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能态密度及其在解释半导体物理问题中的应用
1
作者
林鸿生
《大学物理》
1998年第4期8-10,共3页
通过对半导体杂质饱和电离、灰锡（α－Ｓｎ）半导体特性以及Ｇｕｎｎ效应等的解释，指出能态密度在研究半导体物理现象中的重要应用．
关键词
能态密度
杂质饱和电离
gunn效应
半导体物理
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职称材料
异质谷间转移电子器件的计算机模拟
被引量：
2
2
作者
薛舫时
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第2期118-124,共7页
使用弛豫时间近似求出了描述两能谷间电子交换的方程。在此基础上建立了双能谷电子的连续性方程和油松方程。对具体的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质谷间转移电子器件结构求解了这些方程组，得到了直流工作时器件内的电场分布、双...
使用弛豫时间近似求出了描述两能谷间电子交换的方程。在此基础上建立了双能谷电子的连续性方程和油松方程。对具体的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质谷间转移电子器件结构求解了这些方程组，得到了直流工作时器件内的电场分布、双能谷中载流子的布居以及两个能谷的电流分布。这些结果正好和常规Ｇｕｎｎ器件相反，说明了两种器件的不同工作机理。最后通过对低Ａｌ组份势垒结构的计算说明了Ｘ谷电子注入对器件工作的重要作用。
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关键词
异质谷间
转移电子
效应
gunn效应
能带混合
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职称材料
题名
能态密度及其在解释半导体物理问题中的应用
1
作者
林鸿生
机构
中国科学技术大学物理系
出处
《大学物理》
1998年第4期8-10,共3页
文摘
通过对半导体杂质饱和电离、灰锡（α－Ｓｎ）半导体特性以及Ｇｕｎｎ效应等的解释，指出能态密度在研究半导体物理现象中的重要应用．
关键词
能态密度
杂质饱和电离
gunn效应
半导体物理
Keywords
density of states
saturation ionization of impurities
gunn
effect
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
异质谷间转移电子器件的计算机模拟
被引量：
2
2
作者
薛舫时
机构
北京半导体超晶格国家重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第2期118-124,共7页
基金
国家自然科学基金
文摘
使用弛豫时间近似求出了描述两能谷间电子交换的方程。在此基础上建立了双能谷电子的连续性方程和油松方程。对具体的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质谷间转移电子器件结构求解了这些方程组，得到了直流工作时器件内的电场分布、双能谷中载流子的布居以及两个能谷的电流分布。这些结果正好和常规Ｇｕｎｎ器件相反，说明了两种器件的不同工作机理。最后通过对低Ａｌ组份势垒结构的计算说明了Ｘ谷电子注入对器件工作的重要作用。
关键词
异质谷间
转移电子
效应
gunn效应
能带混合
Keywords
Heterostructure Intervalley Transferred Electron Effect
gunn
Effect
Computer Simulation for Heterostructure Band Mixing and Intervalley Electron Transference
分类号
TN387.1 [电子电信—物理电子学]
TN301 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
能态密度及其在解释半导体物理问题中的应用
林鸿生
《大学物理》
1998
0
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职称材料
2
异质谷间转移电子器件的计算机模拟
薛舫时
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1995
2
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职称材料
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