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采用Al缓冲层在蓝宝石衬底上合成GaN多晶薄膜
1
作者
赵君芙
赵丹
+2 位作者
梁建
马淑芳
许并社
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期71-73,共3页
采用CVD法以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为原料,在镀有Al膜的蓝宝石衬底上成功地制备了GaN多晶薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光能谱(PL)对样品进行了成分、形貌、表面粗糙度和...
采用CVD法以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为原料,在镀有Al膜的蓝宝石衬底上成功地制备了GaN多晶薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光能谱(PL)对样品进行了成分、形貌、表面粗糙度和发光性能分析。结果表明,制备的GaN薄膜为结晶性较好的六方纤锌矿GaN多晶薄膜,用266nm的激光作为激发光源时,光致发光谱中除出现354nm的近带边发射峰外,同时还观察到中心波长位于530nm附近的黄光发光峰及中心波长位于约637nm的红光发光峰。
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关键词
半导体
gan多晶薄膜
Al缓冲层
CVD法
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职称材料
题名
采用Al缓冲层在蓝宝石衬底上合成GaN多晶薄膜
1
作者
赵君芙
赵丹
梁建
马淑芳
许并社
机构
太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室
太原理工大学材料科学与工程学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期71-73,共3页
基金
山西省回国留学人员科研资助项目(2008-37)
山西省回国留学人员重点资助项目(2009-03)
文摘
采用CVD法以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为原料,在镀有Al膜的蓝宝石衬底上成功地制备了GaN多晶薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光能谱(PL)对样品进行了成分、形貌、表面粗糙度和发光性能分析。结果表明,制备的GaN薄膜为结晶性较好的六方纤锌矿GaN多晶薄膜,用266nm的激光作为激发光源时,光致发光谱中除出现354nm的近带边发射峰外,同时还观察到中心波长位于530nm附近的黄光发光峰及中心波长位于约637nm的红光发光峰。
关键词
半导体
gan多晶薄膜
Al缓冲层
CVD法
Keywords
semiconductor,
gan
polycrystalline film, Al buffer layer, CVD method
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
采用Al缓冲层在蓝宝石衬底上合成GaN多晶薄膜
赵君芙
赵丹
梁建
马淑芳
许并社
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
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