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基于不同衬底材料的TiO_(2)/Cu/Ag/TiO_(2)多层复合透明导电薄膜的制备与性能研究
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作者 陶凯 丁海 +4 位作者 张佳艺 李孟范 王玉丹 王吴鸽 郭晓茹 《精密成形工程》 北大核心 2025年第3期188-197,共10页
目的在不同衬底材料上磁控溅射沉积TiO_(2)/Cu/Ag/TiO_(2)多层复合透明导电薄膜并分析其微观结构和光电性能,以探讨衬底材料对复合薄膜性能的影响规律。方法选用纯度≥99.99%的TiO_(2)、Cu和Ag靶材,采用射频和直流溅射电源,在钙钠玻璃... 目的在不同衬底材料上磁控溅射沉积TiO_(2)/Cu/Ag/TiO_(2)多层复合透明导电薄膜并分析其微观结构和光电性能,以探讨衬底材料对复合薄膜性能的影响规律。方法选用纯度≥99.99%的TiO_(2)、Cu和Ag靶材,采用射频和直流溅射电源,在钙钠玻璃和柔性PET衬底上分别逐层溅射沉积不同结构参数的TiO_(2)/Cu/Ag/TiO_(2)复合薄膜。利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和四探针测试仪等对薄膜的微观形貌、物相、透光性和导电性进行检测。结果在玻璃衬底上逐层沉积已优化结构的复合薄膜,得到界面组织均匀、透光性和导电性优异的样品,可见光波段的平均透射率T_(ave(400-800))为91.73%,表面电阻R_(s)为5.52Ω/□,品质因子ϕ_(TC(400-800))达76.47×10^(-3)Ω^(-1)。在PET衬底上沉积的柔性复合薄膜的导电性和透光性均低于同结构的玻璃衬底样品的相应特性,T_(ave(400-800))为84.65%,R_(s)为8.58Ω/□,ϕ_(TC(400-800))为22.02×10^(-3)Ω^(-1)。结论亚纳米厚度Cu种子层的引入可有效增强金属导电层在TiO_(2)介质层上沉积成膜的均匀性,在较高表面粗糙度的柔性衬底上沉积的复合薄膜相对于同结构的玻璃衬底薄膜显示出较低的透光和导电性能。 展开更多
关键词 透明导电薄膜 多层结构 磁控溅射 介质层 种子层
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面向薄膜电容器应用的高储能密度聚合物纳米复合电介质材料研究进展
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作者 尹训茜 倪金哲 +2 位作者 孙大宇 陈昭伟 贾芷若 《高电压技术》 北大核心 2025年第5期2246-2259,共14页
随着电力电子技术朝着多功能化、集成化和微型化方向发展,传统介电材料很难满足电力电子设备对高能量密度以及小设备体积和重量的需求。高储能密度的聚合物纳米复合电介质材料因其优异的加工性能、良好的可设计性和介电性能而受到了广... 随着电力电子技术朝着多功能化、集成化和微型化方向发展,传统介电材料很难满足电力电子设备对高能量密度以及小设备体积和重量的需求。高储能密度的聚合物纳米复合电介质材料因其优异的加工性能、良好的可设计性和介电性能而受到了广泛的关注。该文首先介绍了聚合物纳米复合电介质材料及界面;然后,从低含量填料填充、核壳结构(改性)填料填充、聚合物电介质表面处理和多层结构构建等方面总结了近年来高储能密度聚合物纳米复合电介质材料体系的构建策略;最后,指出聚合物纳米复合电介质材料中存在的问题,并对聚合物纳米复合电介质材料未来发展进行展望。 展开更多
关键词 薄膜电容器 电介质 聚合物基纳米复合材料 储能性能 核壳结构 多层结构
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多层结构聚合物基复合电介质材料储能特性研究进展 被引量:2
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作者 查俊伟 赵文帅 +1 位作者 黄文杰 肖梦雨 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期2297-2308,共12页
聚合物电介质材料由于其成本低、击穿强度高、可靠性高等优点被广泛用于电力系统。但是聚合物电介质材料放电能量密度较低,难以满足新一代小型化电容器的需求,多层结构具有能够协同提升介电常数和击穿强度的优势,解决聚合物电介质介电... 聚合物电介质材料由于其成本低、击穿强度高、可靠性高等优点被广泛用于电力系统。但是聚合物电介质材料放电能量密度较低,难以满足新一代小型化电容器的需求,多层结构具有能够协同提升介电常数和击穿强度的优势,解决聚合物电介质介电常数与击穿强度之间的矛盾问题,实现具有优异储能特性的聚合物基电介质材料。文中综述了近年来多层结构聚合物基复合材料的研究进展,分析了多层结构中的极化与击穿现象,并详细讨论了聚合物基多层结构和无机层与聚合物基层结合的多层结构设计,归纳了一些能够提升多层结构聚合物基复合材料储能的方法。例如通过增加界面、优化多层结构中的填料分布以及构建过渡层的方法来提升储能特性。最后,对近年来多层结构聚合物基复合材料的进展进行了总结,并提出了未来的发展方向以及需要解决的关键问题。 展开更多
关键词 电介质 介电储能 小型化电容器 多层结构 聚合物基复合材料
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多层结构三元复合聚丙烯薄膜储能密度提升
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作者 国江 许梦伊 +5 位作者 李辉 黄想 林浩 姜胜宝 陈尚 陈程 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2024年第1期40-45,共6页
将马来酸酐接枝聚丙烯与纳米ZrO_(2)粒子共同构筑的三元复合聚丙烯薄膜作为外层,纯聚丙烯薄膜作为中间层,制备了不同纳米ZrO_(2)含量的多层结构三元复合聚丙烯薄膜,并对复合薄膜的理化性能和电气性能进行了测试分析。结果表明:纳米ZrO_... 将马来酸酐接枝聚丙烯与纳米ZrO_(2)粒子共同构筑的三元复合聚丙烯薄膜作为外层,纯聚丙烯薄膜作为中间层,制备了不同纳米ZrO_(2)含量的多层结构三元复合聚丙烯薄膜,并对复合薄膜的理化性能和电气性能进行了测试分析。结果表明:纳米ZrO_(2)粒子在三元复合聚丙烯体系内具有良好的分散性,并且三元复合聚丙烯薄膜与纯聚丙烯薄膜之间的层间界面清晰。多层三元复合聚丙烯薄膜的结晶度相比单层纯聚丙烯薄膜显著提升。随着纳米ZrO_(2)含量的增加,多层三元复合聚丙烯薄膜的介电常数提高,而直流电气强度则先上升后下降,在纳米ZrO_(2)质量分数为1.0%时达到最大值(424.3 kV/mm),相应的储能密度也达到最大值(2.14 J/cm^(3)),相比于纯聚丙烯薄膜分别提高了10.6%和31.3%,并且介质损耗因数保持在与纯聚丙烯薄膜相同的10-3水平。三元复合聚丙烯和层间界面能够共同抑制异极性空间电荷的迁移,进而有助于改善介质内部电场分布,提高电气强度,同时降低由于电子迁移产生的介质损耗。 展开更多
关键词 聚丙烯 纳米电介质 多层结构 储能密度 电容器
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多层片式电感器介质材料及其工艺的发展现状 被引量:12
5
作者 罗凌虹 周和平 +1 位作者 黄河激 王少洪 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1032-1040,共9页
综述了近年来国内外多层片式电感器介质材料及其工艺研究的发展现状和方向,介绍了不同的频率段,应选择不同的低烧材料作为器件的介质材料,特别针对有关用于高频MLCIs的低介瓷的研究进行了详细的介绍.同时概括了多层片式电感器... 综述了近年来国内外多层片式电感器介质材料及其工艺研究的发展现状和方向,介绍了不同的频率段,应选择不同的低烧材料作为器件的介质材料,特别针对有关用于高频MLCIs的低介瓷的研究进行了详细的介绍.同时概括了多层片式电感器生产的特殊而典型工艺过程. 展开更多
关键词 多层片式电感 低烧介质材料 多层片式工艺 生产工艺
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聚偏氟乙烯/钛酸钡高介电复合材料的制备与研究 被引量:11
6
作者 朱永军 罗筑 +5 位作者 孙静 黄安荣 马艳红 梁培志 何敏 韦良强 《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期80-84,共5页
受功能梯度材料设计理念的启发,采用聚合物微纳层叠共挤装置,提出了交替多层介电复合材料的假设,设计了(聚偏氟乙烯/钛酸钡)(PVDF/BaTiO3)/PVDF交替多层介电复合材料,研究了复合材料的结构和性能。结果表明,复合材料中PVDF以α、β两种... 受功能梯度材料设计理念的启发,采用聚合物微纳层叠共挤装置,提出了交替多层介电复合材料的假设,设计了(聚偏氟乙烯/钛酸钡)(PVDF/BaTiO3)/PVDF交替多层介电复合材料,研究了复合材料的结构和性能。结果表明,复合材料中PVDF以α、β两种晶型共存;随着BaTiO3含量的增加,体系的结晶度逐渐降低;介电常数先增大后减小,在BaTiO3质量分数为7.5%时,介电常数达到最大61.43 F/m(25℃,1 MHz);介电损耗因数先减小后增大,但介电损耗因数都小于0.1。因此,利用微纳多层共挤技术,设计的交替多层介电复合材料满足要求。 展开更多
关键词 微纳多层共挤 聚偏氟乙烯 钛酸钡 交替多层 介电复合材料
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高频介电测井的围岩、薄夹层影响与分层能力的理论研究 被引量:5
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作者 刘曼芬 冯庆国 +6 位作者 王秀江 吴洪柱 刘迎春 董庆德 杨善德 杨荫阻 陈国华 《地球物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第A02期552-561,共10页
采用水平多层介质测井模型,给出了沿任意方向的偶极子源在介质空间电磁响应的理论公式,利用递推方法可以很方便地进行数值计算.针对存在薄围岩夹层的情况,利用水平5层介质模型,在典型的地层参数与测量条件下,计算了轴向与径向的... 采用水平多层介质测井模型,给出了沿任意方向的偶极子源在介质空间电磁响应的理论公式,利用递推方法可以很方便地进行数值计算.针对存在薄围岩夹层的情况,利用水平5层介质模型,在典型的地层参数与测量条件下,计算了轴向与径向的磁和电的4种偶极子源的不同物理参量的理论测井曲线,系统考察了围岩、薄夹层的影响与分层能力. 展开更多
关键词 介电测井 围岩影响 分层能力 夹层影响
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退火温度对宽带脉冲压缩光栅载体金属/介质多层高反膜的影响 被引量:4
8
作者 吴建波 晋云霞 +4 位作者 关贺元 孔钒宇 刘文文 刘世杰 易葵 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期1087-1092,共6页
分别以金(Au)作为金属层材料,氧化铪(HfO2)与氧化硅(SiO2)作为高低折射率层材料,利用物理气相沉积方法制备了用于宽带脉冲压缩光栅制作的金属/介质多层高反膜,研究了退火温度对其表面均方根粗糙度、反射率及抗化学清洗破坏能力的影响。... 分别以金(Au)作为金属层材料,氧化铪(HfO2)与氧化硅(SiO2)作为高低折射率层材料,利用物理气相沉积方法制备了用于宽带脉冲压缩光栅制作的金属/介质多层高反膜,研究了退火温度对其表面均方根粗糙度、反射率及抗化学清洗破坏能力的影响。实验结果表明:退火前后样品表面均方根粗糙度变化很小;提高退火温度能提高金属/介质多层膜的抗化学清洗破坏能力,但反射率会随之下降。250℃退火10 h后金属/介质多层膜不仅可以承受住化学清洗过程,而且反射率下降也比较小,可以作为金属/介质多层膜的最佳退火工艺。 展开更多
关键词 金属/介质多层膜 脉冲压缩光栅 退火 化学清洗 反射率
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添加KNN和BBS对BaTiO_3陶瓷微结构和介电性能的影响 被引量:3
9
作者 陈国华 杨云 +3 位作者 王丽娜 孙乾坤 袁昌来 江民红 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1711-1717,共7页
采用固相法制备添加K0.5Na0.5NbO3(KNN)和BBS玻璃(BBS)的BaTiO3电容器陶瓷。借助X射线衍射仪、扫描电镜和阻抗分析仪研究掺杂对晶体结构、微观组织及介电性能的影响。结果表明:单独添加KNN的样品呈单一的钙钛矿结构。随KNN的增加,... 采用固相法制备添加K0.5Na0.5NbO3(KNN)和BBS玻璃(BBS)的BaTiO3电容器陶瓷。借助X射线衍射仪、扫描电镜和阻抗分析仪研究掺杂对晶体结构、微观组织及介电性能的影响。结果表明:单独添加KNN的样品呈单一的钙钛矿结构。随KNN的增加,陶瓷样品高温端的电容变化率减小。掺杂3%-5%KNN(摩尔分数)陶瓷满足X7R特性。掺杂1%BBS(质量分数)对含3%KNN(摩尔分数)陶瓷的晶体结构无影响。BBS超过3%(质量分数)时,有第二相Bi4B2O9和BaTi5O11生成。1 100℃烧结掺杂3%BBS(质量分数)和1%KNN(摩尔分数)的BaTiO3陶瓷具有中等介电常数(1 045),低的介电损耗(0.74%)和较高的体积电阻率(5.5×1011.cm),在55、125和150℃的电容变化率分别为6.6%、1.7%和13.2%,有望用于中温制备的X8R型多层陶瓷电容器。 展开更多
关键词 钛酸钡 掺杂 微结构 介电性能 多层陶瓷电容器
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一维光子晶体与光学多层介质膜 被引量:8
10
作者 陈慰宗 申影 +1 位作者 刘军 卜涛 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1081-1084,共4页
本文阐述了一维光子晶体和光子禁带的概念,对比了一维光子晶体与光学多层介质膜在结构和特性方面的联系和差别,运用薄膜光学的理论和方法讨论了多层介质膜的高反射带与光子禁带和膜系结构参量的关系.
关键词 一维光子晶体 光子禁带 高反射带 光学多层介质膜 薄膜光学 膜系结构参量
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V_2O_5对BaTiO_3-Y_2O_3-MgO陶瓷性能的影响 被引量:4
11
作者 李波 张树人 周晓华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期706-710,共5页
研究了V_2O_5掺杂BaTiO_3-Y_2O_3-MgO系陶瓷的显微结构和介电性能.SEM显示V_2O_5会促进该体系晶粒生长,降低陶瓷致密度.XRD显示V掺杂样品均为单一赝立方相,其固溶度>1.0mol%.研究表明,V离子能有效抑制掺杂离子Y、Mg向BaTiO_3晶粒内扩... 研究了V_2O_5掺杂BaTiO_3-Y_2O_3-MgO系陶瓷的显微结构和介电性能.SEM显示V_2O_5会促进该体系晶粒生长,降低陶瓷致密度.XRD显示V掺杂样品均为单一赝立方相,其固溶度>1.0mol%.研究表明,V离子能有效抑制掺杂离子Y、Mg向BaTiO_3晶粒内扩散,改变掺杂离子在晶粒中分布,从而形成薄壳层的壳芯晶粒,因此V能提高居里峰的强度并改善电容温度稳定性.多价V离子在还原气氛中以+3、+4为主,能增强瓷料的抗还原性,提高绝缘电阻率(10^(13)Ω.cm)、降低介电损耗(0.63%).该体系掺杂0.1mol%V时,介电常数达到2600,满足X8R标准. 展开更多
关键词 钛酸钡 五氧化二钒 显微结构 介电性能 多层陶瓷电容器
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贱金属内电极多层陶瓷电容器(BME-MLCCs)研究进展 被引量:12
12
作者 李艳霞 姚熹 张良莹 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第10期41-43,共3页
贱金属内电极多层陶瓷电容器(BME-MLCCs)经过40年的发展,目前已成为多层陶瓷电容器的主流。钛酸钡的缺陷化学是发展BME-MLCCs的理论基础,利用该理论研发抗还原的钛酸钡基介质陶瓷组成,使钛酸钡基介质陶瓷与镍内电极能够在还原性气氛中... 贱金属内电极多层陶瓷电容器(BME-MLCCs)经过40年的发展,目前已成为多层陶瓷电容器的主流。钛酸钡的缺陷化学是发展BME-MLCCs的理论基础,利用该理论研发抗还原的钛酸钡基介质陶瓷组成,使钛酸钡基介质陶瓷与镍内电极能够在还原性气氛中共烧。BME-MLCCs工业化的一个关键问题是降低由带电荷的氧空位移动所造成的老化。 展开更多
关键词 贱金属内电极多层陶瓷电容器 BME-MLCCs 钛酸钡 缺陷化学
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介电式Al/CuO复合薄膜点火桥的电爆性能 被引量:8
13
作者 朱朋 周翔 +2 位作者 沈瑞琪 叶迎华 胡艳 《含能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期366-369,共4页
提出了"介电式复合薄膜点火桥"的概念,并以Al膜作电极,CuO膜作电介质层,用微细加工技术制备了介电式Al/CuO复合薄膜点火桥样品,尺寸为2000μm×2000μm×2.6μm,电阻值约4Ω。用60 V以上恒压源可激发点火桥发生电爆炸,电爆过... 提出了"介电式复合薄膜点火桥"的概念,并以Al膜作电极,CuO膜作电介质层,用微细加工技术制备了介电式Al/CuO复合薄膜点火桥样品,尺寸为2000μm×2000μm×2.6μm,电阻值约4Ω。用60 V以上恒压源可激发点火桥发生电爆炸,电爆过程中Al/CuO复合薄膜发生了氧化还原反应,生成的单质Cu使点火桥产生了延迟放电效应。用原子发射光谱双谱线法测试了60 V和80 V激发时点火桥的电爆炸温度和持续时间。60 V激发时点火桥电爆炸温度主要分布在2500~3500 K,持续时间约0.35 ms;80 V激发时点火桥电爆炸温度主要分布在3500~4000 K,持续时间约0.55 ms。 展开更多
关键词 军事化学与烟火技术 介电式 Al/CuO复合薄膜 点火桥 电爆性能
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大尺寸衍射光学元件的扫描离子束刻蚀 被引量:7
14
作者 邱克强 周小为 +5 位作者 刘颖 徐向东 刘正坤 盛斌 洪义麟 付绍军 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1676-1683,共8页
总结了大尺寸衍射光学元件离子束刻蚀技术的研究进展。针对自行研制的KZ-400离子束刻蚀装置,提出了组合石墨束阑结构和多位置分步刻蚀策略来提高离子束刻蚀深度的均匀性,目前在450mm尺寸内的刻蚀深度均匀性最高可达±1%。建立了针... 总结了大尺寸衍射光学元件离子束刻蚀技术的研究进展。针对自行研制的KZ-400离子束刻蚀装置,提出了组合石墨束阑结构和多位置分步刻蚀策略来提高离子束刻蚀深度的均匀性,目前在450mm尺寸内的刻蚀深度均匀性最高可达±1%。建立了针对多层介质膜光栅的衍射强度一维空间分布在线检测系统以及用于透射衍射光学元件离子束刻蚀深度的等厚干涉在线检测系统,实现了对大尺寸衍射光学元件离子束刻蚀终点的定量、科学控制,提高了元件离子束刻蚀工艺的成功率。利用上述技术,成功研制出一系列尺寸的多层介质膜光栅、光束采样光栅、色分离光栅以及同步辐射光栅等多种衍射光学元件。 展开更多
关键词 衍射光学元件 离子束刻蚀 刻蚀深度 在线检测 多层介质膜光栅
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多层片式电感及其材料的研究与发展 被引量:4
15
作者 王少洪 周和平 +1 位作者 罗凌虹 黄河激 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1-5,共5页
综述了国内外多层片式电感发展现状和前景 ,介绍了近年来多层片式电感器及其材料的研究现状 ,列举了目前应用于不同频率段的多层片式电感低烧材料 ,并介绍了用于高频多层片式电感器的低介材料 。
关键词 多层片式电感 低烧介质材料 多层片式化工艺 电感器
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高能激光束在线测量系统的光强衰减设计 被引量:4
16
作者 陈绍武 王群书 +4 位作者 邵碧波 马志亮 宇文璀蕾 张天庆 张磊 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1645-1649,共5页
针对环形光刀取样式高能激光束在线测量系统应用中光电探测器线性饱和功率密度低而被测高能激光功率密度高的特点,采用对取样激光扩束和介质膜衰减片级联衰减的方式,实现了数千倍的线性光强衰减。介绍了环形光刀扫描取样及其扩束衰减... 针对环形光刀取样式高能激光束在线测量系统应用中光电探测器线性饱和功率密度低而被测高能激光功率密度高的特点,采用对取样激光扩束和介质膜衰减片级联衰减的方式,实现了数千倍的线性光强衰减。介绍了环形光刀扫描取样及其扩束衰减原理,并对介质膜衰减片在激光入射角0°~15°和功率密度1~1000W/cm2条件下的透过率特性进行了分析,用实验验证了该光强衰减设计的有效性。 展开更多
关键词 高能激光束 在线诊断 光学衰减 多层介质膜
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介质膜光栅槽形无损检测方法的研究 被引量:4
17
作者 陈新荣 耿康 吴建宏 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期423-425,共3页
为了从理论上探究介质膜基底光刻胶光栅掩模槽形的检测方法,对此种光栅掩模建立了以C方法为理论基础的衍射效率理论计算的数学模型,并将从实际光栅掩模的SEM照片得出的光栅槽形参数带入到该模型中,得到了一系列-1级衍射光的光谱分布曲线... 为了从理论上探究介质膜基底光刻胶光栅掩模槽形的检测方法,对此种光栅掩模建立了以C方法为理论基础的衍射效率理论计算的数学模型,并将从实际光栅掩模的SEM照片得出的光栅槽形参数带入到该模型中,得到了一系列-1级衍射光的光谱分布曲线,这些曲线的变化趋势与一定光栅槽形相对应,提出了通过测量衍射光的光谱分布曲线判断光栅槽形的无损检测方法。分析表明,该方法在光栅槽形的检测过程中,可以较为有效地判断光刻胶是否到底,而这一点在掩模的制作工艺中至关重要。 展开更多
关键词 光栅 多层介质膜 脉冲压缩 C方法
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一维光子晶体的电磁波理论及实现方法 被引量:4
18
作者 陈旻 顾培夫 +1 位作者 刘旭 李海峰 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期953-956,共4页
对一维光子晶体的电磁波理论及周期介质中的 Bloch波解做了详细的推导 ,给出了光子晶体中的禁带存在的理论依据 ,并以此分析了禁带的特征 .同时 ,对一维光子晶体的光学理论做了阐释 ,并应用于一维光子晶体的设计实践 .列举了两个多层周... 对一维光子晶体的电磁波理论及周期介质中的 Bloch波解做了详细的推导 ,给出了光子晶体中的禁带存在的理论依据 ,并以此分析了禁带的特征 .同时 ,对一维光子晶体的光学理论做了阐释 ,并应用于一维光子晶体的设计实践 .列举了两个多层周期介质膜的禁带特性 .最后对光子晶体的应用和制造前景做了展望 . 展开更多
关键词 光子晶体 Bloch波解 禁带 多层周期介质膜系 电磁波理论 半导体技术
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溶胶-凝胶法制备钛酸锶铅薄膜和多层膜及其介电性质 被引量:4
19
作者 王季魁 沈明荣 +1 位作者 方亮 甘肇强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期231-233,237,共4页
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb1-xSrx)TiO3(PST)(x=0.45、0.50、0.55、0.60、0.65)均匀薄膜和多层膜,并研究了它们的介电性质。发现均匀薄膜在x=0.55(PST55)时有最大的介电常数,10kHz下为879,损耗为0.02... 采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了多种不同组分的(Pb1-xSrx)TiO3(PST)(x=0.45、0.50、0.55、0.60、0.65)均匀薄膜和多层膜,并研究了它们的介电性质。发现均匀薄膜在x=0.55(PST55)时有最大的介电常数,10kHz下为879,损耗为0.029。在与均匀薄膜相同的条件下分别制备了PST45/PST55,PST50/PST60,PST55/PST65 3种多层膜。发现PST50/PST60多层膜的介电常数得到了明显的增强,在频率为10kHz时相对于同厚度的PST55均匀薄膜从879增加到1008,而损耗依然保持较低(0.027)。研究同时表明,PST多层膜在电容-电压可调谐性和介电击穿等性质方面也较均匀薄膜有不同程度提高。与其它两种多层膜比较后发现,在PST50/PST60多层膜中处于PST55左右组分的界面层对介电性质有比较大的影响。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 钛酸锶铅 多层膜 介电性质
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常压空气亚微秒脉冲多层介质阻挡实验研究 被引量:2
20
作者 李杰 李喜 +3 位作者 董攀 王远 龙继东 章林文 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期2116-2120,共5页
多层介质阻挡放电可在纵向空间增大放电等离子体的体积及其与材料相互作用的表面积,在实际工业生产中将有广泛的应用前景。为此采用单极性重复频率高压亚微秒脉冲功率源,激励多层介质阻挡放电,在大气压空气中直径130 mm区域,获得3层介质... 多层介质阻挡放电可在纵向空间增大放电等离子体的体积及其与材料相互作用的表面积,在实际工业生产中将有广泛的应用前景。为此采用单极性重复频率高压亚微秒脉冲功率源,激励多层介质阻挡放电,在大气压空气中直径130 mm区域,获得3层介质2层间隙分别为2 mm、2 mm以及5层介质4层间隙分别为1 mm、1 mm、1 mm、2 mm的均匀放电等离子体,采用普通相机(曝光时间1/17 s)对放电图像进行拍摄,不能分辨放电细丝的存在。采用ICCD对三层介质挡板两层2 mm间隙放电过程进行高速摄影实验,在曝光时间5 ns情况下对放电等离子体进行拍摄,发现上下两层间隙放电发光均匀分布在整个放电间隙,并且两层发光强弱保持良好的一致性,表明多层介质阻挡放电击穿具有同时性。 展开更多
关键词 多层介质 介质阻挡放电 常压空气 亚微秒脉冲 高速摄影 材料改性
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