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高κ栅介质肖特基源、漏极Ge-pMOSFET的电学特性
1
作者
卢启海
韩根亮
+3 位作者
吴志国
郑礴
宋玉哲
强进
《兰州大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期404-409,共6页
利用紫外曝光光刻技术和精简的半导体加工工艺,用一步光刻制备了以HfO_2为高κ栅介质,NiGe为肖特基源、漏极的Ge-pMOSFET器件,并在栅极中引入厚度1 nm的Si层对HfO_2和Ge接触界面进行了钝化处理.器件的电学特性测试结果表明,Si钝化效果显...
利用紫外曝光光刻技术和精简的半导体加工工艺,用一步光刻制备了以HfO_2为高κ栅介质,NiGe为肖特基源、漏极的Ge-pMOSFET器件,并在栅极中引入厚度1 nm的Si层对HfO_2和Ge接触界面进行了钝化处理.器件的电学特性测试结果表明,Si钝化效果显著,不仅可确保HfO_2有较高的κ值(22),约为钝化前(κ=10)的两倍,还提高了器件的开启速度和开关比;器件亚阈值摆幅降低为钝化前的50%,开关比从钝化前的105提高至770,提高了约7倍,表明Si钝化是提高器件性能的关键.探讨了Ge-pMOSFET器件呈现双极性的原因,认为肖特基源、漏极在正向栅压下易击穿是导致该现象的主要因素.
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关键词
ge晶体管
Si钝化
转移特性
输出特性
双极性
晶体管
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职称材料
题名
高κ栅介质肖特基源、漏极Ge-pMOSFET的电学特性
1
作者
卢启海
韩根亮
吴志国
郑礴
宋玉哲
强进
机构
甘肃省科学院传感技术研究所甘肃省传感器与传感技术重点实验室
兰州大学物理科学与技术学院
甘肃省科学院纳米应用技术研究室
出处
《兰州大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期404-409,共6页
基金
国家自然科学基金项目(51761001)
甘肃省科学院应用研究与开发计划项目(2015JK-10
+4 种基金
2013JK-01)
甘肃省科学院优秀青年科技创新基金项目(2016YQ-01)
甘肃省科学院创新团队建设项目(CX201602)
甘肃省基础研究创新群体项目(2015GS05470)
甘肃省科技支撑计划项目(144GKCA021)
文摘
利用紫外曝光光刻技术和精简的半导体加工工艺,用一步光刻制备了以HfO_2为高κ栅介质,NiGe为肖特基源、漏极的Ge-pMOSFET器件,并在栅极中引入厚度1 nm的Si层对HfO_2和Ge接触界面进行了钝化处理.器件的电学特性测试结果表明,Si钝化效果显著,不仅可确保HfO_2有较高的κ值(22),约为钝化前(κ=10)的两倍,还提高了器件的开启速度和开关比;器件亚阈值摆幅降低为钝化前的50%,开关比从钝化前的105提高至770,提高了约7倍,表明Si钝化是提高器件性能的关键.探讨了Ge-pMOSFET器件呈现双极性的原因,认为肖特基源、漏极在正向栅压下易击穿是导致该现象的主要因素.
关键词
ge晶体管
Si钝化
转移特性
输出特性
双极性
晶体管
Keywords
ge
MOSFET
silicon passivation
transfer characteristic
output characteristic
bipolar tran-sistor
分类号
TN325.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高κ栅介质肖特基源、漏极Ge-pMOSFET的电学特性
卢启海
韩根亮
吴志国
郑礴
宋玉哲
强进
《兰州大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
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