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n型Ge基Ba_8Ga_(16-x)Zn_xGe_(30)Ⅰ-型笼合物的制备及电传输特性
1
作者
邓书康
申兰先
+2 位作者
郝瑞亭
田晶
杨培志
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期237-241,共5页
用熔融法结合放电等离子体烧结技术,采用Zn掺杂制备了具有半导体传导特性的n型Ba8Ga16-xZnxGe30I-型笼合物,研究了Zn部分置换Ga对化合物电传输特性的影响。研究表明所制备的化合物为单相的具有空间群Pm3-n的I-型笼合物。Zn掺杂前对应化...
用熔融法结合放电等离子体烧结技术,采用Zn掺杂制备了具有半导体传导特性的n型Ba8Ga16-xZnxGe30I-型笼合物,研究了Zn部分置换Ga对化合物电传输特性的影响。研究表明所制备的化合物为单相的具有空间群Pm3-n的I-型笼合物。Zn掺杂前对应化合物表现为金属传导特性,Zn掺杂后对应化合物表现为典型的杂质半导体传导特性。室温下,随Zn掺杂量的增加,化合物的载流子浓度和载流子有效质量逐渐降低;Zn掺杂对室温载流子迁移率无明显影响。在300～900K温度范围内,随Zn掺杂量的增加对应化合物的电导率逐渐降低,Seebeck系数逐渐增加。Zn掺杂后对应化合物的功率因子与掺杂前相比有所降低,且达到最大值的温度都向低温方向偏移。
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关键词
i-型笼合物
热电材料
电传输特性
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职称材料
题名
n型Ge基Ba_8Ga_(16-x)Zn_xGe_(30)Ⅰ-型笼合物的制备及电传输特性
1
作者
邓书康
申兰先
郝瑞亭
田晶
杨培志
机构
云南师范大学教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期237-241,共5页
基金
国家自然科学青年基金(No.50902119)
云南省社会发展基础研究项目(No.2008CD114
2007E197M)
文摘
用熔融法结合放电等离子体烧结技术,采用Zn掺杂制备了具有半导体传导特性的n型Ba8Ga16-xZnxGe30I-型笼合物,研究了Zn部分置换Ga对化合物电传输特性的影响。研究表明所制备的化合物为单相的具有空间群Pm3-n的I-型笼合物。Zn掺杂前对应化合物表现为金属传导特性,Zn掺杂后对应化合物表现为典型的杂质半导体传导特性。室温下,随Zn掺杂量的增加,化合物的载流子浓度和载流子有效质量逐渐降低;Zn掺杂对室温载流子迁移率无明显影响。在300～900K温度范围内,随Zn掺杂量的增加对应化合物的电导率逐渐降低,Seebeck系数逐渐增加。Zn掺杂后对应化合物的功率因子与掺杂前相比有所降低,且达到最大值的温度都向低温方向偏移。
关键词
i-型笼合物
热电材料
电传输特性
Keywords
type-I clathrate
thermoelectric material
electrical transport property
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
n型Ge基Ba_8Ga_(16-x)Zn_xGe_(30)Ⅰ-型笼合物的制备及电传输特性
邓书康
申兰先
郝瑞亭
田晶
杨培志
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
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