C-V法研究温度对GaN基蓝光二极管pn结的影响 被引量：3

1

作者 王春安 符斯列 +3 位作者 刘柳 丁罗城 李俊贤 鲍佳怡 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期1417-1424,共8页

采用C-V法,根据C-2-V曲线和C-3-V曲线,并结合C-V幂律指数k,分析了T=25～-195℃温度范围内,温度变化对Ga N基蓝光发光二极管pn结类型的影响。实验结果表明:当T为25℃和-50℃时,C-2-V呈明显的线性关系,同时幂律指数k为0. 5,说明该温度范... 采用C-V法,根据C-2-V曲线和C-3-V曲线,并结合C-V幂律指数k,分析了T=25～-195℃温度范围内,温度变化对Ga N基蓝光发光二极管pn结类型的影响。实验结果表明:当T为25℃和-50℃时,C-2-V呈明显的线性关系,同时幂律指数k为0. 5,说明该温度范围内的pn结类型为严格的突变结;而温度降低至-100℃时,k值变为0. 45,说明pn结类型开始发生变化;当温度继续降低至-150℃和-195℃时,幂律指数k分别为0. 30和0. 28,说明pn结类型已经发生了变化,变为非突变非缓变结。造成这一现象的原因是低温导致的载流子冻析效应,以及晶体的缺陷和界面态形成的局域空间电荷区在低温环境下,影响了pn结原来的空间电荷分布,并改变了pn结类型。 展开更多

关键词 gan基蓝光二极管 pn结特性 电容-电压法 幂律关系

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p-GaN与ITO欧姆接触的研究

2

作者 甄珍珍 杨瑞霞 王静辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期371-374,389,共5页

针对GaN基发光二极管中p-GaN与透明导电薄膜ITO之间的接触进行研究,尝试找出透明导电层ITO的优化制程条件。将在不同氧流量、ITO厚度及退火温度下制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN基发光二极管,来增加电流扩展,减小ITO与p-GaN欧姆接触电... 针对GaN基发光二极管中p-GaN与透明导电薄膜ITO之间的接触进行研究,尝试找出透明导电层ITO的优化制程条件。将在不同氧流量、ITO厚度及退火温度下制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN基发光二极管,来增加电流扩展,减小ITO与p-GaN欧姆接触电阻,降低LED工作电压及提高透过率、增强LED发光亮度。将ITO薄膜应用于218μm×363μm GaN基发光二极管LED,分析其在20 mA工作电流条件下正向电压和光输出功率的变化,在优化条件下制得的蓝光LED在直流电流20 mA下的正向电压3.23 V,光输出效率为23.25 mW。 展开更多

关键词 氧化铟锡 透明导电薄膜 p型氮化镓 欧姆接触 发光二极管

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通过诱导载流子的V坑传输提升GaN基绿光LED的空穴注入效率

3

作者 张东皓 杨东锴 +2 位作者 徐畅 刘信佑 包立君 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期800-808,共9页

为了提升GaN基多量子阱LED的空穴注入效率,设计了具有不同最后势垒层结构的GaN基多量子阱外延结构,并将其制备为绿光mini-LED发光芯片,利用低温电致发光光谱、电流电压特性测试对其载流子传输机制进行了研究。结果表明,在采用AlGaN或GaN... 为了提升GaN基多量子阱LED的空穴注入效率,设计了具有不同最后势垒层结构的GaN基多量子阱外延结构,并将其制备为绿光mini-LED发光芯片,利用低温电致发光光谱、电流电压特性测试对其载流子传输机制进行了研究。结果表明,在采用AlGaN或GaN/AlN最后势垒层的样品中,有更多载流子可以传输到深层量子阱,空穴注入效率获得提升。本文对这一现象中的载流子运输机制以及V坑缺陷在其中所起的作用进行了研究,发现这种提升主要来自空穴V坑注入比例的增大。实验还发现,过大的V坑注入比例也会造成非辐射复合率上升,从而抑制了AlGaN最后势垒层样品的电光转换效率。 展开更多

关键词 发光二极管 最后势垒层 空穴注入 INgan/gan多量子阱 V坑

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电流拥挤效应对GaN基发光二极管可靠性的影响 被引量：8

4

作者 艾伟伟 郭霞 +4 位作者 刘斌 董立闽 刘莹 宋颖娉 沈光地 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期491-494,503,共5页

文中报道了绝缘蓝宝石衬底上的GaN基发光二极管(LEDs)中,由于横向电阻的存在造成了靠近n型电极台面边缘局部区域电流拥挤,为此从焦耳热和金属电迁移两方面研究了电流拥挤效应对器件可靠性的影响,加速寿命实验结果表明:电流均匀扩展可以... 文中报道了绝缘蓝宝石衬底上的GaN基发光二极管(LEDs)中,由于横向电阻的存在造成了靠近n型电极台面边缘局部区域电流拥挤,为此从焦耳热和金属电迁移两方面研究了电流拥挤效应对器件可靠性的影响,加速寿命实验结果表明:电流均匀扩展可以使可靠性得到有效改善。 展开更多

关键词 gan 发光二极管 可靠性 电流拥挤

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硅衬底GaN基LED的研究进展 被引量：5

5

作者 莫春兰 方文卿 +3 位作者 王立 刘和初 周毛兴 江风益 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期422-429,共8页

与蓝宝石衬底相比,硅衬底具有低成本、大面积、高质量、导电导热性能好等优点,普遍认为使用Si片作GaN薄膜衬底有可能实现光电子和微电子的集成,因此Si基GaN的研究受到了广泛关注。本文回顾了Si衬底GaN基LED的研究进展,同时简要介绍了在S... 与蓝宝石衬底相比,硅衬底具有低成本、大面积、高质量、导电导热性能好等优点,普遍认为使用Si片作GaN薄膜衬底有可能实现光电子和微电子的集成,因此Si基GaN的研究受到了广泛关注。本文回顾了Si衬底GaN基LED的研究进展,同时简要介绍了在Si衬底上制备GaN基LED的实验结果,及研制出工作电压为3.6 V、串联电阻为31Ω、输出功率近1 mW的Si衬底GaN基蓝光LED。 展开更多

关键词 发光二极管 gan SI衬底

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用表面粗化ITO的欧姆接触提高GaN基LED性能(英文) 被引量：12

6

作者 姚雨 靳彩霞 +2 位作者 董志江 孙卓 黄素梅 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期273-277,共5页

应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片。聚苯乙烯纳米颗粒在干法刻蚀中作为刻蚀掩膜。通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数。结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统... 应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片。聚苯乙烯纳米颗粒在干法刻蚀中作为刻蚀掩膜。通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数。结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统的表面光滑的芯片相比在20 mA的驱动电流下,发光强度提高了70%。 展开更多

关键词 gan基发光二极管 铟锡氧化物 表面粗化 自然光刻

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图形化蓝宝石衬底GaN基LED的研究进展 被引量：9

7

作者 周仕忠 林志霆 +1 位作者 王海燕 李国强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期417-424,共8页

蓝宝石衬底作为发光二极管最常用的衬底,经过不断发展,在克服其与GaN间晶格失配和热膨胀失配问题上,研究人员不断提出解决方案。近期发展起来的图形化衬底技术,除了能减少生长在蓝宝石衬底上GaN之间的差排缺陷,提高磊晶质量以解决失配问... 蓝宝石衬底作为发光二极管最常用的衬底,经过不断发展,在克服其与GaN间晶格失配和热膨胀失配问题上,研究人员不断提出解决方案。近期发展起来的图形化衬底技术,除了能减少生长在蓝宝石衬底上GaN之间的差排缺陷,提高磊晶质量以解决失配问题,更能提高LED的出光效率。从衬底图形的形状、尺寸、制备工艺出发,回顾了图形化蓝宝石衬底GaN基LED的研究进展,详细介绍了近年来关于图形化衬底技术与其他技术在提高LED性能方面的结合,总结了图形化蓝宝石衬底应用于大尺寸芯片的优势,并对其未来在大功率照明市场的应用进行了展望。 展开更多

关键词 蓝宝石 图形化衬底 发光二极管(LED) gan 制备工艺

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GaN基功率LED电应力老化早期的退化特性 被引量：4

8

作者 崔德胜 郭伟玲 +3 位作者 崔碧峰 丁艳 闫薇薇 吴国庆 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期93-96,共4页

对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温900 mA电流下的电应力老化,发现蓝光LED老化到24 h隧穿电流最小,绿光LED到6 h隧穿电流最小;同时,两种LED的反向漏电也最小、光通量最大,随后绿光LED的反向漏电增加较快且光通量衰减较快。把... 对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温900 mA电流下的电应力老化,发现蓝光LED老化到24 h隧穿电流最小,绿光LED到6 h隧穿电流最小;同时,两种LED的反向漏电也最小、光通量最大,随后绿光LED的反向漏电增加较快且光通量衰减较快。把热退火效应和电应力下缺陷的产生分别看成正负加速因子,绿光LED的负加速因子的增加速度比蓝光LED大,衰减较快。该结果对GaN LED的改进有一定参考价值。 展开更多

关键词 发光二极管 氮化镓 电应力 _矿特性 光通量

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双波长InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光电特性 被引量：3

9

作者 陈献文 吴乾 +4 位作者 李述体 郑树文 何苗 范广涵 章勇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期190-193,共4页

为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的InGaN/GaN多量子阱发光二极管结构.通过对不同In组分含量的双波长发射发光二极管结构的光致发光和电致发光性能进... 为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的InGaN/GaN多量子阱发光二极管结构.通过对不同In组分含量的双波长发射发光二极管结构的光致发光和电致发光性能进行分析,结果表明In组分含量对双波长发射发光二极管的光致发光谱的稳定性及发光效率有重要影响.此外,用双蓝光发射的芯片来激发YAG:Ce荧光粉实现了高显色指数白光发射. 展开更多

关键词 INgan/gan多量子阱 双波长 发光二极管 金属有机化学气相沉积

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GaN发光二极管表观电阻极值分析 被引量：2

10

作者 谭延亮 肖德涛 +2 位作者 游开明 陈列尊 袁红志 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期337-341,共5页

利用正向交流(ac)小信号方法对GaN发光二极管的电容-电压特性进行测量,可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象。利用LED串联等效电路对表观电容和表观电阻进行了测量,表观电阻-正向电压曲线出现了一个极值点。通过对相关文献分析,提出... 利用正向交流(ac)小信号方法对GaN发光二极管的电容-电压特性进行测量,可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象。利用LED串联等效电路对表观电容和表观电阻进行了测量,表观电阻-正向电压曲线出现了一个极值点。通过对相关文献分析,提出负电容现象的根本原因是在较高的正偏下微分电容dQ/dU<0;推论出pn结的微分电容先随正向偏压的增大而急剧增大,当出现复合发光后随正向偏压的增大而减小,直到随正向偏压的增大而出现负值;正向偏置电压较大时,结电导电流的变化率根据I-V特性曲线取极大值,此时微分电容由于强复合效应已快速变小,表观电阻有极大值;得到了表观电阻极大值表达式。表观电阻与正向电压曲线的极值点与理论模型相吻合,证明了该理论模型的正确性。 展开更多

关键词 gan发光二极管 表现电阻 正向交流(ac)小信号方法 Ⅰ-Ⅴ特性曲线

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立式高真空MOCVD装置及GaN外延生长与器件制备 被引量：1

11

作者 朱丽萍 叶志镇 +2 位作者 赵炳辉 倪贤锋 赵浙 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期448-450,共3页

自行设计了一套具有创新性的研究型立式高真空MOCVD装置 ,能够较好的调节反应气体的流动状态 ,从而在衬底上生长大面积均匀的外延层。利用该装置在蓝宝石和硅单晶衬底上成功地生长出高质量的GaN晶体薄膜。在蓝宝石衬底上生长出n、p型Ga... 自行设计了一套具有创新性的研究型立式高真空MOCVD装置 ,能够较好的调节反应气体的流动状态 ,从而在衬底上生长大面积均匀的外延层。利用该装置在蓝宝石和硅单晶衬底上成功地生长出高质量的GaN晶体薄膜。在蓝宝石衬底上生长出n、p型GaN以及多量子阱多层结构材料 ,并成功制备了GaN基多层量子阱结构的蓝光发光二极管 ,性能良好 ,具有实用价值。 展开更多

关键词 MOCVD gan 外延生长 多量子阱 发光二极管

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激光剥离GaN表面的抛光技术 被引量：1

12

作者 应磊莹 刘文杰 +2 位作者 张江勇 胡晓龙 张保平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第10期758-762,共5页

激光剥离(LLO)技术是研制新型氮化镓(GaN)基谐振腔结构光电子器件的关键技术。然而LLO后的GaN表面往往具有较大的粗糙度,而制作谐振腔结构器件需要很高的表面平整度,因此需要对LLO后的GaN表面进行抛光。分别采用金刚石粉抛光液和胶粒二... 激光剥离(LLO)技术是研制新型氮化镓(GaN)基谐振腔结构光电子器件的关键技术。然而LLO后的GaN表面往往具有较大的粗糙度,而制作谐振腔结构器件需要很高的表面平整度,因此需要对LLO后的GaN表面进行抛光。分别采用金刚石粉抛光液和胶粒二氧化硅抛光液进行机械抛光和化学机械抛光(CMP),并对比了两种方法获得的抛光结果,研究发现前者会在抛光后的GaN表面引入划痕,而采用后者可以得到亚纳米级平整度的表面。进一步的实验结果表明,胶粒二氧化硅抛光液同样适用于图形化衬底外延片激光剥离后的GaN表面抛光。 展开更多

关键词 激光剥离(LLO) gan 化学机械抛光(CMP) 垂直结构发光二极管(VSLED) 谐振腔发光二极管(RCLED) 垂直腔面发射激光器(VCSEL)

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4英寸硅衬底GaN发光二极管 被引量：1

13

作者 袁凤坡 刘波 +3 位作者 尹甲运 王波 王静辉 唐景庭 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期610-614,共5页

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在4英寸(1英寸=2.54 cm)硅(111)衬底上,使用复合Al GaN插入层技术,成功生长出了厚度为4μm无裂纹的GaN基外延层,并在此基础上生长了全结构的发光二极管(LED)外延片。采用喇曼光谱测试和双晶衍射... 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在4英寸(1英寸=2.54 cm)硅(111)衬底上,使用复合Al GaN插入层技术,成功生长出了厚度为4μm无裂纹的GaN基外延层,并在此基础上生长了全结构的发光二极管(LED)外延片。采用喇曼光谱测试和双晶衍射测试表征GaN外延层的应力以及外延层的晶体质量。GaN的喇曼谱峰为568.16 cm^(-1),表面受到的压应力为0.164 7 GPa,由于GaN外延层受到的压应力很小,说明插入Al GaN层之后外延层的应力已经释放。双晶衍射测试得出GaNω(002)的半高宽为320 arcsec。将此外延片制作成功率芯片,芯片尺寸为35 mil×35 mil(1 mil=2.54×10-3cm),封装为白光芯片后,在350 m A下流明效率达到161.1 lm/W,正向开启电压为3.095 V,显色指数为71。 展开更多

关键词 氮化镓 量子阱 发光二极管(LED) 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 喇曼光谱

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GaN发光二极管表观电容极值分析 被引量：1

14

作者 谭延亮 游开明 +1 位作者 陈列尊 袁红志 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期237-240,共4页

利用正向交流(ac)小信号方法对GaN发光二极管的电容-电压特性进行测量,可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象。正向偏压越大,测试频率越低,负电容现象越明显。测量到的负电容现象是表象,不存在负电容;提出GaN发光二极管p-n结的结电容... 利用正向交流(ac)小信号方法对GaN发光二极管的电容-电压特性进行测量,可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象。正向偏压越大,测试频率越低,负电容现象越明显。测量到的负电容现象是表象,不存在负电容;提出GaN发光二极管p-n结的结电容在特定的正向电压范围内等效于可变电容。分析可变电容对正向交流小信号响应得到:特定参数的可变电容使结电容电流相位落后于交流小信号电压相位π/2,使得在测量中表现为负电容。发现表观电容-正向电压曲线的极值点与理论模型相吻合,证明了该理论模型的正确性。 展开更多

关键词 gan发光二极管 负电容 正向交流(ac)小信号方法 可变电容 极值

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p型GaN器件欧姆接触的研究进展 被引量：2

15

作者 王忆锋 唐利斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2009年第2期69-76,共8页

III-V族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件方面的应用潜能而被广为研究。低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键。由于低掺杂和空穴电离等原因,p-GaN上的低阻接触难于制备。制备稳定的p-GaN欧姆接... III-V族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件方面的应用潜能而被广为研究。低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键。由于低掺杂和空穴电离等原因,p-GaN上的低阻接触难于制备。制备稳定的p-GaN欧姆接触一直是一个挑战。主要通过对有关英语期刊文献的归纳分析,介绍了近年来在改进p-GaN工艺、提高欧姆接触性能等方面的研究进展。 展开更多

关键词 gan 欧姆接触 紫外光子探测器 发光二极管 高电子迁移率晶体管 异质结场效应晶体管

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利用选择性外延法生长单芯片双波长白光InGaN/GaN多量子阱结构

16

作者 王福学 叶烜超 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期23-27,共5页

为了制备单芯片无荧光粉白光InGaN/GaN多量子阱发光结构,利用选择性外延生长法在SiO2条纹掩膜板上生长出具有梯形形貌的GaN微面结构,并在该GaN微面结构上生长InGaN/GaN多量子阱结构,最终在单芯片上获得了双波长发光.结果表明:梯形GaN微... 为了制备单芯片无荧光粉白光InGaN/GaN多量子阱发光结构,利用选择性外延生长法在SiO2条纹掩膜板上生长出具有梯形形貌的GaN微面结构,并在该GaN微面结构上生长InGaN/GaN多量子阱结构,最终在单芯片上获得了双波长发光.结果表明:梯形GaN微面由(0001)和(11-22)面组成,两者的表面能和极性不同,并且在InGaN/GaN多量子阱生长过程中,In原子和Ga原子迁移速率不同,从而使得(0001)和(11-22)面上的多量子阱具有不同的发光波长;该性质可以使(11-22)面的微面量子阱发出蓝光(峰值波长为420nm),而(0001)面的量子阱发出黄光(峰值波长为525nm),最终形成双波长的复合白光外延结构. 展开更多

关键词 白光 发光二极管 选择性外延 gan微面 多量子阱

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GaN基纳米阵列LED器件制备及发光特性 被引量：6

17

作者 智婷 陶涛 +5 位作者 刘斌 庄喆 谢自力 陈鹏 张荣 郑有炓 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期1538-1544,共7页

为了降低GaN材料中因应变诱导的量子斯托克斯效应,增加器件有源区内的电子-空穴波函数在实空间的交叠从而提高GaN基LEDs的发光效率,采用紫外软压印技术制备了均匀的周期性纳米柱阵列结构,结合常规LED器件微加工技术获得了In GaN/GaN基... 为了降低GaN材料中因应变诱导的量子斯托克斯效应,增加器件有源区内的电子-空穴波函数在实空间的交叠从而提高GaN基LEDs的发光效率,采用紫外软压印技术制备了均匀的周期性纳米柱阵列结构,结合常规LED器件微加工技术获得了In GaN/GaN基蓝光与绿光纳米阵列LED器件并对其进行了表征分析。结果表明:纳米柱阵列LED器件具有均匀的发光和稳定的光电性能。纳米结构不仅有效缓解了量子阱中的应力积累(弛豫度~70%),提高了器件的辐射复合几率和出光效率,同时结合纳米柱侧壁的化学钝化处理进一步降低了器件有源区的缺陷密度,显著降低了LED器件的漏电流(~10-7),最终提高了器件的发光效率。 展开更多

关键词 INgan/gan 发光二极管 纳米柱 纳米压印

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GaN基不同电极形状的LED性能比较 被引量：3

18

作者 董雅娟 张俊兵 +3 位作者 林岳明 金豫浙 王书昶 曾祥华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期177-181,193,共6页

对前期工作中使用Crosslight APSYS软件模拟的6种优化电极的GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进行可靠性分析。结果表明,优化电极的实验结果和软件模拟结果基本吻合,优化电极... 对前期工作中使用Crosslight APSYS软件模拟的6种优化电极的GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进行可靠性分析。结果表明,优化电极的实验结果和软件模拟结果基本吻合,优化电极的光学、电学等特性的确有明显改善,芯片出光效率也有提升。对称型指形在光通量、光效和电压(电流为20 mA)等方面在这6种电极中最优;旋转形电极的寿命在预测中最高,为37 000 h,对称型指形位居第二;老化对优化电极的影响与未优化电极相差不多,所以综合考虑,对称型指形的性能最优。 展开更多

关键词 gan 电极形状 发光二极管 寿命 光电性能

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InGaN/GaN多量子阱LED载流子泄漏与温度关系研究 被引量：3

19

作者 刘诗涛 王立 +5 位作者 伍菲菲 杨祺 何沅丹 张建立 全知觉 黄海宾 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期63-69,共7页

通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同... 通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同时,光电流的增大在激发密度较低的时候更为明显,而且光电流随温度的增加幅度与激发光子的能量有关。用量子阱-量子点复合模型能很好地解释所观察到的实验现象。实验结果直接证明,随着温度的升高,InGaN/GaN量子阱中的载流子泄漏将显著增加,而且在低激发密度下这一效应更为明显。温度升高导致的载流子泄漏增多是InGaN多量子阱LED发光效率随温度升高而降低的重要原因。 展开更多

关键词 INgan/gan多量子阱 发光二极管 载流子泄漏 量子效率

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阶梯状量子阱结构对蓝光GaN基LED性能的改善 被引量：7

20

作者 刘轩 王美玉 +1 位作者 李毅 朱友华 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第10期767-772,共6页

由于Ⅲ族氮化物材料自身的物理特性,InGaN/GaN量子阱结构存在极化效应导致能带倾斜,极大地影响了LED的辐射复合效率。采用阶梯状量子阱的结构来改善LED的发光特性,通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统在4英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石... 由于Ⅲ族氮化物材料自身的物理特性,InGaN/GaN量子阱结构存在极化效应导致能带倾斜,极大地影响了LED的辐射复合效率。采用阶梯状量子阱的结构来改善LED的发光特性,通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统在4英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石衬底上外延生长了3种不同量子阱结构的样品,并对其进行材料结构与器件性能的表征。实验结果表明, In组分减小的阶梯状量子阱样品相对于传统量子阱结构,其在电致发光(EL)谱中蓝移现象几乎消失;同时在注入电流为140 mA时,其发光功率以及外量子效率分别提高3.8%和5.1%。此外,Silvaco Atlas软件的仿真结果显示了该样品的量子阱中具有更高的空穴浓度与辐射复合效率。 展开更多

关键词 gan 发光二极管(LED) 多量子阱(MQW) 光学特性 Silvaco仿真

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