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题名基于HTML5的移动互联网应用转换技术
被引量：7
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作者
李慧云
杨新章
胡文胜
文锦军
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机构
中国电信股份有限公司广东研究院
中国电信股份有限公司广东分公司
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出处
《电信科学》
北大核心
2013年第5期28-32,39,共6页
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基金
"核心电子器件
高端通用芯片及基础软件产品"国家科技重大专项基金资助项目"移动智能终端操作系统研发"(No.2012ZX01039002-001)
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文摘
HTML5标准的提出增强了Web应用的功能和表现力,使得许多原本需要插件辅助才能实现的功能可由HTML原生支持,为Web网站的移动化提供了可行的解决方案。从HTML5适用于移动终端的新特性出发,研究了将传统Web网站转换为适用于移动终端平台的Web网站(或应用)的多项关键技术,并对转换的效果和难度进行了分析和总结。
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关键词
html5
应用转换
网站移动化
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Keywords
html5, application converting, application mobilization
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分类号
TP393
[自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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题名100 t转炉五孔氧枪喷头设计与应用
被引量：3
- 2
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作者
李双武
张朝发
冯涛
刘爱国
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机构
唐山钢铁集团有限责任公司
河北省高品质钢连铸技术创新中心
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出处
《冶金能源》
北大核心
2024年第2期36-39,共4页
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文摘
针对低硅铁水冶炼存在的化渣效果差、氧枪粘渣粘钢严重的问题,根据可压缩流体理论及射流与熔池作用原理设计开发了五孔氧枪喷头,主要工艺参数为:喷孔夹角13°,Ma 2.0,喉口直径36.8 mm,出口直径47.8 mm,设计氧气压力0.80 MPa,设计供氧强度3.8 m~3/(min·t)。氧枪枪位控制在1.3~1.9 m,熔池冲击深度、冲击面积和混匀时间均在合理范围内。生产实践表明,使用五孔喷头吹氧时间缩短0.5 min、氧气消耗降低1.1 m~3/t,脱磷率提高4.1个百分点,终渣FeO含量降低1.2个百分点,一次拉碳出钢率提高1.7个百分点,基本解决转炉低硅铁水冶炼存在的问题,转炉技术指标明显改善。
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关键词
转炉
氧枪
五孔喷头
设计
应用
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Keywords
converter
oxygen lance
5-hole nozzle
design
application
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分类号
TF713
[冶金工程—钢铁冶金]
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题名低成本Si基GaN微电子学的新进展
被引量：1
- 3
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作者
李永
赵正平
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国电子科技集团公司
专用集成电路重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第2期81-101,共21页
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文摘
进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用发展的带动下,Si基GaN微电子学已进入产业化快速发展阶段。介绍了Si基GaN微电子学在射频Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)新器件结构、工艺与可靠性,Si基GaN HEMT单片微波集成电路(MMIC),Si基E模功率GaN HEMT结构设计,大尺寸Si基GaN HEMT工艺,Si基GaN功率开关器件的可靠性,Si基GaN功率变换器的单片集成和高频开关Si基GaN器件的应用创新等工程化、产业化方面的最新技术进展。分析和评价了低成本Si基GaN微电子学工程化和产业化的发展态势。
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关键词
Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)
单片微波集成电路(MMIC)
E模功率GaN
HEMT
可靠性
GaN功率变换器
高频开关应用
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Keywords
Si-based GaN high electron mobility transistor(HEMT)
monolithic microwave integrated circuit(MMIC)
E-mode power GaN HEMT
reliability
GaN power converter
high-frequency switching application
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分类号
TN303
[电子电信—物理电子学]
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题名低成本Si基GaN微电子学的新进展(续)
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作者
李永
赵正平
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国电子科技集团公司
专用集成电路重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第3期177-189,共13页
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文摘
进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用发展的带动下,Si基GaN微电子学已进入产业化快速发展阶段。介绍了Si基GaN微电子学在射频Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)新器件结构、工艺与可靠性,Si基GaN HEMT单片微波集成电路(MMIC),Si基E模功率GaN HEMT结构设计,大尺寸Si基GaN HEMT工艺,Si基GaN功率开关器件的可靠性,Si基GaN功率变换器的单片集成和高频开关Si基GaN器件的应用创新等工程化、产业化方面的最新技术进展。分析和评价了低成本Si基GaN微电子学工程化和产业化的发展态势。
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关键词
Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)
单片微波集成电路(MMIC)
E模功率GaN
HEMT
可靠性
GaN功率变换器
高频开关应用
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Keywords
Si-based GaN high electron mobility transistor(HEMT)
monolithic microwave integrated circuit(MMIC)
E-mode power GaN HEMT
reliability
GaN power converter
high-frequency switching application
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分类号
TN303
[电子电信—物理电子学]
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