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GaP_(1-x)N_x混晶(x=0.24%~3.1%)发光复合机制的研究
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作者 吕毅军 高玉琳 +5 位作者 林顺勇 郑健生 张勇 Mascarenhas A 辛火平 杜武青 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期491-495,共5页
利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的发光复合机制.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分x≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量... 利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的发光复合机制.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分x≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,在低组分的混晶中,只存在一种激活能,仍然保持有束缚激子的特征;而在高组分样品(x≥0.81%)中存在两种激活能.高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征,另一方面也表现出新的发光机制. 展开更多
关键词 发光 半导体 带隙弯曲 变温光致发光 gap1-χnχ混晶 激活能
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