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高分辨电子显微像图像处理技术的应用
1
作者
汪新星
吴秀玲
+1 位作者
刘卫平
孙俊英
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期116-118,共3页
对高分辨电子显微像图像处理技术进行了比较详细的分类。简要分析了在测定晶体结构的过程中,高分辨电子显微像与图像处理技术相结合的必要性。论述了尝试法、出射波重构法和解卷技术3种主要的图像处理方法,介绍了该类图像处理技术应用...
对高分辨电子显微像图像处理技术进行了比较详细的分类。简要分析了在测定晶体结构的过程中,高分辨电子显微像与图像处理技术相结合的必要性。论述了尝试法、出射波重构法和解卷技术3种主要的图像处理方法,介绍了该类图像处理技术应用于材料学研究中的典型事例,并讨论了其应用范围、前景及其局限性。
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关键词
高分辨电子显微学
图像处理
晶体结构
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职称材料
高分辨电子显微学与电子衍射相结合在测定晶体结构中的应用
被引量：
4
2
作者
李方华
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1996年第2期143-150,共8页
本文简单介绍了高分辨电子显微学中测定晶体结构的尝试法及其局限性,以及以高分辨电子显微学与电子衍射相结合为基础所建立的图像处理方法。并针对此图像处理方法提出了一种修正电子衍射强度的方法,它也建立在高分辨电子显微学和电子衍...
本文简单介绍了高分辨电子显微学中测定晶体结构的尝试法及其局限性,以及以高分辨电子显微学与电子衍射相结合为基础所建立的图像处理方法。并针对此图像处理方法提出了一种修正电子衍射强度的方法,它也建立在高分辨电子显微学和电子衍射相结合的基础上,文中重点介绍了此方法的步骤和应用效果。
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关键词
电子显微学
电子衍射
图像处理
晶体结构
测定
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职称材料
非晶态半导体中的分形结构
3
作者
林鸿溢
《化学研究与应用》
CAS
CSCD
1991年第4期34-39,共6页
非晶态半导体硅(α-Si:H)薄膜作为新型的光电子材料,近年来备受关注,发展迅速。但其晶化机理有待深入探索。用分形理论所作的分析表明,在一定条件下,a-Si:H薄膜中形成的微结构具有分形性质。本文计算了分维值,讨论了a-Si:H薄膜结构弛豫...
非晶态半导体硅(α-Si:H)薄膜作为新型的光电子材料,近年来备受关注,发展迅速。但其晶化机理有待深入探索。用分形理论所作的分析表明,在一定条件下,a-Si:H薄膜中形成的微结构具有分形性质。本文计算了分维值,讨论了a-Si:H薄膜结构弛豫(相变)与分形结构形成的关联,和非晶硅薄膜可能的晶化机理。并研究了在高真空中用透射电子显微镜(TEM)及动态方法跟踪观测a-Si:H薄膜原位(in situ)退火过程中发生的晶化现象,获得晶化形貌的显微图像。利用图像处理技术对显微像进行光电转换,A/D转换和数字计算,得到a-Si:H薄膜样品在不同退火条件下,显微象的Sandbox关系曲线。从而获得薄膜中形成不同分形结构的分维。文中给出应用分形理论对非晶态半导体薄膜进行分析的技术细节。
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关键词
非晶态半导体
晶化
图像处理
分形结构
相变
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职称材料
题名
高分辨电子显微像图像处理技术的应用
1
作者
汪新星
吴秀玲
刘卫平
孙俊英
机构
中国地质大学材料科学与化学工程学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期116-118,共3页
基金
国家自然科学基金(No40572114
40672136)
+1 种基金
高等学校博士学科点专项科研基金(No20060491504)
地质过程与矿产资源国家重点实验室开放基金项目(NoGPMR0521)
文摘
对高分辨电子显微像图像处理技术进行了比较详细的分类。简要分析了在测定晶体结构的过程中,高分辨电子显微像与图像处理技术相结合的必要性。论述了尝试法、出射波重构法和解卷技术3种主要的图像处理方法,介绍了该类图像处理技术应用于材料学研究中的典型事例,并讨论了其应用范围、前景及其局限性。
关键词
高分辨电子显微学
图像处理
晶体结构
Keywords
hrem
,
image processing
,
crystal structure
分类号
TP391.41 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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职称材料
题名
高分辨电子显微学与电子衍射相结合在测定晶体结构中的应用
被引量：
4
2
作者
李方华
机构
中国科学院物理研究所
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1996年第2期143-150,共8页
文摘
本文简单介绍了高分辨电子显微学中测定晶体结构的尝试法及其局限性,以及以高分辨电子显微学与电子衍射相结合为基础所建立的图像处理方法。并针对此图像处理方法提出了一种修正电子衍射强度的方法,它也建立在高分辨电子显微学和电子衍射相结合的基础上,文中重点介绍了此方法的步骤和应用效果。
关键词
电子显微学
电子衍射
图像处理
晶体结构
测定
Keywords
high resolution electron microscopy electron diffraction
image processing
crystal structure
determination high temperature superconductor Y-Ba-Cu-O
分类号
TN16 [电子电信—物理电子学]
O722.7 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
非晶态半导体中的分形结构
3
作者
林鸿溢
机构
北京理工大学电子工程系
出处
《化学研究与应用》
CAS
CSCD
1991年第4期34-39,共6页
文摘
非晶态半导体硅(α-Si:H)薄膜作为新型的光电子材料,近年来备受关注,发展迅速。但其晶化机理有待深入探索。用分形理论所作的分析表明,在一定条件下,a-Si:H薄膜中形成的微结构具有分形性质。本文计算了分维值,讨论了a-Si:H薄膜结构弛豫(相变)与分形结构形成的关联,和非晶硅薄膜可能的晶化机理。并研究了在高真空中用透射电子显微镜(TEM)及动态方法跟踪观测a-Si:H薄膜原位(in situ)退火过程中发生的晶化现象,获得晶化形貌的显微图像。利用图像处理技术对显微像进行光电转换,A/D转换和数字计算,得到a-Si:H薄膜样品在不同退火条件下,显微象的Sandbox关系曲线。从而获得薄膜中形成不同分形结构的分维。文中给出应用分形理论对非晶态半导体薄膜进行分析的技术细节。
关键词
非晶态半导体
晶化
图像处理
分形结构
相变
Keywords
Amorphous semiconductor
crystal
lization
image
processing
Fractal
structure
Phase transition
分类号
O6 [理学—化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高分辨电子显微像图像处理技术的应用
汪新星
吴秀玲
刘卫平
孙俊英
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
高分辨电子显微学与电子衍射相结合在测定晶体结构中的应用
李方华
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1996
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
非晶态半导体中的分形结构
林鸿溢
《化学研究与应用》
CAS
CSCD
1991
0
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职称材料
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