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用于HIT太阳能电池的ITO薄膜制备与性能研究 被引量:3
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作者 温迪 雷青松 +3 位作者 乔治 高美伶 薛俊明 张雯 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期2002-2006,2012,共6页
采用中频脉冲磁控溅射工艺制备ITO薄膜,研究了衬底温度和溅射功率对薄膜性能的影响。通过对二者的优化,获得了方阻为2.99Ω/□,电阻率为1.76×10^-4Ω·cm,可见光波段(400—800nm)平均透过率为82.3%的ITO薄膜。将优... 采用中频脉冲磁控溅射工艺制备ITO薄膜,研究了衬底温度和溅射功率对薄膜性能的影响。通过对二者的优化,获得了方阻为2.99Ω/□,电阻率为1.76×10^-4Ω·cm,可见光波段(400—800nm)平均透过率为82.3%的ITO薄膜。将优化后的薄膜用于电池上,制出了转化效率为14.04%的HIT太阳能电池。 展开更多
关键词 ITO薄膜 衬底温度 溅射功率 hit太阳能电池
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本征薄层异质结(HIT)太阳能电池的研究现状及展望 被引量:5
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作者 杨秀钰 陈诺夫 +5 位作者 陶泉丽 徐甲然 张航 陈梦 白一鸣 陈吉堃 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1917-1927,共11页
HIT(Heterojunction with intrinsic thin-layer)太阳能电池,即具有本征非晶硅薄层的异质结太阳能电池,利用了非晶硅薄膜/单晶硅衬底的异质结结构,从而结合了单晶硅和非晶硅太阳能电池优良的特点。这种类型结构的电池可以在较低温度下(&... HIT(Heterojunction with intrinsic thin-layer)太阳能电池,即具有本征非晶硅薄层的异质结太阳能电池,利用了非晶硅薄膜/单晶硅衬底的异质结结构,从而结合了单晶硅和非晶硅太阳能电池优良的特点。这种类型结构的电池可以在较低温度下(<250℃)制造,具有良好的光照稳定性和温度稳定性,成本低而且效率高,目前效率达到26.7%。文章简述了HIT太阳能电池的结构和工作原理,并且总结了HIT电池的研究和应用现状。除此之外,还分析了提高HIT太阳能电池效率的方法以及HIT电池广阔的应用前景和巨大的商业化潜力。 展开更多
关键词 本征薄层异质结(hit)太阳能电池 非晶硅薄膜 界面钝化 工艺优化
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带有本征薄层的异质结太阳能电池 被引量:6
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作者 刘艳红 刘爱民 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期1-7,共7页
带有本征薄层的异质结(HIT)太阳能电池制备工艺温度低、转换效率高、高温特性好,是低价高效电池的一种。根据相关文献,遵循HIT电池发展的过程,从原理、结构、制备工艺等角度对其进行了深入分析,指出PECVD技术在制备HIT电池中存在的问题... 带有本征薄层的异质结(HIT)太阳能电池制备工艺温度低、转换效率高、高温特性好,是低价高效电池的一种。根据相关文献,遵循HIT电池发展的过程,从原理、结构、制备工艺等角度对其进行了深入分析,指出PECVD技术在制备HIT电池中存在的问题,并对HWCVD法制备高效HIT电池的前景进行了探讨,同时分析了a-Si:H/Si界面钝化、双面异质结结构、表面织构及栅线的优化设计等技术手段对制备高效HIT电池的重要性。 展开更多
关键词 hit太阳能电池 PECVD HWCVD
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对非晶硅薄膜进行快速磷扩散以获得本征薄层异质结
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作者 杨秀钰 陈诺夫 +4 位作者 张航 陶泉丽 徐甲然 陈梦 陈吉堃 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第20期3353-3357,共5页
本征薄层异质结(HIT)太阳能电池具有优异的性能,包括效率高、成本低、稳定性好、制备温度低等。本研究利用磁控溅射技术在p型单晶硅(p-c-Si)衬底上制备一定厚度的本征非晶硅薄膜(i-a-Si),以磷纸为扩散源,通过快速热扩散(RTD)方法进行扩... 本征薄层异质结(HIT)太阳能电池具有优异的性能,包括效率高、成本低、稳定性好、制备温度低等。本研究利用磁控溅射技术在p型单晶硅(p-c-Si)衬底上制备一定厚度的本征非晶硅薄膜(i-a-Si),以磷纸为扩散源,通过快速热扩散(RTD)方法进行扩散得到具有p-n结的掺杂非晶硅层(n+-a-Si),最终得到n+-a-Si/i-a-Si/c-Si的异质结结构。系统地研究了扩散过程对a-Si膜(包括i-a-Si和n+-a-Si)晶化程度以及p-n结深度的影响,利用拉曼光谱(Raman)、X射线衍射(XRD)仪、台阶仪、扫描电镜(SEM)等对a-Si膜进行表征,并利用金相显微镜测量p-n结(采用磨角染色法染色)深度,从而获得制备p-n结的最佳扩散温度和时间。 展开更多
关键词 本征薄层异质结(hit)太阳能电池 非晶硅薄膜 磁控溅射 P-N结 快速热扩散
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