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生长温度、过冷度对InAsPSb外延层表面形貌影响的研究: 1; 作者王永珍金长春吕贵进《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期47-51,共5页; 本文采用恒温液相外延生长方法，研究了ＩｎＡｓＰＳｂ四元材料外延层表面形貌与生长温度、过冷度之间的关系．实验结果表明，生长温度、过冷度对外延晶体质量及表面形貌的影响较为明显，同时对其它因素的影响也做了分析．; 关键词生长温度过冷度 inaspsb 表面形貌光电材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

在LPE生长中降温和恒温对InAsPSb外延层组分分布的影响: 2; 作者王永珍金长春吕贵进《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期153-155,共3页; 采用ＬＰＥ技术，生长出ＩｎＡｓＰＳｂ外延层，研究了降温、恒温两种方法对外延层组分分布的影响．结果表明，用恒温方法生长时，外延层中Ｐ、Ｓｂ组分分布较为均匀，在脉冲电流激发下，得到了３．０９μｍ激光输出．; 关键词 LPE inaspsb 降温和恒温组分分布; 在线阅读下载PDF 职称材料

2～4μm波长的InAsPSb异质结激光管材料的液相外延: 3; 作者王永珍金长春吕贵进《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期327-331,共5页; 采用液相外延方法，生长出外延层与衬底之间的失配度△α／α≤１．６×１０－３界面平直、组分恒定的ＩｎＡｓＰＳｂ／ＩｎＡｓ外延晶体．单异质结外延层，得到了３．０９μｍ波长的激光输出，双异质结外延片也得到了较好的伏－安... 展开更多; 关键词液相外延异质结激光管铟砷磷化锑; 在线阅读下载PDF 职称材料

LPEInAsPSb外延层组分分布的均匀性的研究: 4; 作者王永珍金长春吕贵进《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1996年第1期58-61,共4页; 本文采用ＬＰＥ生长技术，分析、研究了降温、恒温两种方法生长的ＩｎＡｓＰＳｂ外延层组分分布。实验结果表明，用恒温方法生长的外延层，Ｐ、Ｓｂ组分分布均匀不变。; 关键词化合物半导体外延生长外延层分布均匀性; 在线阅读下载PDF 职称材料

InAsPSb／InAs四元系异质结液相外延: 5; 作者王永珍金长春吕贵进《吉林大学自然科学学报》 CSCD 1994年第4期55-58,共4页; 利用液相外延技术，考察了与ＩｎＡｓ衬底晶格匹配的ＩｎＡｓＰＳｂ四元系化合物生长条件对外延层晶体质量的影响．; 关键词异质结液相外延四元系化合物; 在线阅读下载PDF 职称材料

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