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外加横向磁场下Bridgman法生长HgCdTe晶体的实验研究
1
作者
蓝慕杰
叶水驰
+3 位作者
鲍海飞
于杰
周士仁
王培林
《哈尔滨工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期8-10,共3页
介绍自行研制的可以施加横向磁场中的垂直Bridgman法晶体生长装置，该装置磁场强度可在0－0．6T围内连续调节，生长区温度梯度达40－70℃／cm．不同磁场强度下进行了HgCdTe晶体生长实验，通过测量分析，研究了轴向和径向组分分布的变化...
介绍自行研制的可以施加横向磁场中的垂直Bridgman法晶体生长装置，该装置磁场强度可在0－0．6T围内连续调节，生长区温度梯度达40－70℃／cm．不同磁场强度下进行了HgCdTe晶体生长实验，通过测量分析，研究了轴向和径向组分分布的变化与磁场的关系．实验结果表明，由于磁场对熔体中热对流的作用，尤其是横向磁场与流胞的相互作用，在一定程度上改变生长界面的形状。
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关键词
磁场
晶体生长
BRIDGMAN法
碲镉汞晶体
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职称材料
外加横向磁场生长优质HgCdTe晶体
2
作者
叶水驰
蓝慕杰
+2 位作者
鲍海飞
于杰
周士仁
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期326-326,共1页
随着红外技术的发展及军事和民用红外探测器（陈列）应用领域的不断扩大，对红外基础材料的需求也日益增长。碲隔汞材料以其工作温度高，适用谱区范围宽而受到重视，并已经发展了多种晶体和薄膜的制备工艺技术。近年来，在从熔体中生长...
随着红外技术的发展及军事和民用红外探测器（陈列）应用领域的不断扩大，对红外基础材料的需求也日益增长。碲隔汞材料以其工作温度高，适用谱区范围宽而受到重视，并已经发展了多种晶体和薄膜的制备工艺技术。近年来，在从熔体中生长半导体材料时，为了抑制熔体中对流所引起的溶质或掺杂剂浓度的波动而采用了磁场中生长晶体技术。这种抑制作用起因于磁场所引起的洛仑兹力，它减小了那些与温度梯度或组分梯度有关的浮力所驱动的胞状对流的强度。在用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｒｉ法生长Ｓｉ及ＧａＡｓ晶体时，采用横向的或垂直的磁场成功地抑制了不稳定的热对流，从而获得了高质量的晶体。本文介绍了我们自行研制的磁场中Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长碲镉汞晶体。ＨｇＣｄＴｅ晶体的生长：用所研制的装置进行了碲镉汞晶体生长实验，实验条件与布里奇曼法相同，即用内径１２～１４ｍｍ的石英安瓶，按ｘ＝０．２装料１０～１２ｃｍ，以０．２５ｍｍ／ｈ的速度通过生长区。开管后，沿垂直于生长轴方向切片，分别用Ｘ荧光法和Ｘ能谱法测量其轴向和径向的组分分布，在不加磁场和分别施加２ｋＧｓ，３ｋＧｓ，及４ｋＧｓ，５ｋＧｓ的磁场条件下，先后生长了１０余只样品。利用自制的磁场Ｂｒｉｄｇｍａｎ法晶体生长装置?
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关键词
碲镉汞晶体
磁场
晶体生长
半导体
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职称材料
微重力环境和外加磁场对晶体生长中杂质分凝的影响
被引量：
7
3
作者
李凯
徐自亮
《力学进展》
EI
CSCD
北大核心
1999年第2期221-231,共11页
浮区结晶法是生长体单晶的重要方法之一．本文从理论和实验两方面综述了浮区结晶法中熔体内宏观场对体单晶中杂质分布均匀性影响的定性和定量研究，并从改善体单晶杂质分布均匀性的角度出发。
关键词
晶体生长
杂质分凝
微重力环境
外加磁场
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职称材料
题名
外加横向磁场下Bridgman法生长HgCdTe晶体的实验研究
1
作者
蓝慕杰
叶水驰
鲍海飞
于杰
周士仁
王培林
机构
哈尔滨工业大学航天电子与光电工程系
出处
《哈尔滨工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期8-10,共3页
文摘
介绍自行研制的可以施加横向磁场中的垂直Bridgman法晶体生长装置，该装置磁场强度可在0－0．6T围内连续调节，生长区温度梯度达40－70℃／cm．不同磁场强度下进行了HgCdTe晶体生长实验，通过测量分析，研究了轴向和径向组分分布的变化与磁场的关系．实验结果表明，由于磁场对熔体中热对流的作用，尤其是横向磁场与流胞的相互作用，在一定程度上改变生长界面的形状。
关键词
磁场
晶体生长
BRIDGMAN法
碲镉汞晶体
Keywords
magnetic
field
hgcdte
crystal
growth
分类号
O782.9 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
外加横向磁场生长优质HgCdTe晶体
2
作者
叶水驰
蓝慕杰
鲍海飞
于杰
周士仁
机构
哈尔滨工业大学航天电子与光电工程系
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期326-326,共1页
文摘
随着红外技术的发展及军事和民用红外探测器（陈列）应用领域的不断扩大，对红外基础材料的需求也日益增长。碲隔汞材料以其工作温度高，适用谱区范围宽而受到重视，并已经发展了多种晶体和薄膜的制备工艺技术。近年来，在从熔体中生长半导体材料时，为了抑制熔体中对流所引起的溶质或掺杂剂浓度的波动而采用了磁场中生长晶体技术。这种抑制作用起因于磁场所引起的洛仑兹力，它减小了那些与温度梯度或组分梯度有关的浮力所驱动的胞状对流的强度。在用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｒｉ法生长Ｓｉ及ＧａＡｓ晶体时，采用横向的或垂直的磁场成功地抑制了不稳定的热对流，从而获得了高质量的晶体。本文介绍了我们自行研制的磁场中Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长碲镉汞晶体。ＨｇＣｄＴｅ晶体的生长：用所研制的装置进行了碲镉汞晶体生长实验，实验条件与布里奇曼法相同，即用内径１２～１４ｍｍ的石英安瓶，按ｘ＝０．２装料１０～１２ｃｍ，以０．２５ｍｍ／ｈ的速度通过生长区。开管后，沿垂直于生长轴方向切片，分别用Ｘ荧光法和Ｘ能谱法测量其轴向和径向的组分分布，在不加磁场和分别施加２ｋＧｓ，３ｋＧｓ，及４ｋＧｓ，５ｋＧｓ的磁场条件下，先后生长了１０余只样品。利用自制的磁场Ｂｒｉｄｇｍａｎ法晶体生长装置?
关键词
碲镉汞晶体
磁场
晶体生长
半导体
Keywords
hgcdte crystal
,
bradgman method
,
crystal growth from magnetic field
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
O782.9 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
微重力环境和外加磁场对晶体生长中杂质分凝的影响
被引量：
7
3
作者
李凯
徐自亮
机构
中国科学院力学研究所微重力实验室
出处
《力学进展》
EI
CSCD
北大核心
1999年第2期221-231,共11页
文摘
浮区结晶法是生长体单晶的重要方法之一．本文从理论和实验两方面综述了浮区结晶法中熔体内宏观场对体单晶中杂质分布均匀性影响的定性和定量研究，并从改善体单晶杂质分布均匀性的角度出发。
关键词
晶体生长
杂质分凝
微重力环境
外加磁场
Keywords
crystal
growth
, floating-zone
method
, dopant segregation, microgravity environment, externally applied
magnetic
field
s
分类号
O78 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
外加横向磁场下Bridgman法生长HgCdTe晶体的实验研究
蓝慕杰
叶水驰
鲍海飞
于杰
周士仁
王培林
《哈尔滨工业大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
外加横向磁场生长优质HgCdTe晶体
叶水驰
蓝慕杰
鲍海飞
于杰
周士仁
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
微重力环境和外加磁场对晶体生长中杂质分凝的影响
李凯
徐自亮
《力学进展》
EI
CSCD
北大核心
1999
7
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职称材料
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