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采用H^+-ISFET的便携式上消化道pH值记录仪的研制被引量：2: 1; 作者李向明韩泾鸿 +2 位作者张虹李亚亭梁卫国《中国生物医学工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期83-87,共5页; 上消化道 pH值记录仪是为临床医学上对胃、食管的 pH值进行长时间监测而专门设计的仪器。本文介绍了一种便携式的上消化道 pH值记录仪的研制。它采用H+ ISFET和内参比电极组成的双通道上消化道pH值传感器 ,以高性能的嵌入式微控制器为... 展开更多; 关键词上消化道 PH值氢离子敏感场效应管 H^+-isfet 嵌入式微控制器; 在线阅读下载PDF 职称材料

PECVD法淀积SiN_xH_y工艺在H^+-ISFET上应用的探讨被引量：2: 2; 作者钟雨乐刘涛李京娜《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第6期49-53,共5页; 本文研究和讨论了使用H99-7S型多用离子反应仪PECVD法淀积氮化硅(SiN_xH_y)膜的工艺,并探讨了SiN_XH_Y膜同时作为氢离子敏场效应晶体管(H^+-ISFET)敏感膜及二次钝化保护膜的可行性,以改善H^+-ISFET器件的密封防渗漏性能。; 关键词 H^+-isfet PECVD 淀积 SiNxHy 氢离子敏场效应晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

热氮化SiO_2绝缘栅H^+-ISFET及其pH响应机理的探讨被引量：1: 3; 作者齐呜罗晋生 +1 位作者崔吾元黄强《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期39-43,共5页; 本文介绍了采用NH_3退火热氮化SiO_2薄膜为绝缘栅兼做敏感膜制作H^+-ISFET,其在pH值为2～13的范围内具有较好的线性响应,灵敏度为41.6～47.8mV/pH,典型值为45.7mV/pH.并运用双表面基模型分析了H^+-ISFET的工作机理,较为合理地解释了以Si... 展开更多; 关键词 H^+-isfet PH响应 SIO2 绝缘栅; 全文增补中

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	采用H^+-ISFET的便携式上消化道pH值记录仪的研制	李向明韩泾鸿张虹李亚亭梁卫国	《中国生物医学工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	PECVD法淀积SiN_xH_y工艺在H^+-ISFET上应用的探讨	钟雨乐刘涛李京娜	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1992	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	热氮化SiO_2绝缘栅H^+-ISFET及其pH响应机理的探讨	齐呜罗晋生崔吾元黄强	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1989	1	全文增补中