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表面沟道漏电对长波光伏HgCdTe器件性能的影响
被引量：
2
1
作者
赵鸿燕
彭震宇
鲁正雄
《航空兵器》
2005年第6期20-22,共3页
研究了表面沟道漏电流对长波n-p HgCdTe光伏器件性能的影响。通过对栅控HgCdTe二极管I-V特性的研究,证实了表面势引入的表面漏电对长波HgCdTe光伏器件反向I-V特性具有较大的影响,提出了改进方向。
关键词
长波光伏
hgcdte
器件
伏安特性
表面漏电流
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职称材料
长波HgCdTe光伏器件漏电机理分析
被引量：
3
2
作者
曾戈虹
《红外技术》
CSCD
1994年第6期16-19,共4页
从器件制造工艺的角度，分析了长波ＨｇＣｄＴｅ光伏探测器的体内和表面漏电机理，认为深能级的辅助跃迁在体内漏电方面起主要作用。选择适当的离子注入剂量，可有效地降低体内深能级密度。表面漏电则与ＨｇＣｄＴｅ的表百状态有关，Ｚ...
从器件制造工艺的角度，分析了长波ＨｇＣｄＴｅ光伏探测器的体内和表面漏电机理，认为深能级的辅助跃迁在体内漏电方面起主要作用。选择适当的离子注入剂量，可有效地降低体内深能级密度。表面漏电则与ＨｇＣｄＴｅ的表百状态有关，ＺｎＳ／ＨｇＣｄＴｅ之间的界面状态与ＨｇＣｄＴｅ表面的预处理方法有直接关系。控制ＺｕＳ／ＨｇＣｄＴｅ界面组成元素组分，便能控制表面状态，减小表面漏电。经采取相应工艺措施，ｎ＋ｐ结的特性明显提高，单片测量平均零偏阻抗Ｒ０～１０５Ω，平均器件优质Ｒ０Ａ～１Ωｃｍ２。
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关键词
hgcdte
光伏器件
漏电
光伏探测器
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职称材料
题名
表面沟道漏电对长波光伏HgCdTe器件性能的影响
被引量：
2
1
作者
赵鸿燕
彭震宇
鲁正雄
机构
中国空空导弹研究院
出处
《航空兵器》
2005年第6期20-22,共3页
文摘
研究了表面沟道漏电流对长波n-p HgCdTe光伏器件性能的影响。通过对栅控HgCdTe二极管I-V特性的研究,证实了表面势引入的表面漏电对长波HgCdTe光伏器件反向I-V特性具有较大的影响,提出了改进方向。
关键词
长波光伏
hgcdte
器件
伏安特性
表面漏电流
Keywords
long-wavelength
hgcdte
photodiode
s
volt-ampere characteristic
surface
leakage
current
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
TJ765.3 [兵器科学与技术—武器系统与运用工程]
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职称材料
题名
长波HgCdTe光伏器件漏电机理分析
被引量：
3
2
作者
曾戈虹
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
1994年第6期16-19,共4页
文摘
从器件制造工艺的角度，分析了长波ＨｇＣｄＴｅ光伏探测器的体内和表面漏电机理，认为深能级的辅助跃迁在体内漏电方面起主要作用。选择适当的离子注入剂量，可有效地降低体内深能级密度。表面漏电则与ＨｇＣｄＴｅ的表百状态有关，ＺｎＳ／ＨｇＣｄＴｅ之间的界面状态与ＨｇＣｄＴｅ表面的预处理方法有直接关系。控制ＺｕＳ／ＨｇＣｄＴｅ界面组成元素组分，便能控制表面状态，减小表面漏电。经采取相应工艺措施，ｎ＋ｐ结的特性明显提高，单片测量平均零偏阻抗Ｒ０～１０５Ω，平均器件优质Ｒ０Ａ～１Ωｃｍ２。
关键词
hgcdte
光伏器件
漏电
光伏探测器
Keywords
hgcdte photodiode leakage current junction resistance
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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1
表面沟道漏电对长波光伏HgCdTe器件性能的影响
赵鸿燕
彭震宇
鲁正雄
《航空兵器》
2005
2
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职称材料
2
长波HgCdTe光伏器件漏电机理分析
曾戈虹
《红外技术》
CSCD
1994
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