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III族氮化物基的肖特基势垒二极管的研制
1
作者
俞慧强
张荣
+4 位作者
周玉刚
沈波
顾书林
施毅
郑有炓
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2003年第7期50-53,共4页
研制了三类不同金属和III族氮化物接触的肖特基势垒二极管。测量了器件的电流 电压特性 。
关键词
iii族氮化物
肖特基势垒二极管
氮化
钾
半导体材料
氮化
铝
理想因子
势垒高度
能带
在线阅读
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职称材料
新型石墨烯基LED器件:从生长机理到器件特性
被引量：
14
2
作者
陈召龙
高鹏
刘忠范
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期113-126,共14页
III族氮化物因具有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和漂移速度大、稳定性高等优异特性而广泛应用在发光二极管(LED)、激光器以及高频器件中。目前III族氮化物薄膜通常是异质外延生长在蓝宝石衬底表面,但是由于蓝宝石与III族氮化物之间...
III族氮化物因具有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和漂移速度大、稳定性高等优异特性而广泛应用在发光二极管(LED)、激光器以及高频器件中。目前III族氮化物薄膜通常是异质外延生长在蓝宝石衬底表面,但是由于蓝宝石与III族氮化物之间存在较大的晶格失配与热失配,使得外延生长的III族氮化物内部存在较大的应力与较高的位错密度,严重影响了器件性能;与此同时,蓝宝石衬底热导率差,限制了其在大功率器件方面的应用。近年来研究发现,石墨烯作为外延生长缓冲层,能够有效解决蓝宝石衬底与外延III族氮化物薄膜之间由于晶格失配和热失配导致的高应力与高位错密度等问题,进而获得了高品质薄膜,并提升了器件的性能。本文综述了石墨烯/蓝宝石衬底上III族氮化物生长与LED器件构筑的研究现状,着重介绍了本课题组提出的一种新型外延衬底—石墨烯/蓝宝石衬底的特点,阐明了III族氮化物在该新型衬底上的生长机理,总结了其对III族氮化物质量提升的作用,并对其发展前景进行了展望。
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关键词
石墨烯
化学气相沉积
蓝宝石
iii族氮化物
LED
准范德华外延
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职称材料
题名
III族氮化物基的肖特基势垒二极管的研制
1
作者
俞慧强
张荣
周玉刚
沈波
顾书林
施毅
郑有炓
机构
南京大学物理系
出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2003年第7期50-53,共4页
基金
863计划 ( 2 0 0 1AA3 11110 )
973规划 (G2 0 0 0 0 683 0 5 )
+3 种基金
国家自然科学基金 ( 699760 14
6980 60 0 6
699870 0 1)
国家杰出青年基金 ( #60 0 2 5 411)资助项目
文摘
研制了三类不同金属和III族氮化物接触的肖特基势垒二极管。测量了器件的电流 电压特性 。
关键词
iii族氮化物
肖特基势垒二极管
氮化
钾
半导体材料
氮化
铝
理想因子
势垒高度
能带
Keywords
iii
nitride, Schottky barrier diode, Fabrication
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
新型石墨烯基LED器件:从生长机理到器件特性
被引量：
14
2
作者
陈召龙
高鹏
刘忠范
机构
北京大学化学与分子工程学院
北京石墨烯研究院
北京大学电子显微镜实验室
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期113-126,共14页
基金
国家重点基础研究发展规划项目(973)(2016YFA0200103)
国家自然科学基金(51432002,51290272)
北京市科学技术委员会(Z181100004818002)资助.
文摘
III族氮化物因具有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和漂移速度大、稳定性高等优异特性而广泛应用在发光二极管(LED)、激光器以及高频器件中。目前III族氮化物薄膜通常是异质外延生长在蓝宝石衬底表面,但是由于蓝宝石与III族氮化物之间存在较大的晶格失配与热失配,使得外延生长的III族氮化物内部存在较大的应力与较高的位错密度,严重影响了器件性能;与此同时,蓝宝石衬底热导率差,限制了其在大功率器件方面的应用。近年来研究发现,石墨烯作为外延生长缓冲层,能够有效解决蓝宝石衬底与外延III族氮化物薄膜之间由于晶格失配和热失配导致的高应力与高位错密度等问题,进而获得了高品质薄膜,并提升了器件的性能。本文综述了石墨烯/蓝宝石衬底上III族氮化物生长与LED器件构筑的研究现状,着重介绍了本课题组提出的一种新型外延衬底—石墨烯/蓝宝石衬底的特点,阐明了III族氮化物在该新型衬底上的生长机理,总结了其对III族氮化物质量提升的作用,并对其发展前景进行了展望。
关键词
石墨烯
化学气相沉积
蓝宝石
iii族氮化物
LED
准范德华外延
Keywords
Graphene
Chemical vapor deposition
Sapphire
Group-
iii
nitride films
LED
Van der Waals epitaxy
分类号
TQ127.11 [化学工程—无机化工]
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
III族氮化物基的肖特基势垒二极管的研制
俞慧强
张荣
周玉刚
沈波
顾书林
施毅
郑有炓
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2003
0
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职称材料
2
新型石墨烯基LED器件:从生长机理到器件特性
陈召龙
高鹏
刘忠范
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2020
14
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