IGZO TFT与ZnO TFT的性能比较 被引量：14

1

作者 吴为敬 颜骏 +1 位作者 许志平 赖志成 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期147-153,共7页

分析比较了ZnO TFT与IGZO TFT的主要光电学特性以及阈值电压稳定性。结果表明:ZnO薄膜与IGZO薄膜在可见光波长范围内都有着较高的光学透过率;在同等制备条件下,IGZO TFT器件的场效应迁移率、开关电流比、阈值电压及亚阈值系数等方面的... 分析比较了ZnO TFT与IGZO TFT的主要光电学特性以及阈值电压稳定性。结果表明:ZnO薄膜与IGZO薄膜在可见光波长范围内都有着较高的光学透过率;在同等制备条件下,IGZO TFT器件的场效应迁移率、开关电流比、阈值电压及亚阈值系数等方面的特性均明显好于ZnO TFT;二者都有着较低的泄漏电流,并且差别很小。另外,ZnO TFT在正负偏压下阈值电压都有漂移,而IGZO TFT在正偏压下阈值电压漂移比ZnO TFT的小且在负偏压下阈值电压没有漂移,由此可见IGZO TFT比ZnO TFT有着更好的稳定性。总之,IGZO薄膜比ZnO薄膜更适合作为下一代TFT的有源层材料。 展开更多

关键词 ZnOTFT igzoTFT 性能比较 光电特性 阈值电压漂移

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氧分压对磁控溅射制备IGZO薄膜光电特性的影响 被引量：2

2

作者 吴海波 董承远 +1 位作者 林世宏 吴娟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期132-136,共5页

通过磁控溅射技术在玻璃基板上制备氧化铟镓锌（IGZO）薄膜，为了研究不同氧分压对IGZO薄膜结构及光电特性的影响，在不同的氧分压0，0．015，0．06和0．24Pa下制备了不同样品。样品的沉积速率、成分结构、面电阻及光电性质分别用椭偏仪... 通过磁控溅射技术在玻璃基板上制备氧化铟镓锌（IGZO）薄膜，为了研究不同氧分压对IGZO薄膜结构及光电特性的影响，在不同的氧分压0，0．015，0．06和0．24Pa下制备了不同样品。样品的沉积速率、成分结构、面电阻及光电性质分别用椭偏仪、X射线光电子能谱（XPS）和四点探针等方法进行了测量。实验结果表明，随着氧分压的增大，IGZO薄膜的沉积速率呈下降趋势，不同氧分压的IGZO薄膜的元素比例（In：Ga：Zn）差异不大，在可见光的范围内其氧分压为0Pa以上时，IGZO薄膜平均透过率均超过80％，阻值随氧分压的增加而增大。制作了不同氧分压以IGZO为沟道层的薄膜晶体管，其迁移率为5．93～9．42cm^2·V^-1·s^-1，阈值电压为3．8～9．2V。 展开更多

关键词 氧化铟镓锌(igzo)薄膜 薄膜晶体管(TFT) 磁控溅射 氧分压 光电特性

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氧分压对直流磁控溅射制备ZnO：Ga透明导电薄膜特性的影响 被引量：23

3

作者 马全宝 叶志镇 +3 位作者 何海平 朱丽萍 张银珠 赵炳辉 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1113-1116,共4页

通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(znO:Ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.ZnO:Ca透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依... 通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(znO:Ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.ZnO:Ca透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小,随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小,在氧分压为0.30 Pa时沉积的ZnO:Ga薄膜半高宽最小,晶粒尺寸最大.薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大,沉积薄膜的最低电阻率可达3.50×10^(-4)Ω·cm.此外,所有ZnO:Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90%. 展开更多

关键词 ZNO:GA 透明导电氧化物薄膜 磁控溅射 氧分压 光电特性

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磁控溅射TiN薄膜的工艺及电学性能研究 被引量：17

4

作者 胡敏 刘莹 +2 位作者 赖珍荃 刘倩 朱秀榕 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期222-225,共4页

采用反应直流磁控溅射法，在Si基底上制备TiN薄膜。研究了溅射沉积过程申溅射气压和Ar／N2气体流量比对TiN薄膜结构及其电学性能的影响，并对试验结果进行了分析。研究发现，在Ar／N2气体流量比为15：1时，TiN薄膜的表面均方根粗糙度和... 采用反应直流磁控溅射法，在Si基底上制备TiN薄膜。研究了溅射沉积过程申溅射气压和Ar／N2气体流量比对TiN薄膜结构及其电学性能的影响，并对试验结果进行了分析。研究发现，在Ar／N2气体流量比为15：1时，TiN薄膜的表面均方根粗糙度和电阻率都为最小。当溅射气压增大时，薄膜厚度减小。当溅射气压为0．3～0．5Pa时，薄膜表面较光滑，电阻率较小。 展开更多

关键词 TIN薄膜 磁控溅射 氩气/氮气流量比 溅射气压 电学性能

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工艺参数对离子束溅射ZnO∶Al薄膜结构与性能的影响 被引量：9

5

作者 梁广兴 范平 +2 位作者 张东平 蔡兴民 郑壮豪 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期529-534,共6页

以ZnO(掺杂2%Al2O3)陶瓷靶作为靶材,采用离子束溅射技术在BK7玻璃基底上制备AZO透明导电薄膜。研究不同工艺参数对ZnO∶Al(AZO)薄膜结构与光电性能的影响。结果表明,不同等离子体能量下制备的AZO薄膜均出现ZnO(002)特征衍射峰,具有纤锌... 以ZnO(掺杂2%Al2O3)陶瓷靶作为靶材,采用离子束溅射技术在BK7玻璃基底上制备AZO透明导电薄膜。研究不同工艺参数对ZnO∶Al(AZO)薄膜结构与光电性能的影响。结果表明,不同等离子体能量下制备的AZO薄膜均出现ZnO(002)特征衍射峰,具有纤锌矿结构且c轴择优取向;AZO薄膜的结晶质量和性能对基底温度有较强的依赖性,只有在适当的基底温度下,可改善结晶程度且利于颗粒的生长,呈现较低的电阻率;不同厚度的AZO薄膜均出现较强的ZnO(002)特征衍射峰且随着厚度的增加,ZnO(110)峰强度不断加强,相应晶粒尺寸变大,但缺陷也随之增多;同时得出利用离子束溅射方法制备AZO薄膜的最佳工艺为:等离子体能量为1.3 keV、基底温度200℃和沉积厚度为420 nm,该参数下制备的薄膜结晶程度较高、生长的颗粒较大,相应薄膜的电阻率较低且薄膜透射率在可见光区均达到80%以上。 展开更多

关键词 AZO薄膜 离子束溅射 微结构 光电性能

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阴极恒电位法电沉积SnS薄膜的性能研究 被引量：5

6

作者 程树英 陈岩清 +2 位作者 钟南保 黄赐昌 陈国南 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期695-699,共5页

在溶液的pH=2.7,离子浓度比[Sn2+]/[S2O32-]=1/5的条件下,通过调节沉积电位在-0.60~1.10V(vsSCE),在ITO导电玻璃基片上电沉积SnS膜层。实验表明:沉积电位在-0.72^-0.75V(vs SCE)范围内时,制备出的SnS薄膜的Sn和S的化学配比非常接近1∶1... 在溶液的pH=2.7,离子浓度比[Sn2+]/[S2O32-]=1/5的条件下,通过调节沉积电位在-0.60~1.10V(vsSCE),在ITO导电玻璃基片上电沉积SnS膜层。实验表明:沉积电位在-0.72^-0.75V(vs SCE)范围内时,制备出的SnS薄膜的Sn和S的化学配比非常接近1∶1的理想值。用X射线衍射分析其物相结构,结果表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜。用扫描电镜观察该薄膜的表面形貌,发现该薄膜颗粒较细,均匀性较好。通过测量薄膜样品的透射光谱和反射光谱,计算得到其直接禁带宽度Eg=1.31eV,与SnS体材的带隙(1.3eV)非常接近。该薄膜的导电类型为p型,电阻率的数量级为10-3Ω.cm。 展开更多

关键词 恒电位电沉积 SnS薄膜 沉积电位 光电性能

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基板温度对SnO_2:Sb薄膜结构和性能的影响 被引量：7

7

作者 谢莲革 汪建勋 +3 位作者 沈鸽 翁文剑 杜丕一 韩高荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期411-413,418,共4页

以单丁基三氯化锡(MBTC)和 SbCl3 为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD 法)在不同的基板温度下制备 Sb 掺杂 SnO2 薄膜,用 XRD、SEM表征了薄膜的结构和形貌,通过测量薄膜的方块电阻、载流子浓度、霍尔(Hall)系数、紫外可见光谱等性... 以单丁基三氯化锡(MBTC)和 SbCl3 为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD 法)在不同的基板温度下制备 Sb 掺杂 SnO2 薄膜,用 XRD、SEM表征了薄膜的结构和形貌,通过测量薄膜的方块电阻、载流子浓度、霍尔(Hall)系数、紫外可见光谱等性质,详细研究了基板温度对薄膜结构和光电性能的影响。实验表明 550℃以上制备的样品为多晶薄膜,并保持四方相金红石型结构;在 650℃下沉积的薄膜具有最低的方块电阻值,为 72Ω/□;在可见光区域薄膜透射率和反射率随着基板温度的提高均有所下降。 展开更多

关键词 APCVD法 Sb掺杂SnO2薄膜 基板温度

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薄膜厚度和工作压强对室温制备AZO薄膜性能的影响 被引量：6

8

作者 张俊双 叶勤 +1 位作者 曾富强 王权康 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期45-48,共4页

采用射频磁控溅射法在室温下、普通玻璃基片上制备了AZO透明导电薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和四探针测量了不同薄膜厚度和不同工作压强下所得样品的结构、电学和光学性能,结果表明,所制备的AZO薄膜均具有... 采用射频磁控溅射法在室温下、普通玻璃基片上制备了AZO透明导电薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和四探针测量了不同薄膜厚度和不同工作压强下所得样品的结构、电学和光学性能,结果表明,所制备的AZO薄膜均具有六角纤锌矿结构,沿c轴择优取向生长;在可见光范围内,薄膜平均透过率约为80%;随着薄膜厚度的增加和工作压强的降低,薄膜的电阻率呈下降趋势;得到的薄膜最低方块电阻为7.5Ω/□。 展开更多

关键词 磁控溅射 AZO导电薄膜 薄膜厚度 工作压强 光电性能

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溅射氩气压对射频磁控溅射制备ZnO∶Al薄膜性能的影响 被引量：2

9

作者 刘超英 陈玮 +3 位作者 徐志伟 付静 左岩 马眷荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期7052-7055,共4页

采用磁控溅射方法在玻璃衬底上使用掺杂3％（质量分数）Al2 O 3的 ZnO 陶瓷靶材制备出了掺铝氧化锌（ZnO ∶ Al,AZO）透明导电薄膜.分别用XRD、SEM、四探针测试仪、紫外-可见分光光度计对薄膜的性能进行了表征和分析.研究了溅射过程中... 采用磁控溅射方法在玻璃衬底上使用掺杂3％（质量分数）Al2 O 3的 ZnO 陶瓷靶材制备出了掺铝氧化锌（ZnO ∶ Al,AZO）透明导电薄膜.分别用XRD、SEM、四探针测试仪、紫外-可见分光光度计对薄膜的性能进行了表征和分析.研究了溅射过程中不同氩气压强（0．3-1．2 Pa）对薄膜结构、形貌及光电性能的影响.XRD 测试结果表明,所制备的薄膜均具有呈c 轴择优取向的纤锌矿结构.当氩气压强为0．3 Pa时,AZO 薄膜的电阻率最低为6．72×10^-4Ω·cm.所有样品在可见光波段的平均透过率超过85％. 展开更多

关键词 氩气压力 射频磁控溅射 AZO 薄膜 光电性能

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微晶硅薄膜材料的沉积以及微结构与光电特性的研究 被引量：2

10

作者 张林睿 周炳卿 +1 位作者 张丽丽 李海泉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期158-162,共5页

采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在较高的射频功率和沉积气压条件下,通过改变硅烷浓度和衬底温度等参数,以Corning7059玻璃为衬底制备微晶硅薄膜材料。通过拉曼光谱和光暗电导的测试等方法对薄膜特性进行了表征,研究了... 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在较高的射频功率和沉积气压条件下,通过改变硅烷浓度和衬底温度等参数,以Corning7059玻璃为衬底制备微晶硅薄膜材料。通过拉曼光谱和光暗电导的测试等方法对薄膜特性进行了表征,研究了沉积参数对微晶硅薄膜材料的微结构以及光电特性的影响,并讨论了它们的相关性。解释了结构与光电特性的变化规律,以表面扩散的机理讨论了结晶过程。实验表明,硅烷浓度和衬底温度这两个参数对于微晶硅薄膜材料的微结构及其光电特性具有重要影响,而且参数之间存在匹配关系。 展开更多

关键词 微晶硅薄膜 射频等离子体增强化学气相沉积 微结构 光电特性

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铝基APCVD沉积SiO_x膜层的光学性能研究 被引量：1

11

作者 张际亮 沃银花 +2 位作者 郦剑 甘正浩 徐亚伯 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1243-1246,共4页

采用低温常压化学气相沉积(APCVD)的方法在铝基底上制备硅氧化物陶瓷膜层.采用XPS、XRD、HRTEM、UV-VAS和NIRS等技术分析膜层的成分、结构组织和形貌特征,并测试了膜层的光学吸收性能.研究结果表明,SiOx中的硅氧原子比为1∶1.60～1∶1.... 采用低温常压化学气相沉积(APCVD)的方法在铝基底上制备硅氧化物陶瓷膜层.采用XPS、XRD、HRTEM、UV-VAS和NIRS等技术分析膜层的成分、结构组织和形貌特征,并测试了膜层的光学吸收性能.研究结果表明,SiOx中的硅氧原子比为1∶1.60～1∶1.75,硅氧化物陶瓷膜层大部分为非晶态组织,包含少量局部有序区域.SiOx陶瓷膜层沉积在铝基上后具有很高的紫外-可见光吸收率和较高的近红外光吸收率,产生机制是硅氧化物陶瓷膜层中氧空位存在局域电子态,电子吸收能量产生能级跃迁. 展开更多

关键词 常压化学气相沉积(APCVD) 铝基SiOx膜层 显微结构 光学性能

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二氧化锆栅介质薄膜光学及电学特性研究 被引量：2

12

作者 马春雨 李智 张庆瑜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期491-494,共4页

　采用反应RF磁控溅射法在氧气和氩气的混合气氛中制备了具有较高介电常数、较宽光学禁带间隙的ZrO2薄膜。利用变角度光谱椭圆偏振仪研究了不同O2/Ar流量比下制备所得薄膜的厚度、复折射率、复介电常数和吸收系数,估算了薄膜的光学禁带... 　采用反应RF磁控溅射法在氧气和氩气的混合气氛中制备了具有较高介电常数、较宽光学禁带间隙的ZrO2薄膜。利用变角度光谱椭圆偏振仪研究了不同O2/Ar流量比下制备所得薄膜的厚度、复折射率、复介电常数和吸收系数,估算了薄膜的光学禁带间隙,并测试分析了在不同O2/Ar流量比下溅射沉积的Al/ZrO2/SiO2/n型Si叠层结构的C V、I V特性曲线。通过对O2/Ar流量比分别为1/9、1/4、4/1、1/0工艺条件下溅射沉积ZrO2薄膜的α2与光子能量关系图的拟合,确定了其光学禁带间隙Eg分别为6.27、5.84、6.03、5.92eV,在O2/Ar流量比为1/9、1/4、1/0工艺条件下溅射沉积ZrO2薄膜,其ZrO2/SiO2叠层的有效介电常数keff计算结果分别为14.6、19.6和9.3,漏电流较低(<5.0×10-5A/cm2),其击穿电场强度分别为5.6、6.3、9MV/cm。 展开更多

关键词 光谱椭圆偏振仪 介电常数 ZRO2薄膜 光学禁带间隙

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氢退火对LPCVD生长的ZnO薄膜光学和电学性能的影响 被引量：1

13

作者 李旺 唐鹿 +4 位作者 杜江萍 薛飞 辛增念 罗哲 刘石勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期1496-1501,共6页

采用低压化学气相沉积(LPCVD)在玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)薄膜,研究了氢气气氛退火对BZO薄膜光学性能和电学性能的影响。结果表明:在氢气气氛下退火后,BZO薄膜的物相结构和透光率基本无变化,但BZO薄膜的导电能力却明显提高。Hall... 采用低压化学气相沉积(LPCVD)在玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)薄膜,研究了氢气气氛退火对BZO薄膜光学性能和电学性能的影响。结果表明:在氢气气氛下退火后,BZO薄膜的物相结构和透光率基本无变化,但BZO薄膜的导电能力却明显提高。Hall测试结果表明:在氢气下退火时载流子浓度基本保持不变,但迁移率却明显提高。实验结果可为进一步提高BZO薄膜的光学电学综合性能提供借鉴。 展开更多

关键词 低压化学气相沉积 ZNO薄膜 光学性能 载流子浓度 霍尔迁移率

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RF磁控溅射沉积压强对InGaZnO4薄膜特性的影响

14

作者 闫小兵 史守山 +2 位作者 娄建忠 郑树凯 曹智 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2015年第3期243-246,252,共5页

采用射频（RF）磁控溅射沉积方法,在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体InGaZnO4（IGZO）薄膜,并对薄膜进行X线衍射（XRD）、生长速率、电阻率和透光率的测试与表征.结果表明,实验所获样品I... 采用射频（RF）磁控溅射沉积方法,在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体InGaZnO4（IGZO）薄膜,并对薄膜进行X线衍射（XRD）、生长速率、电阻率和透光率的测试与表征.结果表明,实验所获样品IGZO薄膜为非晶态,薄膜最小电阻率为1.3×10^-3Ω·cm,根据光学性能测试结果,IGZO薄膜在200～350 nm的紫外光区有较强吸收,在400～900 nm的可见光波段的透过率为75％～97％. 展开更多

关键词 沉积压强 光学性质 电学性质

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水浴法制备CdS薄膜产生的本征缺陷对光电学性质的影响

15

作者 徐娜 陈哲 +1 位作者 索忠源 谭乃迪 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第1期111-116,共6页

采用化学水浴沉积法(CBD)在钠钙玻璃衬底上制备硫化镉(CdS)薄膜,研究不同硫酸镉(CdSO_4)浓度下产生的本征缺陷对CdS薄膜光电学性质的影响。采用光致发光光谱、紫外-可见分光光度计及霍尔效应测试系统对薄膜的本征缺陷、光学及电学性质... 采用化学水浴沉积法(CBD)在钠钙玻璃衬底上制备硫化镉(CdS)薄膜,研究不同硫酸镉(CdSO_4)浓度下产生的本征缺陷对CdS薄膜光电学性质的影响。采用光致发光光谱、紫外-可见分光光度计及霍尔效应测试系统对薄膜的本征缺陷、光学及电学性质进行分析,发现CdS薄膜主要存在镉间隙(Cdi)及硫空位(VS)等本征缺陷,且VS随CdSO_4浓度的降低而逐渐减少。同时,VS缺陷的减少有利于薄膜透过率的提高,但在一定程度上降低了薄膜的电导率。根据透过率及其相关公式可知,半导体材料中透过率与电导率成e指数反比关系,适当减小薄膜的电导率可以使其透过率得到大幅度的提高,理论解释与实验结果相一致。 展开更多

关键词 本征缺陷 CDS薄膜 化学水浴沉积法 电学性质 光学性质

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真空气相沉积制备碲化镉薄膜的电学和光学特性

16

作者 季秉厚 孟凡英 +1 位作者 李健 其其格 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期134-137,共4页

用真空气相沉积法 ,同时蒸发Cd和Te材料 ,在玻璃衬底上沉积CdTe薄膜。对CdTe薄膜掺杂In ,并用氮气作保护气体 ,在不同温度和时间下对薄膜进行热处理 ,研究薄膜的电学特性和光学特性。结果表明 ,用真空气相沉积法制备的CdTe薄膜的电学。

关键词 CDTE薄膜 真空气相沉积 掺杂 热处理 碲化薄膜 电学特性 光学特性 铟 半导体

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1 nm i-AlN电子阻挡层对AlGaN-UV-LED性能的影响

17

作者 朱友华 王美玉 +1 位作者 黄静 施敏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第10期743-746,共4页

采用有机金属化学气相沉积法,在1μm氮化铝/蓝宝石衬底上制备了不同结构的AlGaN基多量子阱结构的深紫外发光二极管,其禁带边发光峰位为264 nm。使用透射扫描电镜对器件的结构进行了表征,测试了器件的光学和电学性能。通过分析电致发光... 采用有机金属化学气相沉积法,在1μm氮化铝/蓝宝石衬底上制备了不同结构的AlGaN基多量子阱结构的深紫外发光二极管,其禁带边发光峰位为264 nm。使用透射扫描电镜对器件的结构进行了表征,测试了器件的光学和电学性能。通过分析电致发光谱得出:在器件活性区域和p型AlGaN盖层之间插入1 nm i-AlN电子阻挡层的样品其位于320 nm处的寄生发光峰能被有效抑制,该杂质峰主要是由于电子溢出至p型盖层,与处于Mg相关的受主深能级上的空穴复合所致。此外,验证了该电子阻挡层对发光特性具有一定的改善效果。通过优化UV-LED结构以及合理设定外延层的厚度参数,可以使其出光功率提高一个量级。 展开更多

关键词 氮化铝/蓝宝石衬底 有机金属化学气相沉积法(MOCVD) 深紫外发光二极管 电子阻挡层 光学与电学特性

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APCVD法制备Nb∶TiO_2薄膜及其光电性能 被引量：3

18

作者 杨磊 刘涌 +5 位作者 王慷慨 丛炳俊 程波 陆妍 林俊君 宋晨路 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期526-529,541,共5页

透明导电氧化物（TCO）薄膜要求低电阻率和可见光区高透过率.目前最常用的是ITO薄膜存在着有毒、In成本高等难以克服的缺点.NTO薄膜是近年来新发现的一种具备广阔前景的TCO薄膜,但对它的认识还不充分.本文采用APCVD法在玻璃基板上成功... 透明导电氧化物（TCO）薄膜要求低电阻率和可见光区高透过率.目前最常用的是ITO薄膜存在着有毒、In成本高等难以克服的缺点.NTO薄膜是近年来新发现的一种具备广阔前景的TCO薄膜,但对它的认识还不充分.本文采用APCVD法在玻璃基板上成功制备出了颗粒均匀细小致密的NTO薄膜,探索出最佳反应温度为500℃～550℃,通过高真空退火的方式改善了薄膜晶体质量,光学透过率获得大幅提升,与经过掺杂但未经过H2退火的Nb∶TiO2薄膜和经过H2退火但未掺杂的TiO2薄膜相比较,经过掺杂和H2退火的Nb∶ TiO2薄膜其电学性能得到明显改善. 展开更多

关键词 透明导电氧化物薄膜 常压化学气相沉积 晶体质量 光电性能

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沉积气压对纳米晶硅薄膜晶化率与电输运性能的影响 被引量：1

19

作者 潘园园 沈鸿烈 +2 位作者 张磊 吴天如 江丰 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期110-114,共5页

采用热丝化学气相沉积法在不同气压(1～8 Pa)下沉积了p型纳米晶硅薄膜,研究了沉积气压对薄膜晶化率和电输运性能的影响。结果表明,薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸随沉积气压升高而增大,而当沉积气压超过6 Pa后,薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸... 采用热丝化学气相沉积法在不同气压(1～8 Pa)下沉积了p型纳米晶硅薄膜,研究了沉积气压对薄膜晶化率和电输运性能的影响。结果表明,薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸随沉积气压升高而增大,而当沉积气压超过6 Pa后,薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸会减小。当沉积气压由1 Pa升高到2 Pa时,BH3粒子迅速增多,且吸附方式是化学吸附,因而载流子浓度从8.9×1018cm-3迅速增大到6.252×1020cm-3。此时电导率从1.08 S/cm显著增加到29.5 S/cm,而电导激活能则从95.8meV急剧减小至18.6 meV,这是硼杂质掺杂浓度和薄膜的晶化率迅速增大所致。 展开更多

关键词 沉积气压 纳米晶硅 热丝化学气相沉积 晶化率 电输运性能

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氧分压对ZnO纳米结构的形貌及光学性能的影响(英文) 被引量：1

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作者 王英华 王新昌 +3 位作者 李光明 张兵临 田永涛 姚宁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期184-189,共6页

利用未采用催化剂的真空热蒸发法合成了不同形貌的硅基ZnO纳米结构,研究了氧分压对纳米ZnO结构及光学性能的影响。研究结果表明氧分压对ZnO纳米结构的形貌及光学性能具有明显的影响,在氧分压为25%、10%和5%时制得的纳米ZnO结构分别为纳... 利用未采用催化剂的真空热蒸发法合成了不同形貌的硅基ZnO纳米结构,研究了氧分压对纳米ZnO结构及光学性能的影响。研究结果表明氧分压对ZnO纳米结构的形貌及光学性能具有明显的影响,在氧分压为25%、10%和5%时制得的纳米ZnO结构分别为纳米线、纳米带和纳米梳。X射线衍射测试表明制得的不同ZnO纳米材料均为六方纤锌矿结构,并具有明显的c轴择优取向性。采用PL谱对制备纳米结构的光学性能进行了测试。 展开更多

关键词 热蒸发沉积法 ZNO纳米结构 氧分压 形貌 光学性能

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