够有效降低亮环境下太阳光的干扰。该方法利用快速PWM(pulse width modu... 亮环境下太阳光容易淹没光伏电池板光致发光(photoluminescence,PL)现象的缺陷信息,使检测设备无法直接感知缺陷。针对此问题,提出了一种基于时域误差的检测方法,能够有效降低亮环境下太阳光的干扰。该方法利用快速PWM(pulse width modulation)斩波恒流电源输出高频调制电流信号,驱动850 nm光源输出调制光激励光伏电池板,使用短波红外线阵InGaAs相机捕捉具有调制特性的图像序列,经现场可编程门阵列(field programmable gate array,FPGA)从图像序列中提取光伏电池板的缺陷信息。实验结果表明,该方法能够在2.9 lx~(12580±5)lx的照度范围内有效地检测缺陷图案信息,实现亮环境下光伏电池板的连续性缺陷检测。 展开更多
关键词 光致发光 线阵ingaas相机 亮环境 缺陷检测
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基于XRD和PL光谱分析的InGaAs/GaAs量子阱生长温度依赖性研究
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作者 李博 马淑芳 +9 位作者 阳智 程睿思 刘思敏 王嘉惠 郝晓东 尚林 仇伯仓 董海亮 韩丹 许并社 《光谱学与光谱分析》 北大核心 2025年第6期1584-1591,共8页
InGaAs/GaAs多量子阱(MQWs)结构因其具有独特的量子限制效应和优异的光电性能,使其作为激光器的有源区在光通信和光电器件中具有广泛应用。在该结构中通过改变In组分来调控带隙宽度进而满足不同波长的需求,分子束外延(MBE)生长MQWs时可... InGaAs/GaAs多量子阱(MQWs)结构因其具有独特的量子限制效应和优异的光电性能,使其作为激光器的有源区在光通信和光电器件中具有广泛应用。在该结构中通过改变In组分来调控带隙宽度进而满足不同波长的需求,分子束外延(MBE)生长MQWs时可以高精度的控制材料的组分和厚度,从而优化光学性能。尽管InGaAs/GaAs MQWs在许多方面取得了进展,但在In组分较高的InGaAs量子阱中,由于晶格失配会导致位错产生,进而引发界面缺陷,影响材料的晶体质量和光学性能,所以通过MBE生长调控来提高晶体质量对改善光学性质极具意义。在MBE生长过程中,利用生长温度来优化生长动力学,进而调控原子在界面的迁移,尤其是In、Ga原子的迁移,对于提高InGaAs/GaAs MQWs的界面质量和晶体质量有着至关重要的作用。为了探究生长温度对MQWs晶体质量、界面质量和发光性能的影响,我们采用MBE方法分别在505和490℃下生长了两组InGaAs/GaAs MQWs样品,并使用高分辨率X射线衍射(HRXRD)、光致发光(PL)进行了晶体质量和光学性能表征分析。HRXRD结果表明,由于高温下生长有利于提高Ⅲ族原子动力学和原子扩散长度,使得生长工艺中In和Ga原子的迁移增加,这有利于原子在外延层表面找到能量较低的位置形核;因此,在505℃生长的MQWs样品的缺陷密度为1.02×10^(5) cm^(-2),较小,缺陷少应力小,具有较好的晶体质量和界面质量。此外,光致发光性能测试分析结果表明,在505℃生长的MQWs样品发光强度高,发光均匀性良好,并进一步证明其晶体质量优于490℃生长的样品。说明了合适的生长温度有利于提高InGaAs/GaAs MQWs的界面质量和光学性能。该工艺参数对MBE制备MQWs材料具有重要的参考意义。 展开更多
关键词 ingaas/GaAs多量子阱 MBE生长 高分辨率X射线衍射谱 光致发光谱
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基于等离子体氢化的PIN型InGaAs探测器性能研究
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作者 冯斌耀 乔辉 +4 位作者 于一榛 杨力怡 贺香荣 夏润泽 李雪 《红外与激光工程》 北大核心 2025年第8期64-73,共10页
等离子氢化技术能够在室温条件下改善材料的性能,因而该方法在基于化合物半导体材料的红外探测器中具有重要的应用前景。短波红外铟镓砷(InGaAs)探测器是一种重要的红外器件,具有室温高量子效率和高灵敏度的特点,因而能应用于广泛的领... 等离子氢化技术能够在室温条件下改善材料的性能,因而该方法在基于化合物半导体材料的红外探测器中具有重要的应用前景。短波红外铟镓砷(InGaAs)探测器是一种重要的红外器件,具有室温高量子效率和高灵敏度的特点,因而能应用于广泛的领域。暗电流是短波红外InGaAs探测器的重要性能参数,降低各偏压下的暗电流能够提升器件在不同应用场景下的探测能力。针对等离子氢化技术在PIN型InGaAs探测器中的应用开展了研究,并分析其与暗电流机制及噪声特性的关系。通过I-V测试结果发现InGaAs探测器经氢化后暗电流显著降低,在-1 V的较大偏压下暗电流密度均值从36.13 nA/cm^(2)降低到17.42 nA/cm^(2),在-0.02 V的近零偏条件下暗电流密度均值从6.54 nA/cm^(2)降低到2.44 nA/cm^(2),不同偏压下暗电流密均降低了2~3倍。进一步开展暗电流机制分析,发现扩散电流、产生-复合电流和分路电流都得到不同程度的抑制,0~-0.27 V的偏压范围内氢化前后都以扩散电流占主导,在大偏压下分路电流在氢化后的占比略有增加。由于InGaAs少子寿命经过氢化从10.7μs增加6倍到75.2μs,同时零偏电阻增大了1.75倍,因而探测器的暗噪声降低了约40%。因此,采用室温等离子体氢化处理能够对PIN型InGaAs探测器的暗电流和噪声进行改善,对InGaAs探测器在更高灵敏度的应用场景下具有重要的技术参考价值。 展开更多
关键词 铟镓砷 氢化 暗电流 暗噪声
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高密度平面型InGaAs焦平面像元耦合作用数学模型
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作者 杜爱博 于春蕾 +6 位作者 邵秀梅 于金瀛 宝鹏飞 陆劲速 杨波 朱宪亮 李雪 《红外与毫米波学报》 北大核心 2025年第4期496-502,共7页
InGaAs焦平面探测器的应用追求高密度、小中心距,中心距的减小加强了面阵像元间的相互耦合作用。本文通过制备不同规模5μm中心距InGaAs小面阵器件,研究高密度焦平面像元耦合作用,创新地引入矩阵方程描述各部分的暗电流贡献,构建像元耦... InGaAs焦平面探测器的应用追求高密度、小中心距,中心距的减小加强了面阵像元间的相互耦合作用。本文通过制备不同规模5μm中心距InGaAs小面阵器件,研究高密度焦平面像元耦合作用,创新地引入矩阵方程描述各部分的暗电流贡献,构建像元耦合数学模型,定量分析了耦合作用导致的暗电流贡献。结果表明,在-0.1V偏压下,面阵中反偏状态像元对邻近反偏状态像元的暗电流抑制程度为像元本底暗电流的21.39%;零偏状态像元对邻近反偏状态像元的暗电流增幅程度可达219.42%。利用高密度焦平面像元耦合模型,总结了像元耦合对暗电流的影响规律,为高密度InGaAs焦平面的暗电流研究提供了新的思路。 展开更多
关键词 铟镓砷 焦平面 5μm中心距 暗电流 像元耦合作用
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InGaAs-Si基光电探测器异质集成技术研究进展
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作者 李宛励 周鑫 +5 位作者 孔繁林 陈庆敏 梁丕刚 舒域鑫 代千 宋海智 《激光技术》 北大核心 2025年第4期617-625,共9页
短波红外波段包含目标的多种光谱信息,具有良好的大气传输特性,是光电探测、激光通信等应用领域的重要波段之一。硅基光电子器件具有低功耗、高带宽等优势,但其光谱响应范围局限于可见光波段,难以直接进行短波红外波段的高响应度光电探... 短波红外波段包含目标的多种光谱信息,具有良好的大气传输特性,是光电探测、激光通信等应用领域的重要波段之一。硅基光电子器件具有低功耗、高带宽等优势,但其光谱响应范围局限于可见光波段,难以直接进行短波红外波段的高响应度光电探测,将具有较高短波红外波段吸收能力的铟镓砷(InGaAs)材料与硅(Si)材料进行光电集成、研制新型高灵敏度光电探测器件成为了当前研究的热点方向。光电集成技术作为超高速、低功耗、小型化的半导体光电器件核心技术,有力支撑了大数据、云计算、物联网等新一代信息技术实现跨越式发展。通过梳理光电集成技术的国内外研究发展历程、现状和趋势,聚焦于InGaAs-Si基光电探测器,分别对材料外延生长、倒装芯片集成、芯片/晶圆键合和其他新型光电集成技术进行讨论,分析了不同光电集成技术的特点、优势、不足及应用场景,并展望了未来光电集成技术的发展方向。 展开更多
关键词 集成光学 光电集成技术 异质异构集成 铟镓砷 硅基光电子 探测器
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短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展 被引量:27
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作者 李雪 邵秀梅 +8 位作者 李淘 程吉凤 黄张成 黄松垒 杨波 顾溢 马英杰 龚海梅 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2020年第1期56-63,共8页
短波红外InGaAs焦平面探测器具有探测率高、均匀性好等优点,在航天遥感、微光夜视、医疗诊断等领域具有广泛应用。近十年来,中国科学院上海技术物理研究所围绕高灵敏度常规波长(0.9~1.7μm)InGaAs焦平面、延伸波长(1.0~2.5μm)InGaAs焦... 短波红外InGaAs焦平面探测器具有探测率高、均匀性好等优点,在航天遥感、微光夜视、医疗诊断等领域具有广泛应用。近十年来,中国科学院上海技术物理研究所围绕高灵敏度常规波长(0.9~1.7μm)InGaAs焦平面、延伸波长(1.0~2.5μm)InGaAs焦平面以及新型多功能InGaAs探测器取得了良好进展。在常规波长InGaAs焦平面方面,从256×1、512×1元等线列向320×256、640×512、4000×128、1280×10^24元等多种规格面阵方面发展,室温暗电流密度优于5 n A/cm2,室温峰值探测率优于5×10^12cm·Hz1/2/W。在延伸波长InGaAs探测器方面,发展了高光谱高帧频10^24×256、10^24×512元焦平面,暗电流密度优于10 n A/cm^2和峰值探测率优于5×10^11cm·Hz1/2/W@200 K。在新型多功能InGaAs探测器方面,发展了一种可见近红外响应的InGaAs探测器,通过具有阻挡层结构的新型外延材料和片上集成微纳陷光结构,实现0.4~1.7μm宽谱段响应,研制的320×256、640×512焦平面组件的量子效率达到40%@0.5 m、80%@0.8 m、90%@1.55 m;发展了片上集成亚波长金属光栅的InGaAs偏振探测器,其在0°、45°、90°、135°的消光比优于20:1。 展开更多
关键词 ingaas 焦平面 短波红外 暗电流 探测率
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32×32面阵InGaAs Gm-APD激光主动成像实验 被引量:27
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作者 孙剑峰 姜鹏 +4 位作者 张秀川 周鑫 付宏明 高新江 王骐 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第12期82-86,共5页
近十年来,由于盖革模式APD焦平面探测器在探测灵敏度、空间分辨率和距离分辨率等方面的优势,使得面阵APD激光主动成像技术成为国际上的研究热点。考虑到大气传输特性,InGaAs材料或者HgCdTe材料的面阵APD探测器成为研制首选。在国内自研I... 近十年来,由于盖革模式APD焦平面探测器在探测灵敏度、空间分辨率和距离分辨率等方面的优势,使得面阵APD激光主动成像技术成为国际上的研究热点。考虑到大气传输特性,InGaAs材料或者HgCdTe材料的面阵APD探测器成为研制首选。在国内自研InGaAs材料的32×32像元Gm-APD基础上,搭建了一套1570nm激光主动成像实验平台,在成像帧频1kHz、单脉冲能量2mJ条件下,获得了外场3.9km目标的轮廓像,在720m处能获得目标的清晰表面结构距离像。通过该外场实验,证实了国内自研的面阵Gm-APD探测器性能良好,能够演示外场激光主动成像功能。实验结果表明,1570nm面阵APD激光成像雷达成像性能良好,能够实现远距离目标遥感探测,为未来实际应用奠定了良好的研究基础。 展开更多
关键词 激光成像雷达 面阵Gm-APD ingaas
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高性能短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展 被引量:25
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作者 邵秀梅 龚海梅 +5 位作者 李雪 方家熊 唐恒敬 李淘 黄松垒 黄张成 《红外技术》 CSCD 北大核心 2016年第8期629-635,共7页
中科院上海技物所近十年来开展了高性能短波红外InGaAs焦平面探测器的研究。0.9~1.7mm近红外In Ga As焦平面探测器已实现了256×1、512×1、1024×1等多种线列规格,以及320×256、640×512、4000×128等面阵,... 中科院上海技物所近十年来开展了高性能短波红外InGaAs焦平面探测器的研究。0.9~1.7mm近红外In Ga As焦平面探测器已实现了256×1、512×1、1024×1等多种线列规格,以及320×256、640×512、4000×128等面阵,室温暗电流密度<5 n A/cm^2,室温峰值探测率优于5×10^(12)cm×Hz^(1/2)/W。同时,开展了向可见波段拓展的320×256焦平面探测器研究,光谱范围0.5~1.7mm,在0.8mm的量子效率约20%,在1.0mm的量子效率约45%。针对高光谱应用需求,上海技物所开展了1.0~2.5mm短波红外InGaAs探测器研究,暗电流密度小于10 n A/cm^2@200 K,形成了512×256、1024×128等多规格探测器,峰值量子效率高于75%,峰值探测率优于5×10^(11)cm×Hz^(1/2)/W。 展开更多
关键词 ingaas 焦平面 短波红外 暗电流 探测率
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128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究 被引量:14
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作者 吕衍秋 徐运华 +6 位作者 韩冰 孔令才 亢勇 庄春泉 吴小利 张永刚 龚海梅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期333-337,共5页
报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温... 报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温I-V、响应光谱和探测率,在278K时平均峰值探测率为1.03×1012cmHz1/2W-1.实现了128元InGaAs探测器阵列与CTIA结构L128读出电路相互连,经封装后,在室温(291K)时成功测出128元响应信号.焦平面响应的不均匀性为18.3%,并对不均匀性产生的原因进行了分析. 展开更多
关键词 探测器 焦平面 ingaas 钝化
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