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HfTiO高k栅介质Ge MOS电容的制备及特性分析
1
作者
朱秋玲
徐静平
+2 位作者
邹晓
黎沛涛
李春霞
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2007年第5期583-585,共3页
采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数(k)栅介质薄膜。电特性测量表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数,减小了等效氧化物厚度,但同时也使界面态密度有所增加。控制HfTiO...
采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数(k)栅介质薄膜。电特性测量表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数,减小了等效氧化物厚度,但同时也使界面态密度有所增加。控制HfTiO中Ti的含量及表面预处理工艺有望改善HfTiO/Ge界面质量。
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关键词
gemos
HfTiO
HFO2
介电常数
界面态密度
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职称材料
题名
HfTiO高k栅介质Ge MOS电容的制备及特性分析
1
作者
朱秋玲
徐静平
邹晓
黎沛涛
李春霞
机构
华中科技大学电子科学与技术系
香港大学电机与电子工程系
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2007年第5期583-585,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(60576021)
中国香港特别行政区科研资助委员会资助项目(HKU7142/05E)
文摘
采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数(k)栅介质薄膜。电特性测量表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数,减小了等效氧化物厚度,但同时也使界面态密度有所增加。控制HfTiO中Ti的含量及表面预处理工艺有望改善HfTiO/Ge界面质量。
关键词
gemos
HfTiO
HFO2
介电常数
界面态密度
Keywords
Ge MOS
HfTiO
HfO2
dielectric constant
interface-state density
分类号
TN305.5 [电子电信—物理电子学]
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
HfTiO高k栅介质Ge MOS电容的制备及特性分析
朱秋玲
徐静平
邹晓
黎沛涛
李春霞
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2007
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