表面沟道漏电对长波光伏HgCdTe器件性能的影响 被引量：2

1

作者 赵鸿燕 彭震宇 鲁正雄 《航空兵器》 2005年第6期20-22,共3页

研究了表面沟道漏电流对长波n-p HgCdTe光伏器件性能的影响。通过对栅控HgCdTe二极管I-V特性的研究,证实了表面势引入的表面漏电对长波HgCdTe光伏器件反向I-V特性具有较大的影响,提出了改进方向。

关键词 长波光伏hgcdte器件 伏安特性 表面漏电流

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长波HgCdTe光伏器件漏电机理分析 被引量：3

2

作者 曾戈虹 《红外技术》 CSCD 1994年第6期16-19,共4页

从器件制造工艺的角度，分析了长波ＨｇＣｄＴｅ光伏探测器的体内和表面漏电机理，认为深能级的辅助跃迁在体内漏电方面起主要作用。选择适当的离子注入剂量，可有效地降低体内深能级密度。表面漏电则与ＨｇＣｄＴｅ的表百状态有关，Ｚ... 从器件制造工艺的角度，分析了长波ＨｇＣｄＴｅ光伏探测器的体内和表面漏电机理，认为深能级的辅助跃迁在体内漏电方面起主要作用。选择适当的离子注入剂量，可有效地降低体内深能级密度。表面漏电则与ＨｇＣｄＴｅ的表百状态有关，ＺｎＳ／ＨｇＣｄＴｅ之间的界面状态与ＨｇＣｄＴｅ表面的预处理方法有直接关系。控制ＺｕＳ／ＨｇＣｄＴｅ界面组成元素组分，便能控制表面状态，减小表面漏电。经采取相应工艺措施，ｎ＋ｐ结的特性明显提高，单片测量平均零偏阻抗Ｒ０～１０５Ω，平均器件优质Ｒ０Ａ～１Ωｃｍ２。 展开更多

关键词 hgcdte 光伏器件 漏电 光伏探测器

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回熔过程对HgCdTe长波红外光伏探测器的I-V性能的影响 被引量：1

3

作者 孙柏蔚 胡晓宁 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期221-224,共4页

对三种不同工艺的HgCdTe长波器件(标准工艺、回熔处理、离子注入后退火)的I-V性能分别进行测试,并通过理论计算与实验数据拟合提取上述器件参数,分析暗电流机制及导致暗电流变化的原因。文章中使用的暗电流机制的模型由扩散电流、产生-... 对三种不同工艺的HgCdTe长波器件(标准工艺、回熔处理、离子注入后退火)的I-V性能分别进行测试,并通过理论计算与实验数据拟合提取上述器件参数,分析暗电流机制及导致暗电流变化的原因。文章中使用的暗电流机制的模型由扩散电流、产生-复合电流、缺陷辅助隧道电流和直接隧道电流组成。从拟合得到的器件参数中可以发现回熔过程中产生了大量的缺陷,导致缺陷辅助隧道电流、产生复合电流显著增加,器件反偏电阻减小,I-V性能变差。与离子注入后退火器件的性能变化相比,推测导致器件回熔后性能下降的原因是ZnS钝化层受热不稳定。 展开更多

关键词 光电子学 hgcdte长波器件 回熔 暗电流

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光伏型长波HgCdTe红外探测器的数值模拟研究 被引量：10

4

作者 徐向晏 陆卫 +1 位作者 陈效双 徐文兰 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期251-256,共6页

报道了光伏型长波Hg1-xCdxTe(x=0.224)n-on-p红外探测器数值模拟研究的结果.采用二维模型,在背照射方式下,以p区厚度、两电极间距离、结区杂质浓度分布、少子寿命为参量,模拟计算了R0A积、零偏光电流与这些参量之间的变化关系.计算表明,... 报道了光伏型长波Hg1-xCdxTe(x=0.224)n-on-p红外探测器数值模拟研究的结果.采用二维模型,在背照射方式下,以p区厚度、两电极间距离、结区杂质浓度分布、少子寿命为参量,模拟计算了R0A积、零偏光电流与这些参量之间的变化关系.计算表明,随p区厚度增加,R0A积下降;R0A积随电极之间距离增大而增加,但量子效率随距离增大而降低,电极之间最佳距离大约为100μm;R0A积和光电流对结区杂质浓度分布形状不敏感;随少子(电子)寿命降低,R0A积和光电流下降.二维模型弥补了一维模型难以计算横向电流、电场的缺点. 展开更多

关键词 hgcdte 长波红外探测器 R0A积 量子效率 少子寿命

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激光辐照对长波HgCdTe光导探测器电学参数的影响 被引量：6

5

作者 朱克学 张赟 +2 位作者 李向阳 龚海梅 方家熊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2002年第1期55-59,共5页

对长波HgCdTe光导探测器进行了低于其永久损伤阈值的变功率激光辐照 ,测量辐照前后器件的电阻 温度特性 ,用电阻 温度特性研究材料参数的方法对实验结果进行拟合 ,结果表明辐照后HgCdTe探测器件的组分变大 ,并由此计算得到探测器性能... 对长波HgCdTe光导探测器进行了低于其永久损伤阈值的变功率激光辐照 ,测量辐照前后器件的电阻 温度特性 ,用电阻 温度特性研究材料参数的方法对实验结果进行拟合 ,结果表明辐照后HgCdTe探测器件的组分变大 ,并由此计算得到探测器性能突变后 ,器件的电子迁移率与电子浓度均有一定程度减小。 展开更多

关键词 长波hgcdte光导探测器 激光辐照 电学参数

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长波HgCdTe红外探测器的暗电流机理研究进展 被引量：8

6

作者 陈效双 许娇 +5 位作者 胡伟达 王俊 陈勇国 黄燕 周孝好 陆卫 《红外技术》 CSCD 北大核心 2015年第5期353-360,379,共9页

介绍了HgCdTe红外探测器的发展历程,详细分析了长波HgCdTe红外探测器的暗电流机制、采用同时拟合方法对暗电流参数进行提取与分析,介绍了为降低暗电流的一些新的研究进展。

关键词 长波hgcdte红外探测器 暗电流 非线性同时拟合方法 混合表面钝化

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p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件技术研究 被引量：4

7

作者 李立华 熊伯俊 +4 位作者 杨超伟 李雄军 万志远 赵鹏 刘湘云 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期534-539,共6页

As注入掺杂的p-on-n结构器件具有暗电流小、R_(0)A值高、少子寿命长等优点,是长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件发展的重要趋势。介绍了由昆明物理研究所研究制备的77 K温度下截止波长为9.5μm、10.1μm和71 K下14.97μm的p-on-n长波、... As注入掺杂的p-on-n结构器件具有暗电流小、R_(0)A值高、少子寿命长等优点,是长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件发展的重要趋势。介绍了由昆明物理研究所研究制备的77 K温度下截止波长为9.5μm、10.1μm和71 K下14.97μm的p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件,对器件的响应率、NETD、暗电流及R_(0)A等性能参数进行测试分析。测试结果表明,器件的有效像元率在99.78%~99.9%之间,器件的NETD均小于21 mK。实现了p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件的有效制备。 展开更多

关键词 碲镉汞红外探测器 p-on-n长波器件 焦平面性能测试 NETD 暗电流

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CO_2激光对HgCdTe焦平面器件热力作用的理论分析 被引量：2

8

作者 雷鹏 聂劲松 +2 位作者 李化 卞进田 王玺 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期360-365,共6页

利用有限元分析方法,对CO2连续激光辐照HgCdTe红外焦平面器件的温升效应和热应力效应进行模拟计算,模型的建立加入了In柱对实验的影响。对温度及热应力分布进行分析,结果表明,探测器的温度分布随着激光辐照时间的增加而出现明显的变化... 利用有限元分析方法,对CO2连续激光辐照HgCdTe红外焦平面器件的温升效应和热应力效应进行模拟计算,模型的建立加入了In柱对实验的影响。对温度及热应力分布进行分析,结果表明,探测器的温度分布随着激光辐照时间的增加而出现明显的变化。在感光层与In柱阵列的交界面上所产生的热应力对HgCdTe红外焦平面器件造成的损伤有可能先于温升损伤而发生。 展开更多

关键词 hgcdte红外焦平面器件 有限元方法 In柱 温升效应 热应力

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n-HgCdTe光导器件的两种表面钝化研究 被引量：1

9

作者 周咏东 方家熊 汤定元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期233-236,共4页

利用 Ar+束溅射沉积技术实现了 Cd Te薄膜的低温生长 ,利用电化学方法进行了 Hg Cd Te表面自身阳极氧化膜的生长 ,利用生长的 Cd Te介质膜和 Hg Cd Te表面自身阳极氧化膜对 n- Hg Cd Te光导器件进行了表面钝化 .对两种器件的电阻、各项... 利用 Ar+束溅射沉积技术实现了 Cd Te薄膜的低温生长 ,利用电化学方法进行了 Hg Cd Te表面自身阳极氧化膜的生长 ,利用生长的 Cd Te介质膜和 Hg Cd Te表面自身阳极氧化膜对 n- Hg Cd Te光导器件进行了表面钝化 .对两种器件的电阻、各项性能指标进行了测量分析 ,实验表明得到的 Cd Te/ Hg Cd Te界面质量已达到器件实用化水平 . 展开更多

关键词 红外探测器 碲化镉 光导器件 表面钝化 hgcdte

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Au/CdTe+ZnS/HgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究

10

作者 周咏东 方家熊 +4 位作者 李言谨 龚海梅 吴小山 靳秀芳 汤定元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期249-252,共4页

通过介质膜 Zn S、Cd Te薄膜材料的 Ar+ 束溅射沉积研究 ,结合 Hg Cd Te器件工艺 ,成功制备了以 Zn S、Cd Te双层介质膜为绝缘层的 Hg Cd Te MIS器件 ;通过对器件的 C- V特性实验分析 ,获得了 Cd Te/ Hg Cd Te界面电学特性参数 .实验表... 通过介质膜 Zn S、Cd Te薄膜材料的 Ar+ 束溅射沉积研究 ,结合 Hg Cd Te器件工艺 ,成功制备了以 Zn S、Cd Te双层介质膜为绝缘层的 Hg Cd Te MIS器件 ;通过对器件的 C- V特性实验分析 ,获得了 Cd Te/ Hg Cd Te界面电学特性参数 .实验表明 :溅射沉积介质膜 Cd Te+Zn S对 Hg Cd Te的表面钝化已经可以满足 Hg Cd 展开更多

关键词 薄膜 hgcdte 红外焦平面 器表面纯化 MIS器件 碲化镉 硫化锌

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10.6μm激光对HgCdTe焦平面器件热应力的分析

11

作者 郝向南 聂劲松 +2 位作者 李化 卞进田 雷鹏 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期790-794,共5页

建立了HgCdTe红外焦平面器件的多膜层理论模型,利用有限元分析的方法,对10.6μm激光辐照下HgCdTe红外焦平面器件的升温情况与热应力分布情况进行模拟,并通过参考已有文献的实验结果,验证了理论模型的合理性。理论分析结果表明:激光作用... 建立了HgCdTe红外焦平面器件的多膜层理论模型,利用有限元分析的方法,对10.6μm激光辐照下HgCdTe红外焦平面器件的升温情况与热应力分布情况进行模拟,并通过参考已有文献的实验结果,验证了理论模型的合理性。理论分析结果表明:激光作用时探测器的温度场变化剧烈,200 W/cm2连续激光作用1 s后,HgCdTe感光层所受热应力为-986 MPa;脉宽100 ns,功率密度15 MW/cm2脉冲激光作用后,HgCdTe感光层所受热应力为-1300 MPa,都比器件制造过程中由于热失配而产生的热应力大;应力损伤发生的概率增大,可能比热损伤先发生,是HgCdTe红外焦平面器件激光损伤中的重要原因。 展开更多

关键词 hgcdte红外焦平面器件 热失配效应 激光热应力作用 有限元分析

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砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列的制备与性能

12

作者 李海滨 林春 +3 位作者 陈兴国 魏彦峰 徐竟杰 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期403-406,共4页

采用砷(As)掺杂HgCdTe材料研制了响应截止波长为12.5μm,规格为256×1的长波红外光电二极管阵列.实验设计了一种新的pn结测量方法,测量发现砷掺长波HgCdTe材料离子注入形成pn结深度在3.6～5.3μm之间,而其最大横向尺寸大约是设计尺... 采用砷(As)掺杂HgCdTe材料研制了响应截止波长为12.5μm,规格为256×1的长波红外光电二极管阵列.实验设计了一种新的pn结测量方法,测量发现砷掺长波HgCdTe材料离子注入形成pn结深度在3.6～5.3μm之间,而其最大横向尺寸大约是设计尺寸的1.3倍.实验采用一种改进的表面处理工艺制备了砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列,获得了良好的电学性能,该工艺与常规表面处理工艺相比可以使器件峰值阻抗提高2个量级,而-0.5 v偏压下的动态电阻可提高约30倍.研究认为,器件性能提高的原因是由于改进工艺可以有效抑制器件表面漏电流. 展开更多

关键词 As掺HgCdT 长波hgcdte红外光电二极管阵列 伏安特性 表面处理工艺

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HgCdTe MIS器件制备及其C-V特性研究

13

作者 张朝阳 蔡毅 张鹏翔 《红外技术》 CSCD 北大核心 2002年第5期42-45,共4页

通过在P HgCdTe上生长阳极硫化膜和ZnS介质钝化层 ,制备出了性能较好的MIS器件 ,并通过对MIS器件C V特性的分析 ,获得了ZnS/自身钝化膜 /P HgCdTe的界面特性。所测的界面电荷密度在 10 10 ～ 10 11cm- 2 之间 ,平带电压在

关键词 hgcdte MIS器件 C-V特性 红外焦平面探测器

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HgCdTe器件芯片成型离子束刻蚀掩蔽膜的改进

14

作者 马波云 陈铁金 徐植春 《红外技术》 CSCD 1990年第4期42-42,共1页

随着半导体技术的发展,尤其是红外薄膜台面型器件图形日愈微细化的情况下,传统的化学腐蚀技术远不能满足器件成型研制的要求,所以,干法刻蚀越来越成为器件制备的主要手段之一。而在该工艺中。

关键词 hgcdte器件 芯片 离子刻蚀 掩蔽膜

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HgCdTe电荷耦合器件工艺

15

作者 M.A.Kinch R.A.chapman +3 位作者 A.Simmons D.D.Buss S.R.Borrello 柳圭如 《红外技术》 1980年第4期1-20,共20页

首次论证了禁带可变合金Hg_1-∞Cd_∞Te电荷耦合器件的作用。用0.25eV的n型材料制作了16位移位寄存器,其电荷转移效率为0.9995。描述了这些器件的工作方式,把它们的性能与简单的CCD理论用于这种窄禁带红外敏感材料所得到的结果进行了比... 首次论证了禁带可变合金Hg_1-∞Cd_∞Te电荷耦合器件的作用。用0.25eV的n型材料制作了16位移位寄存器,其电荷转移效率为0.9995。描述了这些器件的工作方式,把它们的性能与简单的CCD理论用于这种窄禁带红外敏感材料所得到的结果进行了比较。文中所列有关单台面MIS器件的资料,证明我们对器件的分析是正确的,显示了这种工艺在未来的焦平面应用方面的潜力。 展开更多

关键词 电荷耦合器件 浮置栅 移位寄存器 hgcdte 场板 电荷转移效率 栅极

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高功率CO2激光对远场HgCdTe探测器的干扰实验 被引量：22

16

作者 王思雯 郭立红 +4 位作者 赵帅 刘洪波 崔爽 于洋 李姜 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期798-804,共7页

理论分析和实验研究了高功率CO2激光对远场光导型长波红外HgCdTe探测器的干扰损伤。采用激光辐照探测器的温升理论模型,根据实验参数,讨论了高功率激光对长波红外探测器的损伤机理,计算了温升与辐照时间和功率的关系,并和CO2激光器在距... 理论分析和实验研究了高功率CO2激光对远场光导型长波红外HgCdTe探测器的干扰损伤。采用激光辐照探测器的温升理论模型,根据实验参数,讨论了高功率激光对长波红外探测器的损伤机理,计算了温升与辐照时间和功率的关系,并和CO2激光器在距离15km处辐照光导型长波红外HgCdTe探测器的实验结果进行对比分析。实验结果表明,2.5kW连续CO2激光经过大气衰减后在15km处激光功率密度可达0.161W/cm2,计算可知此时会聚到探测器靶面处的功率密度为140W/cm2;靶面处功率密度为20.5W/cm2时,对探测器产生干扰;靶面处功率密度为110W/cm2时,达到损伤,计算此时探测器表面温度已达到Hg析出温度,这一实验现象和理论计算预期结果相吻合。实验结论对研究探测器的激光防护和激光干扰星载探测器技术具有指导意义。 展开更多

关键词 CO2激光 长波红外探测器 hgcdte探测器 温升模型 干扰阈值 损伤阈值

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同时模式的中波/长波碲镉汞双色红外探测器 被引量：7

17

作者 叶振华 李杨 +7 位作者 胡伟达 陈路 廖亲君 陈洪雷 林春 胡晓宁 丁瑞军 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期497-500,共4页

采用光刻胶喷涂技术,突破了碲镉汞双色探测器加工的非平面离子注入和金属化开口等工艺.基于分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p3-p2-P1型碲镉汞(Hg1-xCdxTe)多层异质结材料,通过MW光电二极管n型注入区的开口刻蚀、非平面的MW/LW同步B... 采用光刻胶喷涂技术,突破了碲镉汞双色探测器加工的非平面离子注入和金属化开口等工艺.基于分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p3-p2-P1型碲镉汞(Hg1-xCdxTe)多层异质结材料,通过MW光电二极管n型注入区的开口刻蚀、非平面的MW/LW同步B+注入、台面侧向钝化和爬坡金属化,得到了同时模式的128×128面阵MW/LW双色探测器.在液氮温度下,MW/LW双色探测器两个波段的光电二极管截止波长λc分别为5.10μm和10.10μm,对应的峰值探测率Dλp*分别为2.02×1011cmHz1/2/W和3.10×1010cmHz1/2/W.通过对同时模式双色探测器材料与芯片结构的优化设计,HgCdTe双色探测器MW向LW、LW向MW的光谱串音分别抑制到了3.8%和4.4%. 展开更多

关键词 hgcdte 中波 长波双色 同时模式 光谱串音

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新型亚波长陷光结构HgCdTe红外探测器研究进展 被引量：25

18

作者 胡伟达 梁健 +2 位作者 越方禹 陈效双 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期25-36,51,共13页

综述了近几年来亚波长陷光结构Hg Cd Te红外探测器研究进展.系统介绍了一种结合有限元方法与时域有限差分方法对红外探测器的"光""电"特性进行联合模拟和设计方法,以及基于这种新的数值模拟方法对亚波长人工微结构H... 综述了近几年来亚波长陷光结构Hg Cd Te红外探测器研究进展.系统介绍了一种结合有限元方法与时域有限差分方法对红外探测器的"光""电"特性进行联合模拟和设计方法,以及基于这种新的数值模拟方法对亚波长人工微结构Hg Cd Te红外探测器的模拟和分析结果.理论分析和实验研制数据均显示这种新型亚波长人工微结构结构具有很好的陷光特性,在提高长波红外探测器性能方面具有潜在应用前景. 展开更多

关键词 hgcdte红外探测器 亚波长人工微结构 陷光效应 长波红外探测器 金属表面等离子激元

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碲镉汞 p^+-on-n长波异质结探测器的研究 被引量：10

19

作者 叶振华 吴俊 +4 位作者 胡晓宁 巫艳 王建新 李言谨 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期423-426,共4页

报道了HgCdTep+onn长波异质结焦平面器件的研究结果.采用由分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p+onn异质结材料,通过湿法腐蚀、台面钝化、台面金属化、铟柱制备和互连等工艺,得到了HgCdTep+onn长波异质结焦平面器件.根据IV实验结果和... 报道了HgCdTep+onn长波异质结焦平面器件的研究结果.采用由分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p+onn异质结材料,通过湿法腐蚀、台面钝化、台面金属化、铟柱制备和互连等工艺,得到了HgCdTep+onn长波异质结焦平面器件.根据IV实验结果和暗电流理论,拟合计算和分析了各种暗电流机制对器件性能的影响,且获得了器件的响应光谱和探测率. 展开更多

关键词 异质结 焦平面器件 碲镉汞 MBE 暗电流 器件性能 湿法腐蚀 长波 结焦 工艺

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Au掺杂碲镉汞长波探测器技术研究 被引量：1

20

作者 宋林伟 孔金丞 +5 位作者 赵鹏 姜军 李雄军 方东 杨超伟 舒畅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第4期1-8,共8页

昆明物理研究所多年来持续开展了对Au掺杂碲镉汞材料、器件结构设计、可重复的工艺开发等研究,突破了Au掺杂碲镉汞材料电学可控掺杂、器件暗电流控制等关键技术,将n-on-p型碲镉汞长波器件品质因子(R_(0)A)从31.3Ω·cm^(2)提升到了... 昆明物理研究所多年来持续开展了对Au掺杂碲镉汞材料、器件结构设计、可重复的工艺开发等研究,突破了Au掺杂碲镉汞材料电学可控掺杂、器件暗电流控制等关键技术,将n-on-p型碲镉汞长波器件品质因子(R_(0)A)从31.3Ω·cm^(2)提升到了363Ω·cm^(2)(λ_(cutoff)=10.5μm@80 K),器件暗电流较本征汞空位n-on-p型器件降低了一个数量级以上。研制的非本征Au掺杂长波探测器经历了超过7年的时间贮存,性能无明显变化,显示了良好的长期稳定性。基于Au掺杂碲镉汞探测器技术,昆明物理研究所实现了256×256(30μm pitch)、640×512(25μm pitch)、640×512(15μm pitch)、1024×768(10μm pitch)等规格的长波探测器研制和批量能力,实现了非本征Au掺杂长波碲镉汞器件系列化发展。 展开更多

关键词 Au掺杂 暗电流 长波红外 碲镉汞(hgcdte) 焦平面

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