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GaP/SiH范德华异质结构的可调谐电子和光学特性的第一性原理研究
1
作者
郭鑫
马永强
+4 位作者
鲍爱达
邓蕊
秦丽
张文琦
徐厚敦
《高等学校化学学报》
北大核心
2025年第2期135-142,共8页
预测并构建了一种Ⅱ型的GaP/SiH异质结构,并对其结构特性、电子特性和光学特性进行了研究.结果表明,该GaP/SiH异质结构属于典型的Ⅱ型范德华异质结构,展现出卓越的能量稳定性.GaP/SiH异质结构的带隙为2.24 eV,Ⅱ型能带结构的排列有效抑...
预测并构建了一种Ⅱ型的GaP/SiH异质结构,并对其结构特性、电子特性和光学特性进行了研究.结果表明,该GaP/SiH异质结构属于典型的Ⅱ型范德华异质结构,展现出卓越的能量稳定性.GaP/SiH异质结构的带隙为2.24 eV,Ⅱ型能带结构的排列有效抑制了光生载流子的复合.通过施加不同的双轴应变和垂直应变,可以对异质结的电子结构进行一定范围内的精确调控.GaP/SiH异质结构在可见光和紫外光区也表现出优异的光吸收性能,吸收率可达2.34×10^(6)cm^(−1).GaP/SiH异质结构表现出的优异性能为光电子器件的设计提供了参考.
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关键词
第一性原理
gap/sih范德华异质结构
光吸收
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职称材料
题名
GaP/SiH范德华异质结构的可调谐电子和光学特性的第一性原理研究
1
作者
郭鑫
马永强
鲍爱达
邓蕊
秦丽
张文琦
徐厚敦
机构
中北大学电子测试技术国家重点实验室
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
武警工程大学密码工程学院
出处
《高等学校化学学报》
北大核心
2025年第2期135-142,共8页
基金
国家自然科学基金(批准号:62204232)资助.
文摘
预测并构建了一种Ⅱ型的GaP/SiH异质结构,并对其结构特性、电子特性和光学特性进行了研究.结果表明,该GaP/SiH异质结构属于典型的Ⅱ型范德华异质结构,展现出卓越的能量稳定性.GaP/SiH异质结构的带隙为2.24 eV,Ⅱ型能带结构的排列有效抑制了光生载流子的复合.通过施加不同的双轴应变和垂直应变,可以对异质结的电子结构进行一定范围内的精确调控.GaP/SiH异质结构在可见光和紫外光区也表现出优异的光吸收性能,吸收率可达2.34×10^(6)cm^(−1).GaP/SiH异质结构表现出的优异性能为光电子器件的设计提供了参考.
关键词
第一性原理
gap/sih范德华异质结构
光吸收
Keywords
First principle
gap/
sih
van der Waals heterostructure
Optical absorption
分类号
O641 [理学—物理化学]
O482 [理学—固体物理]
G312 [文化科学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
GaP/SiH范德华异质结构的可调谐电子和光学特性的第一性原理研究
郭鑫
马永强
鲍爱达
邓蕊
秦丽
张文琦
徐厚敦
《高等学校化学学报》
北大核心
2025
0
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职称材料
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