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GaN基和LiZnAs基稀磁半导体的研究进展
被引量：
2
1
作者
王爱玲
毋志民
+1 位作者
王聪
赵若禺
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第15期113-118,共6页
综述了稀磁半导体及其研究进展,阐述了提高居里温度的方法。从晶体结构、材料的研究现状和待解决的问题几个方面详述了以GaN为代表的传统的Ⅲ-Ⅴ族基和LiZnAs为代表的新型Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基两类稀磁半导体的基本特点,并展望了今后的研究重点...
综述了稀磁半导体及其研究进展,阐述了提高居里温度的方法。从晶体结构、材料的研究现状和待解决的问题几个方面详述了以GaN为代表的传统的Ⅲ-Ⅴ族基和LiZnAs为代表的新型Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基两类稀磁半导体的基本特点,并展望了今后的研究重点及发展方向。
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关键词
gan基稀磁半导体liznas基新型稀磁半导体居里温度
晶体结构
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职称材料
题名
GaN基和LiZnAs基稀磁半导体的研究进展
被引量：
2
1
作者
王爱玲
毋志民
王聪
赵若禺
机构
重庆师范大学物理与电子工程学院
重庆市光电功能材料重点实验室
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第15期113-118,共6页
基金
国家自然科学基金(612011119)
教育部科学技术重点项目(211152)
+1 种基金
重庆市教委科技项目(KJ110634)
重庆市高校创新团队项目(201013)
文摘
综述了稀磁半导体及其研究进展,阐述了提高居里温度的方法。从晶体结构、材料的研究现状和待解决的问题几个方面详述了以GaN为代表的传统的Ⅲ-Ⅴ族基和LiZnAs为代表的新型Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基两类稀磁半导体的基本特点,并展望了今后的研究重点及发展方向。
关键词
gan基稀磁半导体liznas基新型稀磁半导体居里温度
晶体结构
Keywords
diluted magnetic semiconductor based on
gan
, diluted magnetic semiconductor based on
liznas
,Curie temperature, crystal structure
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN基和LiZnAs基稀磁半导体的研究进展
王爱玲
毋志民
王聪
赵若禺
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
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