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GaP:N绿色LEDn_2层载流子浓度的优化
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作者 赵普琴 杨锡震 薛洪涛 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第2期114-118,共5页
在已报道的p-n2-n1结的势垒分布计算的基础上,对该结构的浓度分布进行了计算。对于正偏情形,计入了n2区产生的压降。考虑到GaP:NLED发光区主要在p区,注入效率γ=jn/(jn+jp),jn和jp分别为电子电流... 在已报道的p-n2-n1结的势垒分布计算的基础上,对该结构的浓度分布进行了计算。对于正偏情形,计入了n2区产生的压降。考虑到GaP:NLED发光区主要在p区,注入效率γ=jn/(jn+jp),jn和jp分别为电子电流和空穴电流。p区内的少子扩散可视为向无限远处的一维扩散;n2区内外加正向偏压时电场不能忽略,空穴又被n2-n1结势垒阻挡(设被完全阻挡),则问题归结为求解有限厚度层中空穴的扩散和复合方程,由边界条件求出空穴扩散电流。将求出的电子扩散电流和空穴扩散电流代入注入效率的表达式即可求得γ。对在合理的参数值范围内的计算结果进行了讨论。分析表明:当n2值在1015~1016cm-3范围内时,注入效率较高,与实验结果基本相符。 展开更多
关键词 gap:nled 结构参数 优化 载流子 浓度 计算 发光二极管
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GaP:N LED p型层厚度的优化
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作者 李桂英 杨锡震 +3 位作者 王亚非 李永良 赵普琴 孙寅官 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期1-3,共3页
实测数据表明:GaPN发光二极管(LED)p型层厚度d为12~17μm时,管芯光强最高.d增大,一方面可使表面复合的影响减小,提高内量子效率;另一方面又会使内吸收增大,降低抽取效率.综合考虑这两方面的影响,选取有关参数。
关键词 结构优化 发光二极管 磷化镓 厚度 P型层
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N_2掺杂p型ZnO及ZnO同质p-n结LED的制备 被引量:14
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作者 张振中 魏志鹏 +8 位作者 吕有明 矫淑杰 姚斌 申德振 张吉英 赵东旭 李炳辉 郑著宏 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1026-1028,共3页
采用射频等离子体辅助分子束外延方法,以N2作为掺杂源,以O2作为辅助分解的气体和氧源,通过等离子体光谱的实时监测来控制掺杂源中各组分的含量,制备了P型ZnO薄膜及同质p—n结。I-V曲线显示该p-n结具有整流特性,直流驱动下获得了稳... 采用射频等离子体辅助分子束外延方法,以N2作为掺杂源,以O2作为辅助分解的气体和氧源,通过等离子体光谱的实时监测来控制掺杂源中各组分的含量,制备了P型ZnO薄膜及同质p—n结。I-V曲线显示该p-n结具有整流特性,直流驱动下获得了稳定的室温电致发光,包括位于420nm附近的发光峰和500-700nm的发光带。 展开更多
关键词 氧化锌 发光二极管 n掺杂
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LED用绿色荧光粉BaSi_2N_2O_2:Eu^(2+)的发光和封装性能 被引量:6
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作者 王灵利 倪海勇 张秋红 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期465-469,共5页
采用高温固相法合成了白光LED用蓝绿色荧光材料BaSi2N2O2∶Eu2+。用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)等对荧光材料进行了表征。XRD结果表明,所制备的样品为较好的单相。BaSi2N2O2∶Eu2+在395 nm和460 nm激发下均具有较高的发射强度,发射峰... 采用高温固相法合成了白光LED用蓝绿色荧光材料BaSi2N2O2∶Eu2+。用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)等对荧光材料进行了表征。XRD结果表明,所制备的样品为较好的单相。BaSi2N2O2∶Eu2+在395 nm和460 nm激发下均具有较高的发射强度,发射峰位于492 nm附近。当Eu2+的摩尔分数为4%时,可以获得最佳的样品发光强度。将荧光材料封装在紫外和蓝光芯片上制作了LED器件,两种器件均发射出强的蓝绿色荧光,色坐标分别为(0.092 0,0.428 2)和(0.112 9,0.223 0)。 展开更多
关键词 led 荧光粉 氮氧化物 BaSi2n2O2∶Eu2+
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BiOBr/g-C_3N_4光催化剂的制备及其LED紫光光催化活性 被引量:3
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作者 林立 邓怡玄 +1 位作者 肖谷清 贺国文 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期2503-2507,共5页
以五水硝酸铋、溴化钾和三聚氰胺为原料,采用溶剂热法制备了摩尔比不同的BiOBr/g-C_3N_4复合光催化剂,并进行了XRD、SEM和DRS表征分析。以50 W LED紫光灯为光源,采用罗丹明B为目标降解物考察了制备样品的光催化性能。结果表明:摩尔比为1... 以五水硝酸铋、溴化钾和三聚氰胺为原料,采用溶剂热法制备了摩尔比不同的BiOBr/g-C_3N_4复合光催化剂,并进行了XRD、SEM和DRS表征分析。以50 W LED紫光灯为光源,采用罗丹明B为目标降解物考察了制备样品的光催化性能。结果表明:摩尔比为1∶1的BiOBr/g-C_3N_4复合光催化剂的具有最优的光催化性能。机理实验结果表明:超氧自由基(O_2·^-)和空穴(h+)为BiOBr/g-C_3N_4复合光催化剂光催化过程最为主要的活性物种。 展开更多
关键词 BiOBr/g-C3n4 光催化 led
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一种新型垂直结构的Si基GaN绿光LED
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作者 卫静婷 张佰君 +5 位作者 刘扬 范冰丰 招瑜 罗睿宏 冼钰伦 王钢 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期235-237,共3页
为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和Si衬底层蒸镀金属,将n-GaN层和Si衬底层直接导通... 为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和Si衬底层蒸镀金属,将n-GaN层和Si衬底层直接导通,形成第一n电极,在减薄的Si衬底背面蒸镀背电极用于形成第二n电极。并且通过改变探针的测试位置,在同一芯片上进行了V-LED与横向导电的LED结构(L-LED)的比较,V-LED展现出了良好的性能,其串联电阻相对降低了10%,在大电流注入的情况下,相对光输出强度也有了提高。 展开更多
关键词 硅衬底 通孔 垂直结构led 电流扩展 绿光led n电极
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湿法腐蚀GaP对LED性能的影响 被引量:1
7
作者 尹以安 王维韵 +1 位作者 王后锦 毛明华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期114-117,共4页
采用化学湿法方法对红光LED的p-GaP层进行腐蚀,研究了不同溶液、不同的溶液配比以及不同的腐蚀时间对LED光电性能的影响。结果表明,当腐蚀深度为1μm时,化学溶液采用HCl∶HNO3∶H2O体积比为3∶1∶2时,腐蚀GaP后,样品粗化效果最佳,比未... 采用化学湿法方法对红光LED的p-GaP层进行腐蚀,研究了不同溶液、不同的溶液配比以及不同的腐蚀时间对LED光电性能的影响。结果表明,当腐蚀深度为1μm时,化学溶液采用HCl∶HNO3∶H2O体积比为3∶1∶2时,腐蚀GaP后,样品粗化效果最佳,比未进行粗化的样品亮度提升25%左右。并且腐蚀小孔的深度会随着反应时间的增加而逐渐加深,但样品的发光亮度则表现为先增加后减小。湿法腐蚀因其操作简单,成本低廉,反应条件易控,可适用于工业化大批量生产。 展开更多
关键词 磷化镓 湿法腐蚀 粗化 led 光电性能
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GaP_(1-x)N_x混晶(x=0.24%~3.1%)发光复合机制的研究
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作者 吕毅军 高玉琳 +5 位作者 林顺勇 郑健生 张勇 Mascarenhas A 辛火平 杜武青 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期491-495,共5页
利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的发光复合机制.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分x≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量... 利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的发光复合机制.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分x≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,在低组分的混晶中,只存在一种激活能,仍然保持有束缚激子的特征;而在高组分样品(x≥0.81%)中存在两种激活能.高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征,另一方面也表现出新的发光机制. 展开更多
关键词 发光 半导体 带隙弯曲 变温光致发光 gap1-χnχ混晶 激活能
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GaP:(N)的背景光谱和发光尖峰
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作者 江炳熙 林秀华 方江陵 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期277-282,共6页
获得高分辨GaP:(N)光致发光光谱,观察到等电子陷阱束缚激子发光中LO(Γ)和loc多声子发射,其强度分布符合治松分布。将声子伴带区分为直接光跃迁和间接光跃迁,并进行了相应讨论.还观察到局域声子效应─—光谱相似定律... 获得高分辨GaP:(N)光致发光光谱,观察到等电子陷阱束缚激子发光中LO(Γ)和loc多声子发射,其强度分布符合治松分布。将声子伴带区分为直接光跃迁和间接光跃迁,并进行了相应讨论.还观察到局域声子效应─—光谱相似定律和相当显著的背景光谱. 展开更多
关键词 发光光谱 激子发光 磷化镓
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GaP:N液相外延层中杂质对PL谱的影响
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作者 林秀华 江炳熙 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期51-55,共5页
借助低温光致发光方法测量了GaPN双液相外延材料PL谱,结果表明:辐射复合效率高的材料PL谱基本上由孤立N和NNi等束缚激子尖锐峰组成;发光效率较低的PL谱含有DA对辐射跃迁的钟形谱上迭加NNi峰.分析了谱峰的性质。
关键词 液相外延 光致发光 辐射复合 磷化镓
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FT-IR法研究GAP与N100的催化反应动力学 被引量:4
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作者 申飞飞 Abbas Tanver 罗运军 《火炸药学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期14-18,共5页
采用傅里叶变换红外(FT-IR)研究了聚叠氮缩水甘油醚(GAP)与多异氰酸酯(N100)之间的反应动力学。得到60、70、80、90℃下分别用TPB(三苯基铋)和T12(二月桂酸二丁基锡)作催化剂时体系的反应机理函数和表观活化能。结果表明,GAP/N100体系... 采用傅里叶变换红外(FT-IR)研究了聚叠氮缩水甘油醚(GAP)与多异氰酸酯(N100)之间的反应动力学。得到60、70、80、90℃下分别用TPB(三苯基铋)和T12(二月桂酸二丁基锡)作催化剂时体系的反应机理函数和表观活化能。结果表明,GAP/N100体系的固化反应为一级动力学反应;当两种固化催化剂质量分数均为0.015%,以TPB为催化剂时体系整个固化过程遵循一级动力学规律;以T12为催化剂时,在转化率达80%之前,体系遵循一级反应规律,反应机理函数为g(α)=-ln(1-α),之后反应机理函数转变为三维(球对称)扩散g(α)=[1-(1-α)1/3]2;用T12作催化剂时,GAP/N100固化反应结束时间远低于用TPB作催化剂时所用时间。 展开更多
关键词 物理化学 FT-IR光谱 固化反应动力学 gap n100 TPB T12
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一种单级串联型N路输出电流独立控制LED驱动电源 被引量:1
12
作者 黄健 罗全明 +1 位作者 何青青 周雒维 《电源学报》 CSCD 北大核心 2018年第4期99-106,共8页
在多彩LED环境照明、LED投影等应用场合,多路输出电流需要实现独立控制。针对此应用目标,提出一种单级串联型N路输出电流独立控制的LED驱动电源,单级结构保证自动实现功率因数校正功能,N-1个由开关管、二极管和输出滤波电容组成的有源... 在多彩LED环境照明、LED投影等应用场合,多路输出电流需要实现独立控制。针对此应用目标,提出一种单级串联型N路输出电流独立控制的LED驱动电源,单级结构保证自动实现功率因数校正功能,N-1个由开关管、二极管和输出滤波电容组成的有源输出单元AOU(active output unit)和1个仅由二极管和输出滤波电容组成的无源输出单元POU(passive output unit)串联构成串联型N路输出结构,通过对N路输出电流采样并进行闭环控制,保证各开关管工作占空比不同,即可实现N路输出电流独立控制。以3路输出为例,详细分析了驱动电源的工作原理及其闭环系统控制方法,并搭建了1台总输出功率为120 W的实验样机,实验结果验证了理论分析的正确性。 展开更多
关键词 led驱动电源 n路输出 电流独立控制 有源输出单元 无源输出单元
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ZnO量子点的制备及其在白光LED中的应用 被引量:2
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作者 朱菲菲 杨柳 +4 位作者 刘凯 刘为振 张涔 徐海阳 马剑钢 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期1420-1428,共9页
利用湿化学方法制备合成Zn O量子点,通过改变合成条件(反应时间、反应物浓度、反应温度)对量子点的尺寸及发光性能进行调控。利用透射电子显微镜、吸收光谱、荧光光谱等表征手段,探讨了合成条件对Zn O量子点光学性质的影响,并优化出适... 利用湿化学方法制备合成Zn O量子点,通过改变合成条件(反应时间、反应物浓度、反应温度)对量子点的尺寸及发光性能进行调控。利用透射电子显微镜、吸收光谱、荧光光谱等表征手段,探讨了合成条件对Zn O量子点光学性质的影响,并优化出适用于构建白光LED器件的最佳合成条件。研究结果表明,在反应温度为20℃、反应时间为3 h、前驱体Zn(OAc)_(2)和Li OH反应浓度比为2∶1时获得的Zn O量子点较为稳定,并在紫外光激发下发出明亮的黄绿色光。在此基础上,以该Zn O量子点为有源层、p-Ga N∶Mg基片为空穴注入层、非晶Al_(2)O_(3)薄膜为电子阻挡层构造了p-i-n型异质结LED,在正向注入电流为5 m A时,获得了来自于器件的白光发射,其色坐标为(0.28,0.30),色温为9424 K。 展开更多
关键词 ZnO量子点 黄绿光发射 湿化学法 ZnO量子点/Al2O3/p-Ga n异质结构 白光led
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具有渐变量子垒的氮极性AlGaN基LED实现载流子调控和性能增强(英文) 被引量:3
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作者 陆义 闫建昌 +6 位作者 李晓航 郭亚楠 吴卓辉 张亮 谷文 王军喜 李晋闽 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期42-53,共12页
为了获得高效率的AlGaN基深紫外发光二极管,提出了具有渐变量子垒的氮极性结构来调控载流子的传输.通过氮极性结构在p型电子阻挡层中形成的反向极化诱导势垒,改善空穴注入和电子泄漏问题.另外研究了不同的渐变方向和渐变程度对器件性能... 为了获得高效率的AlGaN基深紫外发光二极管,提出了具有渐变量子垒的氮极性结构来调控载流子的传输.通过氮极性结构在p型电子阻挡层中形成的反向极化诱导势垒,改善空穴注入和电子泄漏问题.另外研究了不同的渐变方向和渐变程度对器件性能的影响.模拟结果显示,在12nm的AlGaN量子垒上沿着(000-1)方向从Al组分0.65线性渐变到0.6,可以有效平衡量子垒的势垒高度和斜率,从而极大的增强空穴注入,光输出功率相较于传统结构提高了53.6%.该设计为电子泄漏和空穴注入问题提供了直接而有效的解决方案,在实现更高效率的深紫外发光二极管方面显示出广阔的前景. 展开更多
关键词 深紫外led ALGAn 氮极性 渐变量子垒 载流子调控
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GaP:N LPE片的位错对发光亮度的影响
15
作者 李桂英 李永良 +2 位作者 王亚非 杨锡震 孙寅官 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期4-6,共3页
用化学腐蚀配合扫描电镜(SEM)对几种不同来源的国产GaPN液相外延(LPE)材料及各自的衬底的位错密度ND和发光亮度进行了测量.结果表明:样品的发光亮度随LPE层的ND降低而升高,降低衬底的ND可降低LPE层的ND.
关键词 位错密度 发光二极管 LPE 发光性能 磷化镓
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p型InGaN/GaN超晶格N面GaN基LED的光电特性 被引量:1
16
作者 姚楚君 杨国锋 +3 位作者 孙锐 许桂婷 李月靖 蔡乐晟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期820-824,839,共6页
随着氮(N)面Ga N材料生长技术的发展,基于N面Ga N衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义。研究了具有高发光功率的N面Ga N基蓝光LED的新型结构设计,通过在N面LED的电子阻挡层和多量子阱有源层之间插入p型In Ga N/Ga N超... 随着氮(N)面Ga N材料生长技术的发展,基于N面Ga N衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义。研究了具有高发光功率的N面Ga N基蓝光LED的新型结构设计,通过在N面LED的电子阻挡层和多量子阱有源层之间插入p型In Ga N/Ga N超晶格来提高有源层中的载流子注入效率。为了对比N面Ga N基LED优异的器件性能,同时设计了具有相同结构的Ga面LED。通过对两种LED结构的电致发光特性、有源层中能带图、电场和载流子浓度分布进行比较可以发现,N面LED在输出功率和载流子注入效率上比Ga面LED有明显的提升,从而表明N面Ga N基LED具有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 n面Gan 发光二极管 极化效应 InGan/Gan超晶格 载流子注入效率
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GaP:(Bi,N)的时间分辨光致发光谱
17
作者 叶新民 林秀华 +3 位作者 江炳熙 王乃光 陈俊德 叶丽丽 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期396-399,共4页
在9.3K到83K温度范围内测量了GaP:(Bi)和GaP:(Bi,N)样品的时间分辨光致发光谱。实验结果表明,在GaP:(Bi,N)中,由孤立N中心和NN_i(i≥3)中心到Bi中心的能量转移过程导致Bi发射带的增强。
关键词 时间分辨光谱 能量转移 gap:(Bi.n)
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GaP:N发光二极管深能级对发光特性的影响
18
作者 苏锡安 高瑛 +1 位作者 赵家龙 刘学彦 《吉林大学自然科学学报》 CSCD 1996年第1期58-60,共3页
测量了GaP:N绿色发光二极管老化前后的可见和近红外发光光谱.从谱中可见,老化后的590um和1260um发光带的发光强度较老化前明显增强,650um有新的发光带.研究了老化产生的深能级的来源及对LED发光特性的影响.
关键词 发光二极管 深能级 电致发光 半导体 磷化镓
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高激发功率对GaP∶N发光谱的影响 被引量:1
19
作者 康秀英 杨锡震 +1 位作者 王亚非 王幼林 《液晶与显示》 CAS CSCD 2001年第1期44-47,共4页
讨论了掺氮磷化镓(GaP∶N)荧光光谱的峰值强度(孤立氮等电子中心束缚激子发光峰A、 最邻近N-N对束缚激子发光峰NN1和次邻近N-N对束缚激子发光峰NN3)随激发强度的变化规律, 并在发光跃迁动力学方程中计入了由于高激发密度引起的... 讨论了掺氮磷化镓(GaP∶N)荧光光谱的峰值强度(孤立氮等电子中心束缚激子发光峰A、 最邻近N-N对束缚激子发光峰NN1和次邻近N-N对束缚激子发光峰NN3)随激发强度的变化规律, 并在发光跃迁动力学方程中计入了由于高激发密度引起的样品温度升高, 而导致孤立氮A的能级NA和最邻近N-N对NN1的能级的热激发的增强, 得到了R(即最近邻N-N对(NN1)束缚激子发光峰与孤立N等电子中心束缚激子发光峰的强度比INN1/IA)与掺N浓度和激发光强的变化关系。 利用实验数据进行拟合, 得到了更好的拟合结果, 并讨论了用此法计算GaP∶N样品中氮浓度时应注意的一些问题。 展开更多
关键词 掺氮磷化嫁 荧光光谱 拟合 激发光强 峰值强度
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n-AlInGaN作为电子缓冲层量子势垒的GaN基LED发光效率提升研究
20
作者 王明军 袁磊 +1 位作者 孙作斌 龙浩 《真空科学与技术学报》 CSCD 北大核心 2017年第5期505-509,共5页
为减少发光量子阱区的缺陷,缓解量子阱区的应力,减小极化效应,提高量子阱结晶质量,本文将n-AlInGaN作为非对称电荷谐振隧道(CART)层即电子缓冲层中的量子势垒应用于GaN基LED中,以降低外量子效率衰减、提高发光效率。实验数据表明,在相... 为减少发光量子阱区的缺陷,缓解量子阱区的应力,减小极化效应,提高量子阱结晶质量,本文将n-AlInGaN作为非对称电荷谐振隧道(CART)层即电子缓冲层中的量子势垒应用于GaN基LED中,以降低外量子效率衰减、提高发光效率。实验数据表明,在相同的正向偏压下,相对于传统的以GaN为CART量子势垒的LED,采用n-AlInGaN作为势垒层具有更大光输出功率。原子力显微镜结果显示,以n-AlInGaN为CART势垒层能有效截止底层产生的线性位错,降低量子阱区由于晶格失配造成的应力。由于极化作用的减小,及电流扩展效应,采用n-AlInGaN作为势垒层样品的外量子效率衰减减弱,器件的抗静电能力也明显增强。 展开更多
关键词 氮化镓 发光二极管 非对称电荷谐振隧道 n-AlInGan 量子势垒
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