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基于等效铁芯电感的磁通门HSPICE分析模型 被引量:4
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作者 崔智军 杨尚林 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期1673-1677,共5页
提出了一种基于随电流变化的铁芯电感的磁通门HSPICE(High Simulation Program with IC Emphasis)模型,该磁通门模型铁芯的磁滞回线使用反正切函数来描述,其激励与测量线圈等效为一种随电流变化的电感电路模型。本文给出了全电路元件的... 提出了一种基于随电流变化的铁芯电感的磁通门HSPICE(High Simulation Program with IC Emphasis)模型,该磁通门模型铁芯的磁滞回线使用反正切函数来描述,其激励与测量线圈等效为一种随电流变化的电感电路模型。本文给出了全电路元件的磁通门模型的参数及提取方法,此模型可以在任意形状的电压激励波形下仿真,与已有的磁通门模型相比,具有仿真精度高、需要参数少且计算容易和可以方便进行输出信号处理的特点。实验和仿真结果对比表明,双铁芯磁通门HSPICE模型仿真的输入电流和输出电压的幅值分别为146 m A和1.03 V,与实际测试的146.6 m A和1.177 V相比,输入电流有0.6 m A的误差,输出电压有0.147 V的误差。 展开更多
关键词 磁通门传感器 hspice模型 磁滞回线 非线性电感
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悬浮栅结构ISFET的HSPICE仿真 被引量:1
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作者 刘洋 董惠 卫铭斐 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2011年第5期5-7,共3页
通过对ISFET敏感机理的分析,根据表面基模型,建立了悬浮栅结构ISFET器件的HSPICE行为模型,并对其静态输出特性,转移特性,以及pH值与界面势的关系进行了仿真,仿真结果表明:该模型与ISFET的理论和实验数据吻合较好。为ISFET/REFET差分结... 通过对ISFET敏感机理的分析,根据表面基模型,建立了悬浮栅结构ISFET器件的HSPICE行为模型,并对其静态输出特性,转移特性,以及pH值与界面势的关系进行了仿真,仿真结果表明:该模型与ISFET的理论和实验数据吻合较好。为ISFET/REFET差分结构集成传感器芯片设计提供了重要的理论参考价值。 展开更多
关键词 离子敏场效应晶体管 hspice模型 静态仿真
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