退火温度对HfO2薄膜应力和光学特性的影响 被引量：2

1

作者 齐瑞云 吴福全 +2 位作者 郝殿中 王庆 吴闻迪 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期182-184,188,共4页

为了研究退火温度对HfO_2薄膜应力、光学常数和表面粗糙度的影响,采用电子枪蒸镀法制备了薄膜样品,在不同温度下进行了退火处理。利用ZYGO干涉仪、UV-3101PC分光光度计、X射线衍射仪和冷场发射扫描电镜对样品进行了测试。结果表明,在本... 为了研究退火温度对HfO_2薄膜应力、光学常数和表面粗糙度的影响,采用电子枪蒸镀法制备了薄膜样品,在不同温度下进行了退火处理。利用ZYGO干涉仪、UV-3101PC分光光度计、X射线衍射仪和冷场发射扫描电镜对样品进行了测试。结果表明,在本实验条件下制备的HfO_2薄膜都是无定形结构;残余应力均为张应力,且随退火温度的升高呈先减小后增大现象,在300℃退火条件下具有最小应力;HfO_2薄膜折射率随退火温度的升高而增大,并且色散减小;低温退火可以提高HfO_2薄膜的平整度,高温退火反而会使HfO_2薄膜表面粗糙度增加。这些结果可以为制备高质量HfO_2薄膜提供参考。 展开更多

关键词 薄膜 hfo2薄膜 残余应力 退火 微结构 折射率

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HfO2薄膜反应磁控溅射沉积工艺的研究 被引量：3

2

作者 贺琦 王宏斌 +3 位作者 张树玉 吕反修 杨海 苏小平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期70-75,共6页

采用纯铪(Hf)金属靶,在氧和氩反应气氛中进行了HfO2薄膜反应磁控溅射沉积,研究了电源功率、O2/Ar比例和工作气压对薄膜组成及薄膜沉积过程的影响。对制备的HfO2薄膜进行了退火处理,利用X射线衍射仪(GIXRD)、红外波谱仪(FT-IR)和场发射... 采用纯铪(Hf)金属靶,在氧和氩反应气氛中进行了HfO2薄膜反应磁控溅射沉积,研究了电源功率、O2/Ar比例和工作气压对薄膜组成及薄膜沉积过程的影响。对制备的HfO2薄膜进行了退火处理,利用X射线衍射仪(GIXRD)、红外波谱仪(FT-IR)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)表征了退火前后HfO2薄膜的显微结构、组织组成及红外透过性能。采用胶带测试测定了HfO2薄膜的附着性能。本研究得到了优化的沉积工艺参数。 展开更多

关键词 hfo2薄膜 反应磁控溅射沉积 红外透过率

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HfO2薄膜的制备与光学性能 被引量：2

3

作者 刘文婷 刘正堂 +2 位作者 许宁 鹿芹芹 闫锋 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期309-311,共3页

采用射频磁控反应溅射法，以高纯热压HfO2陶瓷为靶材，在Si衬底上成功制备出HfO2薄膜。系统研究了工艺参数对薄膜沉积速率的影响规律，并对薄膜的光学性能进行了研究。结果表明，射频功率对薄膜沉积速率的影响最为明显，O2／Ar流量比和... 采用射频磁控反应溅射法，以高纯热压HfO2陶瓷为靶材，在Si衬底上成功制备出HfO2薄膜。系统研究了工艺参数对薄膜沉积速率的影响规律，并对薄膜的光学性能进行了研究。结果表明，射频功率对薄膜沉积速率的影响最为明显，O2／Ar流量比和衬底温度对沉积速率的作用不明显，所制备薄膜的折射率较高在近红外波段趋于1．95，在500-1650nm波段范围内薄膜几乎无吸收，透过率较高。 展开更多

关键词 磁控反应溅射 hfo2薄膜 沉积速率 光学性能

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二氧化铪(HfO2)功能陶瓷薄膜的自组装制备 被引量：2

4

作者 贺中亮 苗鸿雁 +3 位作者 谈国强 刘剑 夏傲 娄晶晶 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期107-108,111,共3页

利用自组装单层膜技术,在玻璃基板上生长十八烷基三氯硅烷(OTS)单分子膜层,以Hf(SO4)2.4H2O和HCl配制HfO2前驱液,通过液相沉积在硅烷的功能性官能团上诱导生成二氧化铪薄膜。研究了紫外光照射对OTS单分子层的影响,通过接触角测试仪、AFM... 利用自组装单层膜技术,在玻璃基板上生长十八烷基三氯硅烷(OTS)单分子膜层,以Hf(SO4)2.4H2O和HCl配制HfO2前驱液,通过液相沉积在硅烷的功能性官能团上诱导生成二氧化铪薄膜。研究了紫外光照射对OTS单分子层的影响,通过接触角测试仪、AFM、SEM及XRD等手段对膜材料的表面形貌和结构进行了研究分析。结果表明,利用自组装单层法成功制备出HfO2晶态薄膜,呈立方型的HfO2,无其它杂相,薄膜表面均一。 展开更多

关键词 薄膜 自组装单层膜 hfo2

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溅射功率对HfO2薄膜结构及电学性能的影响 被引量：1

5

作者 穆继亮 何剑 +3 位作者 张鹏 马宗敏 丑修建 熊继军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期124-128,共5页

采用射频磁控溅射法分别在不同溅射功率下制备了Hf O2薄膜,基于该组薄膜实现了金属-绝缘体-金属(MIM)电容器原型器件。采用Raman、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱学(XPS)和电学测试仪等分析手段,研究了溅射... 采用射频磁控溅射法分别在不同溅射功率下制备了Hf O2薄膜,基于该组薄膜实现了金属-绝缘体-金属(MIM)电容器原型器件。采用Raman、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱学(XPS)和电学测试仪等分析手段,研究了溅射功率对薄膜微结构和电学特性的影响。测试结果表明,随着溅射功率的增加,HfO_2薄膜由无定形态向单斜晶相转化、颗粒尺寸逐渐增大、Hf—O键结合度增强,由于提高溅射功率导致了薄膜晶化、团簇和Hf—O结合能减小,使MIM电容器击穿电压降低,漏电流呈现先降后增。结果表明溅射功率为150 W时,HfO_2薄膜获得较好的电学性能。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 hfo2薄膜 溅射功率 微结构 电学性能

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离子源偏压对PIA-EB-Hf法制备的HfO2激光薄膜性能的影响 被引量：2

6

作者 付朝丽 杨勇 +3 位作者 马云峰 魏玉全 焦正 黄政仁 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期69-74,共6页

探究HfO_2薄膜的激光损伤特性以进一步提高激光损伤阈值(Laser Induced Damage Threshold,简称LIDT),对其在高功率激光系统中的广泛应用具有重要的意义。在不同的离子源偏压下,采用等离子体辅助电子束蒸发金属铪(Hf)并充氧(O_2)进行反... 探究HfO_2薄膜的激光损伤特性以进一步提高激光损伤阈值(Laser Induced Damage Threshold,简称LIDT),对其在高功率激光系统中的广泛应用具有重要的意义。在不同的离子源偏压下,采用等离子体辅助电子束蒸发金属铪(Hf)并充氧(O_2)进行反应沉积法制备了中心波长为1064 nm,光学厚度为4H的HfO_2薄膜样品。测试了薄膜组分和残余应力;根据透射谱拟合了薄膜的折射率;通过XRD谱图和SEM表面形貌图分析了薄膜的微观结构;对激光损伤阈值、损伤特性和机理进行了论述。结果表明:偏压100 V时制备的薄膜具有最佳O/Hf配比;薄膜压应力和折射率均随偏压降低而减小。薄膜内存在结晶,激光能量在晶界缺陷处被强烈聚集和吸收,加速了膜层的破坏,形成由几百纳米的烧灼坑聚集而成的海绵状损伤结构。随着偏压降低,膜结晶取向由(111)晶面向(002)晶面转变,界面能降低;晶粒减小,结构更均匀,缓解了激光能量在晶界处的局部聚集与吸收,表现出较大的激光损伤阈值。 展开更多

关键词 hfo2薄膜 等离子体辅助电子束蒸发 离子源偏压 微观结构 激光损伤

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氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响及有限元分析 被引量：6

7

作者 张丽莎 许鸿 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期894-898,共5页

利用电子束蒸发法制备了单层HfO2膜,控制氧气流量从0 mL/min以步长5 mL/min递增至25 mL/min(标况下)。利用ZYGO干涉仪测量基片镀膜前后的面形变化,代入Stoney公式计算出残余应力,分析了不同氧压下残余应力的变化情况。随着氧压的增大,... 利用电子束蒸发法制备了单层HfO2膜,控制氧气流量从0 mL/min以步长5 mL/min递增至25 mL/min(标况下)。利用ZYGO干涉仪测量基片镀膜前后的面形变化,代入Stoney公式计算出残余应力,分析了不同氧压下残余应力的变化情况。随着氧压的增大,残余应力由张应力逐渐过渡到压应力,当氧压过大时,压应力减小。因此可以通过改变氧压来控制应力。应力的变化与薄膜的微观结构密切相关,分析了所有样品的X射线衍射图(XRD),发现均为非晶结构。利用Ansys建立基片-薄膜有限元模型,将应力作用下基片的形变与实验结果进行对比,验证所建立的模型,为分析HfO2/SiO2膜堆应力的匹配设计提供参考。 展开更多

关键词 电子束蒸发 hfo2薄膜 残余应力 氧分压 有限元分析

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退火对EBE,IBS和ALD沉积HfO2薄膜的抗激光损伤性能影响 被引量：1

8

作者 刘浩 马平 +1 位作者 蒲云体 赵祖珍 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期7-14,共8页

结合自身实验条件采用电子束蒸发(EBE)、离子束溅射(IBS)和原子层沉积(ALD)三种工艺制备了HfO2薄膜,对其进行退火实验,采用1064 nm Nd:YAG激光测定了即时沉积和退火后各HfO2薄膜的抗激光损伤能力。研究发现,ALD HfO2薄膜的激光损伤阈值... 结合自身实验条件采用电子束蒸发(EBE)、离子束溅射(IBS)和原子层沉积(ALD)三种工艺制备了HfO2薄膜,对其进行退火实验,采用1064 nm Nd:YAG激光测定了即时沉积和退火后各HfO2薄膜的抗激光损伤能力。研究发现,ALD HfO2薄膜的激光损伤阈值最高,EBE HfO2薄膜次之,IBS HfO2薄膜的损伤阈值最低;300℃退火对各工艺薄膜抗激光损伤能力的影响均为负面,500℃退火则会显著降低ALD HfO2薄膜的抗激光损伤能力。 展开更多

关键词 hfo2薄膜 激光损伤阈值 电子束蒸发 离子束溅射 原子层沉积

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沉积温度对HfO_2薄膜残余应力的影响 被引量：10

9

作者 申雁鸣 贺洪波 +2 位作者 邵淑英 范正修 邵建达 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1812-1816,共5页

用电子束蒸发方法制备了HfO2薄膜,根据镀膜前后基片曲率半径的变化,用Stoney公式计算了薄膜应力,讨论了沉积温度对薄膜残余应力的影响.结果发现,HfO2薄膜的残余应力均为张应力,应力值随沉积温度的升高先增大后减小,在280℃左右出现极大... 用电子束蒸发方法制备了HfO2薄膜,根据镀膜前后基片曲率半径的变化,用Stoney公式计算了薄膜应力,讨论了沉积温度对薄膜残余应力的影响.结果发现,HfO2薄膜的残余应力均为张应力,应力值随沉积温度的升高先增大后减小,在280℃左右出现极大值.对样品进行了XRD测试,从微观结构上对实验结果进行了分析,发现微结构演变引起的内应力变化是引起薄膜残余应力改变的主要因素,HfO2薄膜在所选沉积温度60～350℃内出现了晶态转变,堆积密度随温度升高而增大. 展开更多

关键词 hfo2薄膜 残余应力 沉积温度 微结构 X射线衍射

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不同氧氩比例对氧化铪(HfO_2)薄膜的结构及性能的影响 被引量：12

10

作者 何智兵 吴卫东 +2 位作者 许华 张继成 唐永建 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期159-162,共4页

在不同氧氩比例气氛下,采用直流磁控反应溅射方法制备了HfO2薄膜。利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和紫外可见光谱(UV-Visible spectrum)等研究了氧氩比例的不同,对HfO2薄膜的晶体结构、化学配比、表面形... 在不同氧氩比例气氛下,采用直流磁控反应溅射方法制备了HfO2薄膜。利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和紫外可见光谱(UV-Visible spectrum)等研究了氧氩比例的不同,对HfO2薄膜的晶体结构、化学配比、表面形貌和光学性能的影响。结果显示:室温下,不同氧氩比例的HfO2薄膜都为非晶结构;随着氧分量的减少,Hf4f与O1s的XPS峰向小的结合能方向移动;在氧分量较大的气氛下,HfO2薄膜的化学失配度较小,薄膜均匀,致密,在400 nm^1 100 nm有良好的光透过性。 展开更多

关键词 hfo2薄膜 直流磁控反应溅射 XPS

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金属氧化物薄膜光学常数计算物理模型应用研究 被引量：3

11

作者 刘华松 姜承慧 +4 位作者 王利栓 刘丹丹 姜玉刚 孙鹏 季一勤 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1163-1167,共5页

采用离子束溅射(IBS)方法制备了HfO2和Ta2O5两种金属氧化物薄膜,通过测量薄膜的椭偏参数,使用非线性最小二乘法反演计算获得薄膜的光学常数。在拟合过程中,采用L8(27)正交表设计了8组反演计算实验,在初始选定Cauchy模型后,对HfO2薄膜拟... 采用离子束溅射(IBS)方法制备了HfO2和Ta2O5两种金属氧化物薄膜,通过测量薄膜的椭偏参数,使用非线性最小二乘法反演计算获得薄膜的光学常数。在拟合过程中,采用L8(27)正交表设计了8组反演计算实验,在初始选定Cauchy模型后,对HfO2薄膜拟合影响最大的为表面层模型,对Ta2O5薄膜拟合影响最大的为折射率梯度模型。确定了不同物理模型对拟合函数MSE的影响权重和拟合过程中模型选择的次序,按照确定的模型选择次序拟合,最后加入弱吸收模型反演计算两种薄膜的光学常数,反演计算的MSE相对初始MSE可下降79%和39%,表明拟合过程模型选择物理意义明确,具有广泛的应用价值。在500nm处,Ta2O5薄膜的折射率梯度大于HfO2薄膜,而HfO2薄膜消光系数大于Ta2O5薄膜。表明Hf金属与Ta金属相比容易氧化形成稳定的氧化物,HfO2薄膜的吸收要高于Ta2O5薄膜。 展开更多

关键词 hfo2 薄膜 TA2 O5 薄膜 光学常数 物理模型

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化学法制备的HfO_2薄膜的激光损伤阈值研究 被引量：4

12

作者 沈军 罗爱云 +4 位作者 吴广明 林雪晶 谢志勇 吴晓娴 刘春泽 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期403-407,共5页

采用化学法制备了HfO2介质膜,研究了热处理、紫外辐照以及Al2O3复合对HfO2介质膜激光损伤阈值的影响。采用红外光谱(FTIR)和X射线衍射仪对薄膜进行了表征,并用输出波长为1.064μm、脉宽为10 ns的电光调Q激光系统测试薄膜的激光损伤阈值... 采用化学法制备了HfO2介质膜,研究了热处理、紫外辐照以及Al2O3复合对HfO2介质膜激光损伤阈值的影响。采用红外光谱(FTIR)和X射线衍射仪对薄膜进行了表征,并用输出波长为1.064μm、脉宽为10 ns的电光调Q激光系统测试薄膜的激光损伤阈值。实验结果表明:采用150℃左右的温度对薄膜进行热处理可以提高薄膜的激光损伤阈值,所获得的薄膜的激光损伤阈值高达42.32 J/cm2,比热处理前的激光损伤阈值提高了82%;无机材料Al2O3的适量添加能够提高薄膜的激光损伤阈值,其中HfO2与Al2O3的最佳质量配比约为95∶5;另外,对薄膜进行适当的紫外辐照也可改善HfO2薄膜以及HfO2-Al2O3复合薄膜的抗激光损伤性能。紫外辐照对提高HfO2-Al2O3复合薄膜的激光损伤阈值效果尤为显著,辐照40 min后的激光损伤阈值达到44.33 J/cm2,比紫外辐照前的激光损伤阈值提高了90%。 展开更多

关键词 hfo2薄膜 热处理 紫外辐照 hfo2-Al2O3复合薄膜 激光损伤阈值

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双离子束溅射沉积HfO_2光学薄膜的研究 被引量：8

13

作者 张文杰 彭玉峰 +1 位作者 王建成 程祖海 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1543-1546,共4页

用双离子束溅射沉积氧化铪光学薄膜,并对此工艺下制备的氧化铪薄膜进行了光学性质、残余应力、结构特性以及激光损伤特性的研究。实验结果表明,用双离子束溅射沉积的氧化铪薄膜不仅结构均匀,膜层致密,无定形结构,而且具有极低的散射和吸... 用双离子束溅射沉积氧化铪光学薄膜,并对此工艺下制备的氧化铪薄膜进行了光学性质、残余应力、结构特性以及激光损伤特性的研究。实验结果表明,用双离子束溅射沉积的氧化铪薄膜不仅结构均匀,膜层致密,无定形结构,而且具有极低的散射和吸收,均匀的非晶结构,杂质缺陷少,激光损伤阈值高。 展开更多

关键词 双离子束溅射沉积 氧化铪薄膜 激光损伤阈值 残余应力

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后处理对HfO_2薄膜光学特性及抗激光损伤阈值的影响 被引量：6

14

作者 吴倩 罗晋 潘峰 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期3000-3004,共5页

利用电子束蒸发技术制备了氧化铪薄膜,并分别用氧气氛下退火和激光预处理两种后处理方法对样品进行了处理。介绍了两种后处理工艺和相关的设备,测试分析了样品的透过率、吸收和抗激光损伤阈值。对比了两种后处理方法对降低吸收和提高激... 利用电子束蒸发技术制备了氧化铪薄膜,并分别用氧气氛下退火和激光预处理两种后处理方法对样品进行了处理。介绍了两种后处理工艺和相关的设备,测试分析了样品的透过率、吸收和抗激光损伤阈值。对比了两种后处理方法对降低吸收和提高激光损伤阈值的效果,讨论了它们的作用原理。实验结果表明,激光预处理能有效降低样品的吸收值,提高样品的抗激光损伤阈值。采用一步法(50%初始损伤阈值)预处理后,三倍频氧化铪薄膜的损伤阈值从13J/cm^2提升到15J/cm^2;采用两步法(依次50%、80%初始损伤阈值)预处理后,三倍频氧化铪薄膜的损伤阈值从13J/cm^2提升到17.5J/cm^2,损伤几率曲线整体向高通量区域平移。 展开更多

关键词 hfo2薄膜 镀膜技术 后处理 薄膜参数测量 薄膜光学特性 激光损伤阈值

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制备工艺条件对HfO_2薄膜结构和性能的影响 被引量：8

15

作者 刘伟 苏小平 +3 位作者 张树玉 郝鹏 王宏斌 刘嘉禾 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期159-163,共5页

用电子束蒸发、离子束辅助、反应磁控溅射三种方法在石英衬底上制备了氧化铪薄膜。利用掠角X射线衍射和扫描电镜分析了不同制备工艺条件下氧化铪薄膜的晶体结构和显微结构,用紫外-可见分光光度计、椭偏仪、和纳米硬度计分别测试了不同... 用电子束蒸发、离子束辅助、反应磁控溅射三种方法在石英衬底上制备了氧化铪薄膜。利用掠角X射线衍射和扫描电镜分析了不同制备工艺条件下氧化铪薄膜的晶体结构和显微结构,用紫外-可见分光光度计、椭偏仪、和纳米硬度计分别测试了不同制备工艺条件下氧化铪薄膜的可见透射光谱、光学常数和硬度。结果表明薄膜的晶体结构、显微结构、光学性能和硬度等都与制备工艺有着密切的关系,电子束蒸发制备的薄膜为非晶相,而离子束辅助和反应磁控溅射制备的薄膜为多晶相,三种方法制备的氧化铪薄膜都为柱状结构,电子束蒸发和离子束辅助制备的薄膜色散严重,但反应磁控溅射制备的薄膜吸收较大,反应磁控溅射制备薄膜的硬度远大于电子束蒸发和离子束辅助制备薄膜的硬度。并分别用薄膜成核长大热力学原理和薄膜结构区域模型解释了不同工艺条件下氧化铪薄膜晶体结构和显微结构不同的原因。 展开更多

关键词 氧化铪薄膜 电子束蒸发 离子束辅助 反应磁控溅射 光学性能

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水热法制备高折射率的HfO_2光学薄膜 被引量：3

16

作者 王生钊 沈军 +1 位作者 罗爱云 刘春泽 《同济大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1666-1669,共4页

采用水热合成技术制备了HfO2胶体,用旋涂法镀制了单层HfO2介质膜.采用多种仪器设备对薄膜进行性能测试和表征,并用输出波长为1.06μm、脉宽为10 ns的电光调Q激光系统产生的强激光测试薄膜的激光损伤阈值.研究表明,水热合成技术制备的HfO... 采用水热合成技术制备了HfO2胶体,用旋涂法镀制了单层HfO2介质膜.采用多种仪器设备对薄膜进行性能测试和表征,并用输出波长为1.06μm、脉宽为10 ns的电光调Q激光系统产生的强激光测试薄膜的激光损伤阈值.研究表明,水热合成技术制备的HfO2薄膜具有较高的激光损伤阈值、折射率和较好的平整度.对HfO2薄膜激光损伤形貌和成因进行了研究. 展开更多

关键词 hfo2薄膜 水热合成 高折射率 激光损伤阈值

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缺陷对HfO_2薄膜的激光弱吸收与损伤阈值的影响 被引量：2

17

作者 刘浩 潘峰 +4 位作者 卫耀伟 马平 张哲 张清华 吴倩 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期314-320,共7页

激光弱吸收是导致光学薄膜损伤的重要原因。在(5~43)mPa的氧分压下制备并测试了一组HfO2薄膜。实验发现,当氧分压小于20mPa时,薄膜弱吸收越大,损伤阈值越低;当氧分压大于20mPa时,薄膜的损伤阈值与弱吸收并不一一对应,具有较高弱吸收的... 激光弱吸收是导致光学薄膜损伤的重要原因。在(5~43)mPa的氧分压下制备并测试了一组HfO2薄膜。实验发现,当氧分压小于20mPa时,薄膜弱吸收越大,损伤阈值越低;当氧分压大于20mPa时,薄膜的损伤阈值与弱吸收并不一一对应,具有较高弱吸收的薄膜可能同时具有较高的损伤阈值。建立了缺陷模型,采用有限元法模拟了缺陷对弱吸收测量和损伤阈值测量的影响,分析了缺陷尺寸、密度、吸收系数对弱吸收和损伤阈值的影响。研究结果显示,吸收系数高于薄膜1 000倍的缺陷可以降低薄膜的损伤阈值1 000倍,却并不影响薄膜的弱吸收。缺陷对HfO2薄膜的激光弱吸收与损伤阈值测试有完全不同的影响,是导致某些薄膜弱吸收与损伤阈值背离的原因。 展开更多

关键词 激光弱吸收 激光损伤阈值 缺陷 hfo2薄膜

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反应磁控溅射法制备HfO_2金刚石红外增透膜 被引量：5

18

作者 郭会斌 王凤英 +3 位作者 贺琦 魏俊俊 王耀华 吕反修 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1355-1360,共6页

采用纯铪(Hf)金属靶,在氧+氩反应气氛中进行了HfO2薄膜直流反应磁控溅射沉积。首先在单晶硅片上沉积薄膜,研究工艺参数改变对薄膜的影响,然后选择较优的工艺在金刚石表面沉积符合光学厚度的薄膜,达到增透减反射效果。利用X射线光电子能... 采用纯铪(Hf)金属靶,在氧+氩反应气氛中进行了HfO2薄膜直流反应磁控溅射沉积。首先在单晶硅片上沉积薄膜,研究工艺参数改变对薄膜的影响,然后选择较优的工艺在金刚石表面沉积符合光学厚度的薄膜,达到增透减反射效果。利用X射线光电子能谱(XPS)研究了O2/Ar比例对薄膜组成的影响。利用X射线衍射仪(GIXRD)和椭偏仪(Ellipsometer)研究了不同衬底温度对氧化铪薄膜组织结构和光学性能的影响。采用傅立叶红外光谱仪(FTIR)检测了镀膜前后金刚石红外透过性能,发现双面镀制HfO2薄膜能够有效提高金刚石在8～12μm的红外透过性能,在8μm处最大增透可达21.6%,使金刚石红外透过率达到88%;在3～5μm范围,双面镀制了HfO2薄膜的金刚石平均透过率达66.8%,比没有镀膜的金刚石在该处的平均透过率54%高出12.8%。 展开更多

关键词 hfo2薄膜 反应磁控溅射法 红外透过率 增透

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自组装制备二氧化铪图案化薄膜 被引量：2

19

作者 谈国强 贺中亮 +3 位作者 苗鸿雁 刘剑 夏傲 娄晶晶 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第10期1853-1857,共5页

采用短波紫外光(UV)在十八烷基三氯硅烷(OTS)自组装单分子层刻蚀不同的微型图案,利用液相自组装技术在OTS模板表面沉积HfO2图案化薄膜。通过XRD、AFM、SEM、EDS等测试手段对OTS膜和HfO2薄膜进行表征,结果表明:以OTS为模板利用液相自组... 采用短波紫外光(UV)在十八烷基三氯硅烷(OTS)自组装单分子层刻蚀不同的微型图案,利用液相自组装技术在OTS模板表面沉积HfO2图案化薄膜。通过XRD、AFM、SEM、EDS等测试手段对OTS膜和HfO2薄膜进行表征,结果表明:以OTS为模板利用液相自组装技术成功制备出边缘轮廓清晰、粗糙度较小、条纹宽度为10μm的立方晶型的HfO2图案化薄膜。 展开更多

关键词 OTS-SAMs 图案化 hfo2薄膜

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氧气对磁控溅射HfO_2薄膜电学性能的影响 被引量：4

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作者 刘文婷 刘正堂 +2 位作者 闫锋 田浩 刘其军 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期997-1001,1006,共6页

采用射频磁控溅射法在无氧和有氧气氛下制备了HfO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、椭圆偏振光谱(SE)以及电容-电压(C-V)测试对薄膜的结构、成分、HfO2/Si界... 采用射频磁控溅射法在无氧和有氧气氛下制备了HfO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、椭圆偏振光谱(SE)以及电容-电压(C-V)测试对薄膜的结构、成分、HfO2/Si界面和HfO2栅介质MOS结构的电学性能等进行了分析表证。结果表明,溅射过程中通入氧气后,薄膜出现了较明显的结晶化;薄膜的氧化程度得到提高,成分更接近理想化学计量比HfO2。在HfO2/Si界面处存在的SiO2界面层,有氧条件下界面层的厚度增大。氧气的通入改善了HfO2栅介质MOS结构的电学性能。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 hfo2薄膜 界面层 电学性能

在线阅读 下载PDF 职称材料