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H_2S气体体积分数监测系统的设计
1
作者
刘传清
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2002年第11期21-23,共3页
阐述了一种利用气体传感器对H2 S气体体积分数进行高准确度、宽范围测量的单片机实现方法 ,是一种高性能、易实现、实用性较强的H2 S气体体积分数监测、报警装置。讨论了关键技术和实现过程。
关键词
h
2
s
气体
体积分数监测系统
h2s气体传感器
单片机
A/D转换
线性处理
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职称材料
SnO_2-Ag-SnO_2结构元件室温下对H_2S的敏感特性研究
被引量：
1
2
作者
李莉
童茂松
翁爱华
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期950-952,共3页
以SnCl4和O2为源物质,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)和浸渍法掺Ag技术制备了SnO2-Ag-SnO2结构薄膜,在20℃下该结构薄膜对H2S具有良好的气敏特性,即高灵敏度、良好的选择特性和开关式响应特性。
关键词
PECVD
h2s气体传感器
气敏特性
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职称材料
表面碳化的硅纳米孔柱阵列的H2S室温电容传感特性
3
作者
王海燕
王伶俐
+1 位作者
胡青飞
李新建
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期1-5,共5页
通过将硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)进行高温碳化处理,制备出一种SiC/Si-NPA复合纳米体系。对SiC/Si-NPA的表面形貌和结构表征揭示,生长于Si-NPA上的SiC薄膜由具有立方结构的SiC纳米颗粒组成,厚度为～200 nm。SiC/Si-NPA整体上保持了Si-NPA...
通过将硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)进行高温碳化处理,制备出一种SiC/Si-NPA复合纳米体系。对SiC/Si-NPA的表面形貌和结构表征揭示,生长于Si-NPA上的SiC薄膜由具有立方结构的SiC纳米颗粒组成,厚度为～200 nm。SiC/Si-NPA整体上保持了Si-NPA原有的柱状阵列结构特征。对浓度介于0～1 200×10-6的H2S气体的室温传感性能测试表明,SiC/Si-NPA对H2S气体的电容响应灵敏度可高达790%,而其对400×10-6浓度H2S气体的响应和恢复时间则分别为170 s和200 s,元件具有较好的测量重复性和稳定性。SiC/Si-NPA可能是一种室温条件下较为理想的H2S气体传感材料。
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关键词
h2s气体传感器
s
IC
硅纳米孔柱阵列
高温碳化
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职称材料
题名
H_2S气体体积分数监测系统的设计
1
作者
刘传清
机构
襄樊学院物理系
出处
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2002年第11期21-23,共3页
基金
湖北省教育厅重点资助项目 (97A0 85 )
文摘
阐述了一种利用气体传感器对H2 S气体体积分数进行高准确度、宽范围测量的单片机实现方法 ,是一种高性能、易实现、实用性较强的H2 S气体体积分数监测、报警装置。讨论了关键技术和实现过程。
关键词
h
2
s
气体
体积分数监测系统
h2s气体传感器
单片机
A/D转换
线性处理
Keywords
h
_
2
s
ga
s
s
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s
or
s
ingle c
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ip proce
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A/D tran
s
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linear proce
s
s
ed
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
SnO_2-Ag-SnO_2结构元件室温下对H_2S的敏感特性研究
被引量：
1
2
作者
李莉
童茂松
翁爱华
机构
大庆石油学院化学化工学院
大庆石油管理局测井公司研发中心
吉林大学地球探测科学与技术学院
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期950-952,共3页
基金
国家自然科学基金资助(40304009)
文摘
以SnCl4和O2为源物质,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)和浸渍法掺Ag技术制备了SnO2-Ag-SnO2结构薄膜,在20℃下该结构薄膜对H2S具有良好的气敏特性,即高灵敏度、良好的选择特性和开关式响应特性。
关键词
PECVD
h2s气体传感器
气敏特性
Keywords
PECVD
h
2
s
s
en
s
or
s
ga
s
s
en
s
itive propertie
s
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
表面碳化的硅纳米孔柱阵列的H2S室温电容传感特性
3
作者
王海燕
王伶俐
胡青飞
李新建
机构
郑州大学物理工程学院
郑州轻工业学院技术物理系
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期1-5,共5页
基金
国家自然科学基金项目(11074224)
河南省重大科技攻关项目(082101510007)
文摘
通过将硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)进行高温碳化处理,制备出一种SiC/Si-NPA复合纳米体系。对SiC/Si-NPA的表面形貌和结构表征揭示,生长于Si-NPA上的SiC薄膜由具有立方结构的SiC纳米颗粒组成,厚度为～200 nm。SiC/Si-NPA整体上保持了Si-NPA原有的柱状阵列结构特征。对浓度介于0～1 200×10-6的H2S气体的室温传感性能测试表明,SiC/Si-NPA对H2S气体的电容响应灵敏度可高达790%,而其对400×10-6浓度H2S气体的响应和恢复时间则分别为170 s和200 s,元件具有较好的测量重复性和稳定性。SiC/Si-NPA可能是一种室温条件下较为理想的H2S气体传感材料。
关键词
h2s气体传感器
s
IC
硅纳米孔柱阵列
高温碳化
Keywords
h
2
s
ga
s
s
en
s
or
s
iC
s
ilicon nanoporou
s
pillar array
t
h
ermal carbonization
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
H_2S气体体积分数监测系统的设计
刘传清
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2002
0
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职称材料
2
SnO_2-Ag-SnO_2结构元件室温下对H_2S的敏感特性研究
李莉
童茂松
翁爱华
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
表面碳化的硅纳米孔柱阵列的H2S室温电容传感特性
王海燕
王伶俐
胡青飞
李新建
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
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