高亮度GaN基蓝光与白光LED的研究和进展 被引量：24

1

作者 刘坚斌 李培咸 郝跃 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期673-679,共7页

GaN基蓝光LED高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了GaN材料和GaN基蓝光LED器件结构的发展,阐述了为了改善LED性能的一些新措施、LED在照明光源上的应用优势,给出了白光LED的常用制备方法以及最新的研究成果。最后,提出了需要... GaN基蓝光LED高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了GaN材料和GaN基蓝光LED器件结构的发展,阐述了为了改善LED性能的一些新措施、LED在照明光源上的应用优势,给出了白光LED的常用制备方法以及最新的研究成果。最后,提出了需要着重解决的问题。 展开更多

关键词 光电子学 半导体材料 gan:蓝光led:白光led

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低蓝光的白光LED制备与评价指标修正 被引量：1

2

作者 杨佳楠 王书昶 +4 位作者 赵见国 索博研 刘金鑫 林俊江 孙智江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第11期968-972,997,共6页

基于GaN基蓝光LED激发荧光粉制备的白光LED已取得广泛应用,然而,照明光源中蓝光成分对人体健康、昼夜节律的影响逐渐受到关注。针对蓝光伤害问题,提出了修正后的蓝光危害占比指数(B_(mr)),以更合理地评估白光光源的蓝光危害指标;针对夜... 基于GaN基蓝光LED激发荧光粉制备的白光LED已取得广泛应用,然而,照明光源中蓝光成分对人体健康、昼夜节律的影响逐渐受到关注。针对蓝光伤害问题,提出了修正后的蓝光危害占比指数(B_(mr)),以更合理地评估白光光源的蓝光危害指标;针对夜间照明用白光LED对人体昼夜节律的影响,使用商用蓝/紫光LED系统研究了激发波长、以及荧光粉种类和配比对暖白光LED的健康、护眼指标的影响。研究发现,基于410 nm波长紫光LED制备的暖白光LED光源的B_(mr)和褪黑素敏感区间光功率占比指数(M_(r))分别仅为4.2%和9.2%,接近于卤素灯的水平,显著优于商用高品质暖白光LED,为夜间低蓝光舒适护眼、低褪黑素干扰的健康照明提供了新选择。 展开更多

关键词 蓝光危害 夜间照明 暖白光led 褪黑素 色温 荧光粉

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4-inch蓝宝石图形衬底上GaN基白光LED制备及表征

3

作者 朱友华 刘轩 +1 位作者 王美玉 李毅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期858-862,共5页

在4-inch蓝宝石图形衬底上,基于InGaN/GaN多量子阱结构制备了蓝光LED芯片,并通过与钇铝石榴石黄色荧光粉(YAG∶Ce3+)结合,封装成白光LED器件。简要介绍了外延生长和芯片工艺及封装流程,并对材料特性及器件性能进行了表征。外延片表面形... 在4-inch蓝宝石图形衬底上,基于InGaN/GaN多量子阱结构制备了蓝光LED芯片,并通过与钇铝石榴石黄色荧光粉(YAG∶Ce3+)结合,封装成白光LED器件。简要介绍了外延生长和芯片工艺及封装流程,并对材料特性及器件性能进行了表征。外延片表面形貌良好,蓝光外延片荧光光谱(PL)显示峰值波长为442 nm。对封装后白光芯片进行电学特性测试,得出其开启与限流电压分别为2.7 V与3.6 V。此外,电致发光光谱(EL)含有两个主要的发光峰,分别是440 nm的蓝光峰以及540 nm的黄绿光峰,而随着注入电流的增加,蓝光峰位先蓝移后红移,黄绿光峰位先红移后蓝移再红移。本文中相关的芯片制备及表征技术将对固态照明研究起到一定的促进作用。 展开更多

关键词 gan YAG荧光粉 白光led 表征及性能

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GaN基白光LED的结温测量 被引量：44

4

作者 陈挺 陈志忠 +3 位作者 林亮 童玉珍 秦志新 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期407-412,共6页

用正向电压法、管脚法和蓝白比法等三种方法测量GaN基白光LED的结温,获得了较为准确的结温,误差可以控制在4℃以内。正向电压法在恒定电流的条件下,得到了正向电压与结温的线性关系;蓝白比法在不同环境温度和不同注入电流两种情况下,都... 用正向电压法、管脚法和蓝白比法等三种方法测量GaN基白光LED的结温,获得了较为准确的结温,误差可以控制在4℃以内。正向电压法在恒定电流的条件下,得到了正向电压与结温的线性关系;蓝白比法在不同环境温度和不同注入电流两种情况下,都得到了蓝白比与结温较好的线性关系。提出了蓝白比法可能的物理机制,提高环境温度和增大注入电流都会使结温升高,蓝光峰值波长也会改变,这两个因素都会影响荧光粉的激发和发光效率。降低结温需要考虑的主要因素有白光LED的接触电阻、串联电阻和外量子效率,封装材料的热导率,反射杯和管脚的设计,以及空气散热部分的散热面积等。 展开更多

关键词 gan基白光led 结温 正向电压 管脚温度 电致发光谱

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Si衬底GaN基蓝光LED老化性能 被引量：13

5

作者 肖友鹏 莫春兰 +1 位作者 邱冲 江风益 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期364-368,共5页

报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光LED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向小电压下的电流均有明显的增加;老化后器件的外量子效率(EQE... 报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光LED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向小电压下的电流均有明显的增加;老化后器件的外量子效率(EQE)比老化前低;老化前后EQE衰减幅度在不同的注入电流下存在明显差异,衰减幅度最小处出现在发光效率最高时对应的电流密度区间。 展开更多

关键词 硅衬底 gan 蓝光led 老化 光衰

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可被蓝光激发的白光LED用红色荧光粉材料体系与发光性能研究 被引量：7

6

作者 汤晔 傅仁利 +2 位作者 曹冰 张鹏飞 杨芳 《南京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期58-66,共9页

综述并讨论了目前研究的可被蓝光LED芯片有效激发且具有宽发射带的红色荧光粉,可以得出:白光LED用红色荧光粉主要包括碱土金属硫化物、新型氮化物及硅酸盐等,这些红色荧光粉均可被460nm蓝光激发,并具有宽发射光谱的特点。同时着重分析... 综述并讨论了目前研究的可被蓝光LED芯片有效激发且具有宽发射带的红色荧光粉,可以得出:白光LED用红色荧光粉主要包括碱土金属硫化物、新型氮化物及硅酸盐等,这些红色荧光粉均可被460nm蓝光激发,并具有宽发射光谱的特点。同时着重分析了其晶体结构与荧光性能之间的联系,并探讨了高显色指数和色温可调的白光LED用红色荧光粉下一步的研究方向与应用趋势。 展开更多

关键词 红色荧光粉 蓝光激发 光谱宽化 白光led

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SiN钝化膜对Si衬底GaN基蓝光LED性能影响 被引量：5

7

作者 邱冲 刘军林 +2 位作者 郑畅达 姜乐 江风益 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期840-844,共5页

利用等离子辅助化学气相沉积(PECVD)系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜,并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验,首次研究了SiN钝化膜对垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED可靠性的影响。实验发现... 利用等离子辅助化学气相沉积(PECVD)系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜,并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验,首次研究了SiN钝化膜对垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED可靠性的影响。实验发现:经过30mA、85℃、24h条件老化后,未作钝化处理的Si衬底GaN基蓝光LED的平均光衰为11.41%,而长有SiN钝化膜的LED平均光衰为6.06%,SiN钝化膜有效地改善了LED在各种老化条件下的光衰,另外,SiN钝化膜缓解了Si衬底GaN基蓝光LED老化过程中反向电压(Vr)的下降,但对老化后LED的抗静电击穿能力(ESD)没有明显的影响。 展开更多

关键词 蓝光led gan 硅衬底 SIN 钝化 光衰

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蓝光激发红色荧光粉的研究进展及其在白光LED中的应用 被引量：5

8

作者 柏朝晖 张希艳 +3 位作者 刘全生 卢利平 米晓云 王晓春 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期47-51,共5页

蓝光LED芯片激发黄色荧光粉是目前白光LED的主要实现方式,引入红色荧光粉对调整白光LED的显色指数及色温有重要意义。重点介绍和评述了可被蓝光激发且具有宽发射带的硫化物、氮化物、铝酸盐等几种体系红色荧光粉的发光性质、最新研究成... 蓝光LED芯片激发黄色荧光粉是目前白光LED的主要实现方式,引入红色荧光粉对调整白光LED的显色指数及色温有重要意义。重点介绍和评述了可被蓝光激发且具有宽发射带的硫化物、氮化物、铝酸盐等几种体系红色荧光粉的发光性质、最新研究成果及在白光LED中的应用。对比发现,氮化物荧光粉可被从近紫外到可见绿光有效激发,随基质组成的不同,可发出峰值波长为600～650nm的红色荧光,且由于其优良的化学稳定性、热稳定性成为最有前途的一类红色荧光粉。采用两种以上的荧光粉代替单一黄色荧光粉,有利于调整白光LED的色温,提高显色指数。 展开更多

关键词 蓝光激发 红色荧光粉 白光led

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白光LED的加速老化特性 被引量：41

9

作者 林亮 陈志忠 +3 位作者 陈挺 童玉珍 秦志新 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期617-621,共5页

对两组GaN基白光发光二极管(LED)进行了对比温度加速老化实验,环境温度分别是80,100℃。随着老化温度的升高,电流-电压(I-V)曲线的隧道电流段、扩散电流段以及反向漏电电流均增加,而串联电阻段则变化较小,这是位错密度升高和金属杂质沿... 对两组GaN基白光发光二极管(LED)进行了对比温度加速老化实验,环境温度分别是80,100℃。随着老化温度的升高,电流-电压(I-V)曲线的隧道电流段、扩散电流段以及反向漏电电流均增加,而串联电阻段则变化较小,这是位错密度升高和金属杂质沿着螺旋位错聚集及移动的结果;电容-电压(C-V)曲线中反向偏压下电容减少,正向偏压下电容增大,这是由于螺位错和混合位错产生了漏电的通道;电致发光光谱中黄光荧光成分比重增加;光通量随时间开始缓慢降低,在某一个时刻突然急剧降低,显示各个老化因素累积的影响会在某一时刻导致白光LED突然失效。最后使用阿列纽斯关系计算出所用白光LED的寿命为2.3万小时。 展开更多

关键词 gan基白光led 老化 电流-电压 电容-电压 光通量 寿命

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白光LED的光生物安全性 被引量：9

10

作者 张硕 刘立莉 +1 位作者 杨华 段瑞飞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期329-334,370,共7页

随着蓝光激发荧光粉转换白光LED在照明领域的商业化应用不断扩展,其光生物安全问题逐渐成为了照明领域专家和公众间的热点话题。综述了可见光中的蓝光波段对人体视网膜与昼夜节律可能产生的危害影响及其作用机理,对比分析了LED与传统照... 随着蓝光激发荧光粉转换白光LED在照明领域的商业化应用不断扩展,其光生物安全问题逐渐成为了照明领域专家和公众间的热点话题。综述了可见光中的蓝光波段对人体视网膜与昼夜节律可能产生的危害影响及其作用机理,对比分析了LED与传统照明灯具的功率分布光谱和蓝光危害评估。色温可以作为一个对光源蓝光危害和对褪黑素分泌水平的影响进行有效评估的参数,对不同类型白光光源的对比分析结果表明,在相同的色温与照度下,白光LED对人体并不产生更加严重的蓝光危害。最后简要介绍了目前照明行业所采用光源生物安全性认证标准,市面上符合评级标准要求的照明白光LED不会对人体造成蓝光危害。 展开更多

关键词 白光led 蓝光危害 功率分布光谱 光生物安全 色温

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MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED 被引量：2

11

作者 陆大成 刘祥林 +3 位作者 韩培德 王晓晖 汪度 袁海荣 《液晶与显示》 CAS CSCD 2001年第1期1-5,共5页

报道用自行研制的LP-MOVPE设备， 在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED， 其发射波长分别为430～450nm和520～540nm。

关键词 gan Ingan Algan 双异质结 量子阱 蓝光led 绿光led MOVPE 氮化镓 发光二极管

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GaN基蓝色LED的研究进展 被引量：10

12

作者 段猛 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期60-65,共6页

介绍了GaN材料的基本特性、GaN材料适于做蓝光LED的优势以及具有典型代表意义的GaN基LED器件,讨论了该领域国际最新研究出的蓝光LED和工作原理;从其发展进程中不难看出,改变器件结构、提高材料质量或采用新型材料使GaN基蓝光LED的光谱... 介绍了GaN材料的基本特性、GaN材料适于做蓝光LED的优势以及具有典型代表意义的GaN基LED器件,讨论了该领域国际最新研究出的蓝光LED和工作原理;从其发展进程中不难看出,改变器件结构、提高材料质量或采用新型材料使GaN基蓝光LED的光谱质量和量子效率有了本质提高.同时就制备过程中的关键工艺技术(包括p型掺杂、退火温度、欧姆接触等)及国内外研究进展进行了探讨,对GaN基LED的发展方向及应用前景提出了展望. 展开更多

关键词 gan 蓝光led 发展进程 蓝发发光二极管 氮化镓

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白光LED背光灯

13

《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期511-511,共1页

三星电机开发了蓝光LED与红、绿光荧光粉组合一体的白光LED，用于TFT-LCD背光灯。与RGB三个LED芯片组合的白光LED相比较，价格降低40％，比CCFL背光灯稍贵一些，但已达到大量应用的水平，其产品预计今年将占背光灯市场的3．6％，2010年... 三星电机开发了蓝光LED与红、绿光荧光粉组合一体的白光LED，用于TFT-LCD背光灯。与RGB三个LED芯片组合的白光LED相比较，价格降低40％，比CCFL背光灯稍贵一些，但已达到大量应用的水平，其产品预计今年将占背光灯市场的3．6％，2010年约占29．2％。 展开更多

关键词 白光led 背光灯 TFT-LCD 蓝光led CCFL 荧光粉 芯片组 RGB

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高效白光LED

14

《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期205-205,共1页

日本名城大学开发了高效白光LED。此高效白光LED是由紫光LED与白光荧光材料组合而成的，与原来由蓝光LED和白光荧光材料组成的白光LED相比，发光效率由70 lm／w提高到130 lm／w，

关键词 白光led 蓝光led 材料组合 材料组成 发光效率 光荧光

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白光LED荧光粉

15

《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期327-327,共1页

最近，东芝公司研究开发了一种新的类似于太阳光的LED荧光粉．在蓝光LED照射下荧光粉发光的颜色有蓝绿色、黄绿色、橙色等．这种新的荧光粉与蓝光照射下发红光的荧光粉混合得到类似于太阳光的白光。此荧光粉将应用于照明灯、LCD背光灯... 最近，东芝公司研究开发了一种新的类似于太阳光的LED荧光粉．在蓝光LED照射下荧光粉发光的颜色有蓝绿色、黄绿色、橙色等．这种新的荧光粉与蓝光照射下发红光的荧光粉混合得到类似于太阳光的白光。此荧光粉将应用于照明灯、LCD背光灯及汽车灯等方面。 展开更多

关键词 白光led 荧光粉 蓝光led 研究开发 东芝公司 太阳光 光照射 蓝绿色 黄绿色

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高亮度白光LED

16

《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期144-144,共1页

最近，日本丰田合成公司用蓝光LED和黄光荧光粉组合得到白光。他们在蓝光LED外延层结构上做了改进而得到高效发光。在20mA电流下发光强度为1300mcd，其亮度是现在手机背光LED(600mcd)的2倍以上，另外还采用了耐热树脂，使寿命是现在LED... 最近，日本丰田合成公司用蓝光LED和黄光荧光粉组合得到白光。他们在蓝光LED外延层结构上做了改进而得到高效发光。在20mA电流下发光强度为1300mcd，其亮度是现在手机背光LED(600mcd)的2倍以上，另外还采用了耐热树脂，使寿命是现在LED的1．5倍。 展开更多

关键词 白光led 高亮度 蓝光led 日本丰田 发光强度 耐热树脂 荧光粉 层结构 黄光 背光 手机

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苏州纳米所在高亮度蓝光LED研究方面取得进展

17

《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期3310-3310,共1页

GaN基蓝光LED的发明被誉为＂爱迪生之后的第二次照明革命＂。赤崎勇、天野浩与中村修二因＂发明高效蓝光LED,带来了节能明亮的白色光源＂共同获得2014年诺贝尔物理学奖。利用蓝光LED和荧光粉合成白光的LED灯效率已达到荧光灯的2倍,已经... GaN基蓝光LED的发明被誉为＂爱迪生之后的第二次照明革命＂。赤崎勇、天野浩与中村修二因＂发明高效蓝光LED,带来了节能明亮的白色光源＂共同获得2014年诺贝尔物理学奖。利用蓝光LED和荧光粉合成白光的LED灯效率已达到荧光灯的2倍,已经广泛应用于液晶显示背光照明, 展开更多

关键词 gan基蓝光led 高亮度 诺贝尔物理学奖 纳米 苏州 背光照明 白色光源 led灯

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蓝区无机薄膜电致发光材料研究进展 被引量：4

18

作者 王小平 宁仁敏 +4 位作者 王丽军 柯小龙 陈海将 宋明丽 刘凌鸿 《中国光学》 EI CAS CSCD 2017年第1期13-24,共12页

介绍了蓝区无机薄膜电致发光材料的应用、电致发光器件的发光原理及结构类型,综述了蓝区无机薄膜电致发光材料的种类及其各自存在的问题,重点概述了已实用化的蓝区无机电致发光材料Ga N的研究及应用现状。由于目前多数蓝光芯片核心技术... 介绍了蓝区无机薄膜电致发光材料的应用、电致发光器件的发光原理及结构类型,综述了蓝区无机薄膜电致发光材料的种类及其各自存在的问题,重点概述了已实用化的蓝区无机电致发光材料Ga N的研究及应用现状。由于目前多数蓝光芯片核心技术被少数国外公司垄断,我国所掌握的技术离世界先进水平仍有相当大的差距,因此迫切需要国内能够加大对蓝区电致发光材料的研发。 展开更多

关键词 蓝光材料 led TFEL gan

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紫外光激发Ce^(3+)掺YVO_4蓝光发射性能研究 被引量：4

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作者 张守超 阮永丰 +3 位作者 贾国治 冯志辉 刘枝朋 裴利斌 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期1067-1072,共6页

利用提拉法生长了YVO4和掺2.0at%CeO2(或Ce2(CO3)3)的YVO4:Ce3+晶体。样品的XRD测试表明Ce3+代替Y3+进入晶格,Ce3+的加入并没有影响YVO4的晶格结构。XPS测试显示YVO4:Ce3+晶体中Ce离子3d分裂为882.0、885.8、902.9、908.0和915.9 eV等5... 利用提拉法生长了YVO4和掺2.0at%CeO2(或Ce2(CO3)3)的YVO4:Ce3+晶体。样品的XRD测试表明Ce3+代替Y3+进入晶格,Ce3+的加入并没有影响YVO4的晶格结构。XPS测试显示YVO4:Ce3+晶体中Ce离子3d分裂为882.0、885.8、902.9、908.0和915.9 eV等5个峰,峰位表明样品中铈离子是以Ce3+和Ce4+两种价态形式存在。YVO4和YVO4:Ce3+激发谱都呈现出260~360 nm宽带激发,此激发带源于基质中VO43-离子团的配体O到V的电荷迁移吸收。使用325 nm的紫外线激发时,两种样品均可发出以440 nm为中心的宽带蓝光,其中YVO4发射峰应归属于VO43-离子团中3T2→1A1和3T1→1A1跃迁;而YVO4:Ce3+的蓝光发射则来源于Ce3+的5d→4f的跃迁。分析可知YVO4:Ce3+中VO43-的π轨道和Ce3+的电子波函数能有效地重叠,使得VO43-和Ce3+可通过交换作用有效地向Ce3+传递能量,可大幅提高Ce3+的蓝光发射强度。实验结果显示YVO4:Ce3+可作为UV-LED管芯激发的白光发光二极管用高亮度蓝色发光材料。 展开更多

关键词 YVO4:Ce^3+ 蓝光发射 紫外激发 能量传递 白光led

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红蓝光配比对大豆生长及结实的影响 被引量：1

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作者 韩丽 李健春 +6 位作者 李英双 孙丽萍 王慧洪 孙万梅 彭再慧 邹锡玲 王邦俊 《中国油料作物学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期233-240,共8页

为了探究红蓝光对大豆生长结实的影响,选用Williams 82、Jack和天隆一号三个大豆品种作为实验材料,将其种植于不同比例的LED红蓝光和白光光照的温室中,分析大豆形态、光合参数以及结实的变化特征。结果表明:增加红蓝光的比例,植株高度... 为了探究红蓝光对大豆生长结实的影响,选用Williams 82、Jack和天隆一号三个大豆品种作为实验材料,将其种植于不同比例的LED红蓝光和白光光照的温室中,分析大豆形态、光合参数以及结实的变化特征。结果表明:增加红蓝光的比例,植株高度逐渐增加,同时显著增加了茎粗、节间长度和叶面积;Williams 82和天隆一号成熟叶片的色素都显著下调;适当地增加红蓝光比例,促进了光合作用,大豆长势良好。和白光相比,Williams 82、Jack和天隆一号分别在白光/红蓝光为1/1、3/1和1/3条件下单株果荚数增加最为明显,分别为143%、124%和163%。上述结果说明,适当增加红蓝光比例能促进大豆生长和提高大豆的结实率。 展开更多

关键词 led 大豆 红蓝光 白光 生长 结实

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