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经颅磁声刺激下分数阶扩展Hindmarsh-Rose神经元放电特性分析
被引量：
3
1
作者
赵松
刘丹
+1 位作者
罗小元
袁毅
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2022年第2期534-542,共9页
该文基于分数阶扩展Hindmarsh-Rose(HR)神经元模型,对其在经颅磁声刺激(TMAS)影响下的放电模式和放电频率进行了分析研究。作为神经元的外部刺激输入,具有不同磁声参数的经颅磁声刺激产生的交变电流会对神经元的放电特性产生不同的影响...
该文基于分数阶扩展Hindmarsh-Rose(HR)神经元模型,对其在经颅磁声刺激(TMAS)影响下的放电模式和放电频率进行了分析研究。作为神经元的外部刺激输入,具有不同磁声参数的经颅磁声刺激产生的交变电流会对神经元的放电特性产生不同的影响。通过对不同磁感应强度、超声强度以及超声频率下神经元的膜电位曲线以及以磁声参数为变量的峰峰间隔分岔图进行定量分析可知,分数阶扩展HR神经元模型放电模式和放电节律的调节可通过改变经颅磁声刺激的磁感应强度和超声强度来实现。然而,超声频率的改变不会对神经元放电模式产生影响,但其取值变化会在小范围内影响神经元的放电频率。此外,通过对比分数阶与整数阶神经元在不同磁声参数交变电流刺激下的放电特性可知,分数阶扩展HR神经元模型具有更多变的放电模式和更复杂的放电节律。该文的结论有利于了解经颅磁声刺激的影响机制,进而为其实验和临床应用提供理论依据。
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关键词
经颅磁声刺激
放电特性
分数阶
hindmarsh-rose
神经元模型
混沌
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职称材料
局部有源忆阻器电路及其在HR耦合神经元网络中的应用
被引量：
6
2
作者
孙亮
罗佳
乔印虎
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2021年第11期3374-3383,共10页
该文提出一种新型局部有源忆阻器,使用标准非线性理论分析方法分析其特性,并通过直流伏安特性曲线来证明其局部有源性。此外,将局部有源忆阻器用于模拟生物突触,构建了一个局部有源忆阻突触耦合HR神经元网络。理论分析和数值仿真表明,...
该文提出一种新型局部有源忆阻器,使用标准非线性理论分析方法分析其特性,并通过直流伏安特性曲线来证明其局部有源性。此外,将局部有源忆阻器用于模拟生物突触,构建了一个局部有源忆阻突触耦合HR神经元网络。理论分析和数值仿真表明,在局部有源忆阻突触的影响下它能够产生多种放电模式和复杂的混沌行为。最后,实现了该局部有源忆阻突触耦合神经网络的模拟等效电路,并由功率模拟(PSIM)电路仿真验证了数值仿真的正确性。
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关键词
局部有源忆阻器
hr
神经元
放电模式
混沌
模拟电路
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职称材料
题名
经颅磁声刺激下分数阶扩展Hindmarsh-Rose神经元放电特性分析
被引量：
3
1
作者
赵松
刘丹
罗小元
袁毅
机构
河北医科大学第二医院医学影像科
河北中医学院中西医结合学院
燕山大学电气工程学院
出处
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2022年第2期534-542,共9页
基金
国家自然科学基金(61873228)
河北省重点研发计划民生科技专项(20377789D)
河北省卫生健康委重点科技研究计划项目(20210446)。
文摘
该文基于分数阶扩展Hindmarsh-Rose(HR)神经元模型,对其在经颅磁声刺激(TMAS)影响下的放电模式和放电频率进行了分析研究。作为神经元的外部刺激输入,具有不同磁声参数的经颅磁声刺激产生的交变电流会对神经元的放电特性产生不同的影响。通过对不同磁感应强度、超声强度以及超声频率下神经元的膜电位曲线以及以磁声参数为变量的峰峰间隔分岔图进行定量分析可知,分数阶扩展HR神经元模型放电模式和放电节律的调节可通过改变经颅磁声刺激的磁感应强度和超声强度来实现。然而,超声频率的改变不会对神经元放电模式产生影响,但其取值变化会在小范围内影响神经元的放电频率。此外,通过对比分数阶与整数阶神经元在不同磁声参数交变电流刺激下的放电特性可知,分数阶扩展HR神经元模型具有更多变的放电模式和更复杂的放电节律。该文的结论有利于了解经颅磁声刺激的影响机制,进而为其实验和临床应用提供理论依据。
关键词
经颅磁声刺激
放电特性
分数阶
hindmarsh-rose
神经元模型
混沌
Keywords
Transcranial Magneto-Acoustical Stimulation(TMAS)
Firing characteristics
Fractional-order
hindmarsh-rose
(
hr
)
neuron
al
model
Chaos
分类号
Q811.4 [生物学—生物工程]
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职称材料
题名
局部有源忆阻器电路及其在HR耦合神经元网络中的应用
被引量：
6
2
作者
孙亮
罗佳
乔印虎
机构
池州职业技术学院机电与汽车系
安徽科技学院机械工程学院
出处
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2021年第11期3374-3383,共10页
基金
安徽省自然科学研究重点项目(KJ2017A728,KJ2019A1138)
安徽省教学研究一般项目(2016jyxm0714)。
文摘
该文提出一种新型局部有源忆阻器,使用标准非线性理论分析方法分析其特性,并通过直流伏安特性曲线来证明其局部有源性。此外,将局部有源忆阻器用于模拟生物突触,构建了一个局部有源忆阻突触耦合HR神经元网络。理论分析和数值仿真表明,在局部有源忆阻突触的影响下它能够产生多种放电模式和复杂的混沌行为。最后,实现了该局部有源忆阻突触耦合神经网络的模拟等效电路,并由功率模拟(PSIM)电路仿真验证了数值仿真的正确性。
关键词
局部有源忆阻器
hr
神经元
放电模式
混沌
模拟电路
Keywords
Locally active memristor
hindmarsh-rose
(
hr
)
neuron
model
Firing pattern
Chaos
Analog circuit
分类号
TN711.4 [电子电信—电路与系统]
TN601 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
经颅磁声刺激下分数阶扩展Hindmarsh-Rose神经元放电特性分析
赵松
刘丹
罗小元
袁毅
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2022
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
局部有源忆阻器电路及其在HR耦合神经元网络中的应用
孙亮
罗佳
乔印虎
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2021
6
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