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室温工作HSGFET型O_3传感器的特性检测和分析
1
作者
俞梅
牛文成
+1 位作者
孙钟林
李华伟
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2003年第12期42-43,共2页
文中的O3传感器采用悬浮栅结构,敏感膜选用In2O3纳米材料及其掺入适量γ-Fe2O3等的混合物,与增强型和 耗尽型的FET组合成不同类型的传感器,对其吸附时间和脱附时间以及温度特性进行了对比实验,并进行了理论分析。
关键词
臭氧传感器
吸附时间
脱附时间
敏感膜
室温
检测
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职称材料
题名
室温工作HSGFET型O_3传感器的特性检测和分析
1
作者
俞梅
牛文成
孙钟林
李华伟
机构
南开大学信息技术学院微电子学系
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2003年第12期42-43,共2页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.69876023)。
文摘
文中的O3传感器采用悬浮栅结构,敏感膜选用In2O3纳米材料及其掺入适量γ-Fe2O3等的混合物,与增强型和 耗尽型的FET组合成不同类型的传感器,对其吸附时间和脱附时间以及温度特性进行了对比实验,并进行了理论分析。
关键词
臭氧传感器
吸附时间
脱附时间
敏感膜
室温
检测
Keywords
hybrid
suspended
gate
field-effect
transistor
(
hsgfet
)
Ozone Sensor
Adsorption/ Desorption time
Sensitive Layer
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名
作者
出处
发文年
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1
室温工作HSGFET型O_3传感器的特性检测和分析
俞梅
牛文成
孙钟林
李华伟
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2003
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