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Hf基高K栅介质材料研究进展被引量：4: 1; 作者王韧陈勇《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期20-23,共4页; 随着微电子技术的不断发展,MOSFET 的特征尺寸已缩小至100nm 以下,SiO_2作为栅介质材料已不能满足技术发展的需求,因此必须寻求一种新型高 K 的介质材料来取代 SiO_2。当今普遍认为 Hf 基栅介质材料是最有希望取代 SiO_2而成为下一代 MO... 展开更多; 关键词高介电常数栅介质材料 hfO2 hfSION 层叠结构高k栅介质 hf 材料研究 MOSFET 微电子技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

高K栅介质材料的研究现状与前景被引量：1: 2; 作者余涛吴雪梅 +1 位作者诸葛兰剑葛水兵《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第21期25-29,共5页; 论述了45～32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料。研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、Si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较HfO2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性... 展开更多; 关键词高k栅介质 hfO2 hf基高k栅介质材料 MOSFET器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

新一代栅介质材料——高K材料被引量：5: 3; 作者李驰平王波 +1 位作者宋雪梅严辉《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期17-20,25,共5页; 介绍了微电子工业的发展趋势和Si O2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及制备高K薄膜的主要方法,总结了一些高K材料的研究现状,论述了目前有待进一步解... 展开更多; 关键词高k材料 SiO2栅介质减薄等效SiO2厚度介质材料高介电常数材料一代发展趋势微电子工业 CMOS SIO2; 在线阅读下载PDF 职称材料

La基高k栅介质的研究进展: 4; 作者陈伟方泽波 +2 位作者马锡英谌家军宋经纬《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第5期282-289,共8页; SiO2作为栅介质已无法满足MOSFET器件高集成度的需求,高k栅介质材料成为当前研究的热点。综述了高k栅介质材料应当满足的各项性能指标和研究意义,总结了La基高k栅介质材料的最新研究进展,以及在改正自身缺点时使用的一些实验方法,指出... 展开更多; 关键词高k栅介质 La基氧化物二氧化硅金属氧化物半导体场效应晶体管摩尔定律; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于AlON的4H-SiC MOS高k栅介质电性能: 5; 作者夏经华桑玲 +5 位作者查祎英杨霏吴军民王世海万彩萍许恒宇《微纳电子技术》北大核心 2020年第9期714-719,共6页; 提高栅介质的界面质量和可靠性一直是功率碳化硅金属氧化物半导体(MOS)器件研发的核心任务之一。基于原子层沉积(ALD)技术,在n型4H-SiC上沉积了Al基高介电常数(k)栅介质材料AlON。在不同沉积后退火(PDA)温度下制备了AlON/4H-SiC MOS电容... 展开更多; 关键词 4H-SIC 金属氧化物半导体(MOS)电容原子层沉积(ALD) ALON 界面态介质零时击穿(TZDB) 高k栅介质材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

高k栅介质原子分辨率的电镜表征:研究进展和展望(英文) 被引量：1: 6; 作者朱信华朱健民 +1 位作者刘治国闵乃本《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期280-302,共23页; 随着特征尺寸不断缩小,CMOS器件已步入纳米尺度范围,因此纳米尺度器件的结构表征变得尤为关键。完备的半导体器件结构分析,要求确定原子位置、局部化学元素组成及局域电子结构。高分辨(分析型)透射电镜及其显微分析技术,能够提供衍衬像... 展开更多; 关键词高k栅介质材料纳尺度结构和化学表征 HRTEM STEM EELS和EDS; 在线阅读下载PDF 职称材料

高K栅介质研究进展被引量：8: 7; 作者赵毅《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期16-19,共4页; 介绍了国内外对高K栅极介质的研究现状。分析了适合用于作为栅极介质的高介电常数材料的种类,用于制备高K薄膜的方法。; 关键词栅极介质高介电常数材料高k栅介质介电层场效应管二氧化硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

多元高k氧化物材料的研究进展: 8; 作者苏伟涛王锦程《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第15期35-39,共5页; 近年来,多元高k氧化物材料一直是高k材料研究的热点。从材料结构以及物理性能研究方面对多元高k氧化物如多元稀土氧化物、多元过渡金属氧化物、稀土氧化物-过渡金属化合物的最新研究进行了总结。并对高k材料中最有应用潜力的氮氧化物和... 展开更多; 关键词栅介质薄膜高k材料多元稀土氧化物氮氧化物; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Hf基高K栅介质材料研究进展被引量：4: 1; 作者王韧陈勇; 机构电子科技大学微电子与固体电子学院; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期20-23,共4页; 文摘随着微电子技术的不断发展,MOSFET 的特征尺寸已缩小至100nm 以下,SiO_2作为栅介质材料已不能满足技术发展的需求,因此必须寻求一种新型高 K 的介质材料来取代 SiO_2。当今普遍认为 Hf 基栅介质材料是最有希望取代 SiO_2而成为下一代 MOSFET 的栅介质材料。综述了高 K 栅介质材料的意义、Hf 基高 K 栅介质材料的最新研究进展和 Hf 基高 K 栅介质材料在克服自身缺陷时使用的一些技术;介绍了一款由 Hf 基高 K 介质材料作为栅绝缘层制作的 MOSFET。; 关键词高介电常数栅介质材料 hfO2 hfSION 层叠结构高k栅介质 hf 材料研究 MOSFET 微电子技术; Keywords high-k,gate dielectric, hfO2, hfSiON, stack; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学] TN248.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高K栅介质材料的研究现状与前景被引量：1: 2; 作者余涛吴雪梅诸葛兰剑葛水兵; 机构苏州大学物理系苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室苏州大学分析测试中心; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第21期25-29,共5页; 基金国家自然科学基金(10975106) 信息功能材料国家重点实验室开放课题资助; 文摘论述了45～32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料。研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、Si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较HfO2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性以及电学特性,但与此同时也存在如何优化掺杂量、沟道载流子迁移率下降以及中间层引起的界面退化等难题。针对这些挑战,探讨了新型"堆垛结构"和引起载流子迁移率下降的物理机制,展望了高K材料在未来先进COMS器件中的应用。; 关键词高k栅介质 hfO2 hf基高k栅介质材料 MOSFET器件; Keywords highk gate dielectrics, hfO2, hf based high-k gate dielectrics, MOSFET device; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新一代栅介质材料——高K材料被引量：5: 3; 作者李驰平王波宋雪梅严辉; 机构北京工业大学材料科学与工程学院; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期17-20,25,共5页; 基金北京市教育委员会科技发展计划(Km200310005011) 北京市优秀人才培养专项经费资助项目(20041D0501513) 北京市"中青年骨干教师培养计划"项目; 文摘介绍了微电子工业的发展趋势和Si O2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及制备高K薄膜的主要方法,总结了一些高K材料的研究现状,论述了目前有待进一步解决的问题,并展望了高K材料的发展趋势。; 关键词高k材料 SiO2栅介质减薄等效SiO2厚度介质材料高介电常数材料一代发展趋势微电子工业 CMOS SIO2; Keywords high-k gate dielectric materials, decrease of SiO2 layer thickness, equivalent oxide thickness; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TM53 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名La基高k栅介质的研究进展: 4; 作者陈伟方泽波马锡英谌家军宋经纬; 机构西华师范大学物理与电子信息学院绍兴文理学院物理与电子信息系; 出处《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第5期282-289,共8页; 基金国家自然科学青年基金项目(60806031) 国家自然科学基金项目(60776004) 绍兴市重点科研项目(2007A21015); 文摘 SiO2作为栅介质已无法满足MOSFET器件高集成度的需求,高k栅介质材料成为当前研究的热点。综述了高k栅介质材料应当满足的各项性能指标和研究意义,总结了La基高k栅介质材料的最新研究进展,以及在改正自身缺点时使用的一些实验方法,指出了有可能成为下一代MOSFET栅介质的几种La基高k材料。La基高k材料的研究为替代SiO2的芯片制造工艺提供优异的候选材料及理论指导,这是一项当务之急且浩大的工程。; 关键词高k栅介质 La基氧化物二氧化硅金属氧化物半导体场效应晶体管摩尔定律; Keywords high-k gate dielectric La-based oxide SiO2 MOSFET Moore′s Law; 分类号 O484.4 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于AlON的4H-SiC MOS高k栅介质电性能: 5; 作者夏经华桑玲查祎英杨霏吴军民王世海万彩萍许恒宇; 机构先进输电技术国家重点实验室全球能源互联网研究院有限公司中国科学院微电子研究所; 出处《微纳电子技术》北大核心 2020年第9期714-719,共6页; 基金国家电网有限公司总部科技项目(5455GB180003)。; 文摘提高栅介质的界面质量和可靠性一直是功率碳化硅金属氧化物半导体(MOS)器件研发的核心任务之一。基于原子层沉积(ALD)技术,在n型4H-SiC上沉积了Al基高介电常数(k)栅介质材料AlON。在不同沉积后退火(PDA)温度下制备了AlON/4H-SiC MOS电容,对制备的AlON/4H-SiC MOS电容进行了高-低频电容-电压特性测试,并开展了介质零时击穿(TZDB)实验。发现当PDA温度为800℃时,得到的AlON/4H-SiC MOS电容有着较低的界面态密度、栅极电流密度和较高的介电击穿电场强度,表明经过合适的PDA工艺后,基于AlON高k栅介质材料的4H-SiC MOS器件栅介质的界面态密度得到显著降低,栅介质的介电性能和可靠性得到提高。; 关键词 4H-SIC 金属氧化物半导体(MOS)电容原子层沉积(ALD) ALON 界面态介质零时击穿(TZDB) 高k栅介质材料; Keywords 4H-SiC metal oxide semiconductor(MOS)capacitor atom layer deposition(ALD) AlON interface state time-zero-dielectric breakdown(TZDB) high-kgate dielectric material; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高k栅介质原子分辨率的电镜表征:研究进展和展望(英文) 被引量：1: 6; 作者朱信华朱健民刘治国闵乃本; 机构固体微结构物理国家实验室; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期280-302,共23页; 基金国家自然科学基金资助项目(Nos.10874065,60576023,60636010) 江苏省自然科学基金资助项目(No.BK2007130)~~; 文摘随着特征尺寸不断缩小,CMOS器件已步入纳米尺度范围,因此纳米尺度器件的结构表征变得尤为关键。完备的半导体器件结构分析,要求确定原子位置、局部化学元素组成及局域电子结构。高分辨(分析型)透射电镜及其显微分析技术,能够提供衍衬像(振幅衬度像)、高分辨像(相位衬度像)、选区电子衍射和会聚束电子衍射、X射线能谱(EDS)及电子能量损失谱(EELS)等分析手段,已作为半导体器件结构表征的基本工具。配有高角度环形暗场探测器的扫描透射电镜(STEM),因其像的强度近似正比于原子序数(Z)的平方,它可在原子尺度直接确定材料的结构和化学组成。利用Z-衬度像配合高分辨电子能量损失谱技术,可确定新型CMOS堆垛层中的界面结构、界面及界面附近的元素分布及化学环境。近年来新开发的球差校正器使得HRTEM/STEM的分辨率得到革命性提高(空间分辨率优于0.08 nm,能量分辨率优于0.2 eV),在亚埃尺度上实现单个纳米器件的结构表征。装备球差校正器的新一代HRTEM和STEM,使得高k栅介质材料的研究进入一个新时代。本文首先介绍了原子分辨率电镜(HRTEM和STEM)的基本原理和关键特征,对相关高分辨谱分析技术(如EDS和EELS)加以比较;然后综述了HRTEM/STEM在高k栅介质材料(如铪基氧化物、稀土氧化物和外延钙钛矿结构氧化物)结构表征方面的最新进展;最后对亚埃分辨率高k栅介质材料的结构表征进行了展望。; 关键词高k栅介质材料纳尺度结构和化学表征 HRTEM STEM EELS和EDS; Keywords High-k gate dielectrics nanoscale structural and chemical characterization HRTEM STEM EELS EDS; 分类号 TN16 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高K栅介质研究进展被引量：8: 7; 作者赵毅; 机构上海华虹NEC电子有限公司逻辑技术开发部; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期16-19,共4页; 文摘介绍了国内外对高K栅极介质的研究现状。分析了适合用于作为栅极介质的高介电常数材料的种类,用于制备高K薄膜的方法。; 关键词栅极介质高介电常数材料高k栅介质介电层场效应管二氧化硅; Keywords high k gate dielectric; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多元高k氧化物材料的研究进展: 8; 作者苏伟涛王锦程; 机构杭州电子科技大学材料物理研究所; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第15期35-39,共5页; 基金浙江省教育厅科研项目(Y20080481); 文摘近年来,多元高k氧化物材料一直是高k材料研究的热点。从材料结构以及物理性能研究方面对多元高k氧化物如多元稀土氧化物、多元过渡金属氧化物、稀土氧化物-过渡金属化合物的最新研究进行了总结。并对高k材料中最有应用潜力的氮氧化物和叠层栅的物理性能和研究状况进行了评述。; 关键词栅介质薄膜高k材料多元稀土氧化物氮氧化物; Keywords gate dielectric films, high k materials, multi-component oxides, nitride oxides; 分类号 TQ175.71 [化学工程—硅酸盐工业] TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Hf基高K栅介质材料研究进展	王韧陈勇	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高K栅介质材料的研究现状与前景	余涛吴雪梅诸葛兰剑葛水兵	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	新一代栅介质材料——高K材料	李驰平王波宋雪梅严辉	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	5	在线阅读下载PDF 职称材料
4	La基高k栅介质的研究进展	陈伟方泽波马锡英谌家军宋经纬	《微纳电子技术》 CAS 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于AlON的4H-SiC MOS高k栅介质电性能	夏经华桑玲查祎英杨霏吴军民王世海万彩萍许恒宇	《微纳电子技术》北大核心	2020	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	高k栅介质原子分辨率的电镜表征:研究进展和展望(英文)	朱信华朱健民刘治国闵乃本	《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	高K栅介质研究进展	赵毅	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2004	8	在线阅读下载PDF 职称材料
8	多元高k氧化物材料的研究进展	苏伟涛王锦程	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料