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面向空间应用的GaN功率器件及其辐射效应被引量：3: 1; 作者毕津顺沈立志 +3 位作者梅博曹爽孙毅于庆奎《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期149-159,共11页; 研究氮化镓(GaN)功率器件及其辐射效应对于解决空间应用需求、促进新一代航天器建设具有重大意义。介绍了GaN功率器件的主要结构及工作原理,综述了近年来国内外在GaN功率器件的总剂量效应和单粒子效应两方面的研究进展,并对辐射效应在Ga... 展开更多; 关键词 gan功率器件总剂量效应单粒子效应空间应用; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN功率器件应用可靠性增长研究被引量：9: 2; 作者江元俊王卫华郑新《微波学报》 CSCD 北大核心 2023年第1期62-67,共6页; GaN功率器件是雷达T/R组件或发射功放组件中的核心元器件,随着器件的输出功率和功率密度越来越高,器件的长期可靠性成为瓶颈。文章对雷达脉冲工作条件下GaN功率器件的失效机理进行了分析和研究,指出高漏源过冲电压、栅源电压的稳定性以... 展开更多; 关键词 gan功率器件应用可靠性漏源偏置电压电压过冲栅流管芯结温加速寿命试验; 在线阅读下载PDF 职称材料

第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战被引量：30: 3; 作者何亮刘扬《电源学报》 CSCD 2016年第4期1-13,共13页; 氮化镓(GaN)材料具有优异的物理特性,非常适合于制作高温、高速和大功率电子器件,具有十分广阔的市场前景。Si衬底上GaN基功率开关器件是目前的主流技术路线,其中结型栅结构(p型栅)和共源共栅级联结构(Cascode)的常关型器件已经逐步实... 展开更多; 关键词氮化镓 Si衬底上gan功率电子器件 gan MOSFET器件产业化; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换被引量：6: 4; 作者赵正平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期1-6,13,共7页; GaN材料具有高的击穿场强、高的载流子饱和速度和能形成高迁移率、高密度的二维电子气,使得GaN功率开关器件具有关断电压高、导通电阻小、工作频率高等特点。GaN功率开关器件将成为高效率与超高频(UHF)电力电子学发展的重要基础之一。... 展开更多; 关键词常开gan功率开关器件常关gan功率开关器件 gan高电子迁移率晶体管 (HEMT) gan异质结场效应晶体管(HFET) 增强型器件功率变换; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于p-GaN结构的GaN HEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术被引量：1: 5; 作者倪金玉孔岑 +1 位作者周建军孔月婵《电源学报》 CSCD 北大核心 2019年第3期53-56,共4页; 基于含p-GaN帽层的Si基GaN材料,实现了增强型GaN功率电子器件与数字电路单片集成技术的开发。在同一片晶圆上实现了增强型高压GaN器件、DCFL结构反相器和17级环形振荡器。高压GaN功率电子器件阈值电压VTH达到1.2V,击穿电压VBD达到700V,... 展开更多; 关键词单片集成 p-gan帽层增强型gan功率电子器件数字电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于GaN器件的固态射频电源应用研究被引量：2: 6; 作者谭平平桂成东 +1 位作者姜力铭陈文光《电源学报》 CSCD 北大核心 2020年第4期116-122,共7页; 随着电力电子技术的发展,射频电源由电子管电源发展成现在的晶体管射频电源。氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,具有宽禁带、高临界击穿场强、高电子饱和漂移速度以及高导通的AlGaN/GaN异质结二维电子气... 展开更多; 关键词射频电源 gan功率器件 E类宽禁带; 在线阅读下载PDF 职称材料

S波段小型化大功率功放模块设计与实现被引量：5: 7; 作者刘登宝王卫华《现代雷达》 CSCD 北大核心 2023年第3期84-87,共4页; 现代S波段相控阵雷达对T/R组件发射通道小型化和大功率的需求越来越高。GaN功率器件具有高功率密度、高效率和突出的热属性,采用GaN功率器件来构建功放模块是实现小型化和大功率的首选方案。文中采用载片式内匹配GaN功率放大器、GaN MMI... 展开更多; 关键词功放模块 gan功率器件小型化大功率载片式内匹配 Lange电桥; 在线阅读下载PDF 职称材料

16线集成窄脉冲半导体激光器模块的研制被引量：8: 8; 作者张厚博王晓燕 +2 位作者崔璐李晓红杨红伟《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第9期696-700,共5页; 为提高激光雷达系统的探测距离和空间探测精度,并减少其体积及成本,研制了一款16线集成窄脉冲半导体激光器模块,该模块主要包括高密度排列的激光器芯片、集成驱动电路及光电混合集成封装结构。采用三层发光纳米堆叠激光器芯片及高精度... 展开更多; 关键词半导体激光器集成封装 gan功率器件 16线集成窄脉冲激光雷达; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名面向空间应用的GaN功率器件及其辐射效应被引量：3: 1; 作者毕津顺沈立志梅博曹爽孙毅于庆奎; 机构中国科学院大学集成电路学院中国科学院微电子研究所中国航天宇航元器件工程中心; 出处《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期149-159,共11页; 基金国家自然科学基金资助项目(61634008)。; 文摘研究氮化镓(GaN)功率器件及其辐射效应对于解决空间应用需求、促进新一代航天器建设具有重大意义。介绍了GaN功率器件的主要结构及工作原理,综述了近年来国内外在GaN功率器件的总剂量效应和单粒子效应两方面的研究进展,并对辐射效应在GaN功率器件中造成的退化和损伤机制进行分析与讨论。研究结果显示:GaN功率器件具有较强的抗总剂量能力,但是抗单粒子能力较弱,易发生漏电和单粒子烧毁,且烧毁点多发生在栅极边缘的漏侧。对GaN功率器件辐照损伤机理的研究缺乏权威理论,有待进一步探索,为其空间应用提供理论支撑。目前,平面结构的GaN功率器件是主流的技术方案,单片集成及高频小型化是GaN功率器件未来发展的方向。; 关键词 gan功率器件总剂量效应单粒子效应空间应用; Keywords gan power device total ionizing dose effect single event effect space application; 分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN功率器件应用可靠性增长研究被引量：9: 2; 作者江元俊王卫华郑新; 机构中国电子科技集团公司第十四研究所; 出处《微波学报》 CSCD 北大核心 2023年第1期62-67,共6页; 文摘 GaN功率器件是雷达T/R组件或发射功放组件中的核心元器件,随着器件的输出功率和功率密度越来越高,器件的长期可靠性成为瓶颈。文章对雷达脉冲工作条件下GaN功率器件的失效机理进行了分析和研究,指出高漏源过冲电压、栅源电压的稳定性以及GaN管芯的沟道温度的高低是影响GaN功率器件长期应用可靠性的主要因素,同时给出了降低漏源过冲电压、提高栅源电压稳定性以及改善GaN管芯的沟道温度的措施和方法。; 关键词 gan功率器件应用可靠性漏源偏置电压电压过冲栅流管芯结温加速寿命试验; Keywords gan power devices work reliability drain-source bias-voltage voltage overshoot gate current transistor chip junction-temperature accelerated life test; 分类号 TN957 [电子电信—信号与信息处理] TN722.75 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战被引量：30: 3; 作者何亮刘扬; 机构中山大学电子与信息工程学院中山大学电力电子及控制技术研究所; 出处《电源学报》 CSCD 2016年第4期1-13,共13页; 基金国家自然科学基金资助项目(51177175) 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA032606) 广东省自然科学基金资助项目(2015A030312011)~~; 文摘氮化镓(GaN)材料具有优异的物理特性,非常适合于制作高温、高速和大功率电子器件,具有十分广阔的市场前景。Si衬底上GaN基功率开关器件是目前的主流技术路线,其中结型栅结构(p型栅)和共源共栅级联结构(Cascode)的常关型器件已经逐步实现产业化,并在通用电源及光伏逆变等领域得到应用。但是鉴于以上两种器件结构存在的缺点,业界更加期待能更充分发挥GaN性能的"真"常关MOSFET器件。而GaN MOSFET器件的全面实用化,仍然面临着在材料外延方面和器件稳定性方面的挑战。; 关键词氮化镓 Si衬底上gan功率电子器件 gan MOSFET器件产业化; Keywords gan gan power electronic devices on Si substrate gan MOSFET industrialization; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换被引量：6: 4; 作者赵正平; 机构中国电子科技集团公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期1-6,13,共7页; 文摘 GaN材料具有高的击穿场强、高的载流子饱和速度和能形成高迁移率、高密度的二维电子气,使得GaN功率开关器件具有关断电压高、导通电阻小、工作频率高等特点。GaN功率开关器件将成为高效率与超高频(UHF)电力电子学发展的重要基础之一。综述了GaN功率开关器件的发展历程、现状、关键技术突破、应用研究和微功率变换集成。重点评估了常开和常关两类GaN功率开关器件的异质结外延材料的结构、器件结构优化、器件的关键工艺、增强型器件的形成技术、器件性能、可靠性、应用特点和微系统集成。最后总结了新世纪以来GaN新一代电力电子器件技术进步的亮点。; 关键词常开gan功率开关器件常关gan功率开关器件 gan高电子迁移率晶体管 (HEMT) gan异质结场效应晶体管(HFET) 增强型器件功率变换; Keywords normally-on gan powerhigh electron mobility transistor （HEMT）hancement-mode device power conversionswitch gandevice normally-offheterojunctiongan power switch device ganeffect transistor （HFET） en-; 分类号 TN323 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于p-GaN结构的GaN HEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术被引量：1: 5; 作者倪金玉孔岑周建军孔月婵; 机构微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室; 出处《电源学报》 CSCD 北大核心 2019年第3期53-56,共4页; 基金国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402802)~~; 文摘基于含p-GaN帽层的Si基GaN材料,实现了增强型GaN功率电子器件与数字电路单片集成技术的开发。在同一片晶圆上实现了增强型高压GaN器件、DCFL结构反相器和17级环形振荡器。高压GaN功率电子器件阈值电压VTH达到1.2V,击穿电压VBD达到700V,输出电流ID达到8A,导通电阻RON为300mΩ。基于E/D集成技术的DCFL结构反相器低噪声和高噪声容限分别为0.63V和0.95V;所研制17级环形振荡器在输入6V条件下振荡频率345MHz,级延时为85ps。; 关键词单片集成 p-gan帽层增强型gan功率电子器件数字电路; Keywords monolithic integration p-gan cap enhancement-mode gan power electronic device digital circuit; 分类号 TM23 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于GaN器件的固态射频电源应用研究被引量：2: 6; 作者谭平平桂成东姜力铭陈文光; 机构南华大学电气工程学院; 出处《电源学报》 CSCD 北大核心 2020年第4期116-122,共7页; 文摘随着电力电子技术的发展,射频电源由电子管电源发展成现在的晶体管射频电源。氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,具有宽禁带、高临界击穿场强、高电子饱和漂移速度以及高导通的AlGaN/GaN异质结二维电子气2DEG(two-dimensional electrons gas)等优点。GaN功率器件与硅(Si)功率器件相比,具有导通阻抗低,输入、输出电容小等特性,这些特性使得GaN功率器件高开关速度、低损耗。在E类功率射频电源的基础上,采用GaN功率器件设计制作了一款开关频率为4 MHz、功率可调的全固态射频电源实验样机。通过电路的设计和优化,样机的输出功率为21.4 W时,效率达到了96.7%;同时,采用专为射频电源生产的Si功率器件替换掉样机上的GaN器件,实验数据验证了GaN器件开关速度快、损耗低,可大幅度提高射频电源的效率。; 关键词射频电源 gan功率器件 E类宽禁带; Keywords RF power supply gan power device Class-E wide bandgap; 分类号 TN86 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名S波段小型化大功率功放模块设计与实现被引量：5: 7; 作者刘登宝王卫华; 机构南京电子技术研究所; 出处《现代雷达》 CSCD 北大核心 2023年第3期84-87,共4页; 文摘现代S波段相控阵雷达对T/R组件发射通道小型化和大功率的需求越来越高。GaN功率器件具有高功率密度、高效率和突出的热属性,采用GaN功率器件来构建功放模块是实现小型化和大功率的首选方案。文中采用载片式内匹配GaN功率放大器、GaN MMIC功放芯片、Lange电桥及微组装工艺,研制出一种S波段功放模块,体积小,重量轻,在10%带宽内,实现了输出功率大于150 W、功率增益超过35 dB、效率超过50%的性能指标,相较于基于分立封装功率管构建的功放模块,重量和体积上的优势巨大,可广泛应用于现代轻型化相控阵雷达。; 关键词功放模块 gan功率器件小型化大功率载片式内匹配 Lange电桥; Keywords power amplifier module gan power device miniaturization high power flat style internally matched Lange coupler; 分类号 TN722.75 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名16线集成窄脉冲半导体激光器模块的研制被引量：8: 8; 作者张厚博王晓燕崔璐李晓红杨红伟; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第9期696-700,共5页; 文摘为提高激光雷达系统的探测距离和空间探测精度,并减少其体积及成本,研制了一款16线集成窄脉冲半导体激光器模块,该模块主要包括高密度排列的激光器芯片、集成驱动电路及光电混合集成封装结构。采用三层发光纳米堆叠激光器芯片及高精度贴片工艺实现16线激光器贴装;采用结电容和开关损耗较小的新型GaN功率器件实现窄脉冲驱动电路;将激光器芯片与电路封装在同一管壳内,减小分布电感;采用能量压缩技术实现了16线单独可控,获得了高功率(70 W)、窄脉冲(6 ns)和低功耗(4 W)的优良性能。与传统采用分立式器件的激光雷达系统相比,该模块能够将系统探测距离和空间探测精度均提高将近50%。; 关键词半导体激光器集成封装 gan功率器件 16线集成窄脉冲激光雷达; Keywords semiconductor laser integrated packaging gan power device 16-line integration narrow pulse lidar; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	面向空间应用的GaN功率器件及其辐射效应	毕津顺沈立志梅博曹爽孙毅于庆奎	《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2024	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	GaN功率器件应用可靠性增长研究	江元俊王卫华郑新	《微波学报》 CSCD 北大核心	2023	9	在线阅读下载PDF 职称材料
3	第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战	何亮刘扬	《电源学报》 CSCD	2016	30	在线阅读下载PDF 职称材料
4	GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换	赵正平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	6	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于p-GaN结构的GaN HEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术	倪金玉孔岑周建军孔月婵	《电源学报》 CSCD 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	基于GaN器件的固态射频电源应用研究	谭平平桂成东姜力铭陈文光	《电源学报》 CSCD 北大核心	2020	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	S波段小型化大功率功放模块设计与实现	刘登宝王卫华	《现代雷达》 CSCD 北大核心	2023	5	在线阅读下载PDF 职称材料
8	16线集成窄脉冲半导体激光器模块的研制	张厚博王晓燕崔璐李晓红杨红伟	《半导体技术》 CAS 北大核心	2020	8	在线阅读下载PDF 职称材料