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n-GaInP_2/p-Ge异质结热光伏电池特性分析
1
作者
纪伟伟
张超
+1 位作者
张德亮
乔在祥
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第10期2804-2809,共6页
热光伏电池是当前研究的热点,目前同质结Ge电池的研究较为常见,而GaInP2/Ge异质结电池还未见相关报道。本文首先对比GaInP2/Ge异质结与GaInP2/Ge/Ge同质结的能带图,发现异质结界面处的阶跃势垒位于内建电场内部,以至于阶跃势垒不影响载...
热光伏电池是当前研究的热点,目前同质结Ge电池的研究较为常见,而GaInP2/Ge异质结电池还未见相关报道。本文首先对比GaInP2/Ge异质结与GaInP2/Ge/Ge同质结的能带图,发现异质结界面处的阶跃势垒位于内建电场内部,以至于阶跃势垒不影响载流子输运,能提高器件的性能。然后通过MOCVD在P型Ge衬底上外延高质量、宽带隙的单晶GaInP2层,并进行TEM-EDX线性扫描、I-V测试,研究结果表明,利用MOCVD技术制备的GaInP2/Ge异质结界面陡峭且GaInP2并未向Ge内扩散;通过优化器件工艺4cm2全面积电池效率最终达到5.18%(AM1.5,25℃)。根据J-V曲线方程推算出串并联电阻(Rs、Rsh)、反向饱和电流密度(J0)和二极管品质因子(A)等参数,为电池性能的进一步提高获得主要的突破路径。
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关键词
热光伏
Ge
gainp2
异质结
J-V特性
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职称材料
GaInP_2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长
被引量：
4
2
作者
李辉
汪韬
+2 位作者
李宝霞
赛晓峰
高鸿楷
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期209-212,共4页
本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另外 ,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线 .用此材料做出的叠层太阳电池 ,AMO条件下光电转换效率 ...
本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另外 ,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线 .用此材料做出的叠层太阳电池 ,AMO条件下光电转换效率 η=1 3 .6% ,开路电压 Voc=2 2 3 0 m V,短路电流密度 Jsc=1 2 .6m A/ cm2 .
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关键词
LP-MOCVD
CaInP2/GaAs/Ge
叠层太阳电池
外延生长
镓铟磷化合物
砷化镓
锗
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职称材料
题名
n-GaInP_2/p-Ge异质结热光伏电池特性分析
1
作者
纪伟伟
张超
张德亮
乔在祥
机构
中国电子科技集团公司第十八研究所
山东省军区
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第10期2804-2809,共6页
基金
国家高技术研究发展计划(863计划)(11G20047)
文摘
热光伏电池是当前研究的热点,目前同质结Ge电池的研究较为常见,而GaInP2/Ge异质结电池还未见相关报道。本文首先对比GaInP2/Ge异质结与GaInP2/Ge/Ge同质结的能带图,发现异质结界面处的阶跃势垒位于内建电场内部,以至于阶跃势垒不影响载流子输运,能提高器件的性能。然后通过MOCVD在P型Ge衬底上外延高质量、宽带隙的单晶GaInP2层,并进行TEM-EDX线性扫描、I-V测试,研究结果表明,利用MOCVD技术制备的GaInP2/Ge异质结界面陡峭且GaInP2并未向Ge内扩散;通过优化器件工艺4cm2全面积电池效率最终达到5.18%(AM1.5,25℃)。根据J-V曲线方程推算出串并联电阻(Rs、Rsh)、反向饱和电流密度(J0)和二极管品质因子(A)等参数,为电池性能的进一步提高获得主要的突破路径。
关键词
热光伏
Ge
gainp2
异质结
J-V特性
Keywords
thermophotovoltaic
Ge
gainp2
heterojunction
J-V characteristic
分类号
TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
GaInP_2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长
被引量：
4
2
作者
李辉
汪韬
李宝霞
赛晓峰
高鸿楷
机构
中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期209-212,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目
文摘
本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另外 ,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线 .用此材料做出的叠层太阳电池 ,AMO条件下光电转换效率 η=1 3 .6% ,开路电压 Voc=2 2 3 0 m V,短路电流密度 Jsc=1 2 .6m A/ cm2 .
关键词
LP-MOCVD
CaInP2/GaAs/Ge
叠层太阳电池
外延生长
镓铟磷化合物
砷化镓
锗
Keywords
LP-MOCVD
gainp2
/GaAs/Ge
Tandem solar cell
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
TN304.205 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
n-GaInP_2/p-Ge异质结热光伏电池特性分析
纪伟伟
张超
张德亮
乔在祥
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
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职称材料
2
GaInP_2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长
李辉
汪韬
李宝霞
赛晓峰
高鸿楷
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
4
在线阅读
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职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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