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GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池100 MeV质子位移辐照损伤效应实验研究: 1; 作者王祖军尹利元 +7 位作者王兴鸿张琦唐宁郭晓强盛江坤缑石龙晏石兴李传洲《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期2348-2356,共9页; GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池是当前航天器空间电源系统的核心元器件,其在空间辐射环境中遭受的辐照损伤会导致太阳电池性能参数衰降,甚至导致航天器供电系统功能失效。为获取GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池高能质子辐照损伤退化规律,以国产Ga... 展开更多; 关键词 gainp/gaas/ge三结太阳电池质子辐照位移损伤辐射敏感参数; 在线阅读下载PDF 职称材料

电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池少子寿命的变化被引量：1: 2; 作者吴锐王君玲 +1 位作者凌云龙王荣《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期1507-1511,共5页; 为研究电子辐照空间太阳电池的损伤机制,对电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池进行了光致发光谱测量,分析了GaInP顶电池及GaAs中间电池发光强度随电子注量的变化规律。利用辐射效率关系对归一化发光强度随电子辐照注量的变化进行了拟合... 展开更多; 关键词电子辐照 gainp/gaas/ge三结太阳电池光致发光少子寿命; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的MOVPE外延材料被引量：3: 3; 作者黄子乾李肖 +1 位作者潘彬张岚《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期433-435,共3页; 采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高... 展开更多; 关键词金属有机化合物气相淀积 gainp/gaas双结叠层太阳电池隧穿结掺杂技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaInP类异质结提升GaInP/GaInAs/Ge太阳电池效率的研究: 4; 作者高慧杨瑞霞《电源技术》 CAS 北大核心 2021年第10期1324-1326,共3页; 基于不同有序度的GalnP材料制备出高/低带隙的发射区/基区结构被称之为同材料类异质结结构,其产生的特殊能带结构可以提高太阳电池效率。通过生长条件的优化,验证了GaInP材料的有序度变小,材料带隙从优化前1.868 eV提高到1.898 eV。采... 展开更多; 关键词 gainp 有序度三结太阳电池 PN结电流密度; 在线阅读下载PDF 职称材料

激光诱导三结砷化镓太阳电池短路电流增大现象与机理被引量：3: 5; 作者窦鹏程冯国斌 +4 位作者张检民林新伟李云鹏师宇斌张震《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第B12期50-55,共6页; 为研究三结太阳电池在强光辐射下的损伤效应规律,采用1 070 nm连续激光作为强辐射光源开展了n-on-1模式三结砷化镓(Ga As)太阳电池激光辐照效应实验。通过分析电池I-V曲线发现,不同于单结太阳电池短路电流随辐照功率增加呈现出的单调降... 展开更多; 关键词激光辐照效应三结gaas太阳电池短路电流增大等效电路模型仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响被引量：3: 6; 作者汪韬李宝霞 +2 位作者李晓婷赛小锋高鸿楷《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1479-1482,共4页; 采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积 (LP MOCVD)设备 ,在Ge( 1 0 0 )向 ( 1 1 0 )面偏 9°外延生长出GaAs单晶外延层 ,对电池材料进行了X射线衍射测试分析 ,半峰宽为 5 2″ 讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响 ,表明抑制反向畴... 展开更多; 关键词生长速率低压MOCVD 外延生长异质结液相金属氧化物化学汽相沉积 gaas/ge 反向畴砷化镓锗半导体太阳电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs多结电池宽光谱ZnS/Al_2O_3/MgF_2减反射膜的设计与分析被引量：4: 7; 作者肖祥江涂洁磊白红艳《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期670-674,共5页; 为了提高砷化镓(GaAs)多结太阳电池的光电转换效率,设计了宽光谱(300nm^1 800nm)ZnS/Al2O3/MgF2三层减反射膜,分析了各层的厚度及折射率对三层膜系有效反射率的影响。结果表明:对于整个波长,ZnS厚度对有效反射率的影响要大于Al2O3和MgF2... 展开更多; 关键词薄膜光学 gaas多结太阳电池 ZnS/Al2O3/MgF2三层减反射膜有效反射率; 在线阅读下载PDF 职称材料

太阳电池分流电路与PCU联试仿真与分析: 8; 作者邹世纯薛梅 +1 位作者鲍伟丰陈洪涛《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期398-400,共3页; 通过太阳电池阵分流电路与PCU母线调节器联试仿真与分析,建立了三结GaAs太阳电池的电容动态分析模型,验证了太阳电池阵寄生电容对PCU母线调节器的影响,开展实验验证工作,保证太阳电池分流电路和电源控制器的接口兼容性。对以后太阳电池... 展开更多; 关键词三结gaas太阳电池电容 PCU母线调节器接口兼容性; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池100 MeV质子位移辐照损伤效应实验研究: 1; 作者王祖军尹利元王兴鸿张琦唐宁郭晓强盛江坤缑石龙晏石兴李传洲; 机构强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室兰州大学核科学与技术学院西安高科技研究所中国电子科技集团公司第十八研究所湘潭大学材料科学与工程学院; 出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期2348-2356,共9页; 基金国家自然科学基金(U2167208,11875223) 全国重点实验室基金(NKLIPR1803,NKLIPR2012,NKLIPR2113)。; 文摘 GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池是当前航天器空间电源系统的核心元器件,其在空间辐射环境中遭受的辐照损伤会导致太阳电池性能参数衰降,甚至导致航天器供电系统功能失效。为获取GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池高能质子辐照损伤退化规律,以国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池为研究对象,通过开展100 MeV质子不同注量下的辐照实验,分析质子位移损伤诱发GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的开路电压(V_(oc))、短路电流(I_(sc))、最大输出功率(P_(m))、光电转换效率(E_(ff))等辐射敏感参数的退化规律和损伤机理。结果表明:注量范围为1×10^(11)~2×10^(12)cm^(-2)时,V_(oc)、I_(sc)、P_(m)、E_(ff)的退化程度随辐照注量的增加而增大,当注量为2×10^(12)cm^(-2)时,P_(m)和E_(ff)归一化处理后的退化程度均为16.88%,与V_(oc)和I_(sc)相比,衰减更严重。对不同注量辐照所得V_(oc)、I_(sc)、P_(m)、E_(ff)进行拟合,获得了V_(oc)、I_(sc)、P_(m)、E_(ff)随辐照注量变化的特征曲线,根据该曲线可预估GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池不同注量下性能的衰减幅度。; 关键词 gainp/gaas/ge三结太阳电池质子辐照位移损伤辐射敏感参数; Keywords gainp/gaas/ge triple junction solar cell proton radiation displacement damage radiation sensitive parameter; 分类号 TL99 [核科学技术—核技术及应用] TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池少子寿命的变化被引量：1: 2; 作者吴锐王君玲凌云龙王荣; 机构北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室北京师范大学核科学与技术学院; 出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期1507-1511,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(10675023 11075018 +1 种基金 11375028 11675020); 文摘为研究电子辐照空间太阳电池的损伤机制,对电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池进行了光致发光谱测量,分析了GaInP顶电池及GaAs中间电池发光强度随电子注量的变化规律。利用辐射效率关系对归一化发光强度随电子辐照注量的变化进行了拟合,分别得到了GaInP顶电池及GaAs中间电池在不同辐照条件下的少子非辐射复合寿命τnr,通过对比辐照前后少子非辐射复合寿命的衰降变化,发现GaInP顶电池的抗辐照性能优于GaAs中间电池。; 关键词电子辐照 gainp/gaas/ge三结太阳电池光致发光少子寿命; Keywords electron irradiation gainp/gaas/ge triple-junction solar cell photoluminescence minority carrier lifetime; 分类号 TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的MOVPE外延材料被引量：3: 3; 作者黄子乾李肖潘彬张岚; 机构南京大学物理系南京电子器件研究所; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期433-435,共3页; 文摘采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高转换效率达到23.8%(AMO,25℃)。; 关键词金属有机化合物气相淀积 gainp/gaas双结叠层太阳电池隧穿结掺杂技术; Keywords MOVPE GalnP/gaas dual-junction tandem solar cell tunnel junction doping technique; 分类号 TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaInP类异质结提升GaInP/GaInAs/Ge太阳电池效率的研究: 4; 作者高慧杨瑞霞; 机构河北工业大学电子信息工程学院中国电子科技集团公司第十八研究所; 出处《电源技术》 CAS 北大核心 2021年第10期1324-1326,共3页; 文摘基于不同有序度的GalnP材料制备出高/低带隙的发射区/基区结构被称之为同材料类异质结结构,其产生的特殊能带结构可以提高太阳电池效率。通过生长条件的优化,验证了GaInP材料的有序度变小,材料带隙从优化前1.868 eV提高到1.898 eV。采用该工艺条件制造了具有对应有序度的GalnP材料,分别作为GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池顶子电池的发射区/基区。测试结果表明,与参照电池比较,新结构太阳电池光照电流电压(LIV)特性参数在电流密度方面获得了明显的提高。; 关键词 gainp 有序度三结太阳电池 PN结电流密度; Keywords gainp ordering ratio triple junction solar cell PN junction current density; 分类号 TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名激光诱导三结砷化镓太阳电池短路电流增大现象与机理被引量：3: 5; 作者窦鹏程冯国斌张检民林新伟李云鹏师宇斌张震; 机构西北核技术研究所激光与物质相互作用国家重点实验室; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第B12期50-55,共6页; 基金激光与物质相互作用国家重点实验室基金(SKLLIM1701Z 71111702); 文摘为研究三结太阳电池在强光辐射下的损伤效应规律,采用1 070 nm连续激光作为强辐射光源开展了n-on-1模式三结砷化镓(Ga As)太阳电池激光辐照效应实验。通过分析电池I-V曲线发现,不同于单结太阳电池短路电流随辐照功率增加呈现出的单调降低,三结Ga As太阳电池短路电流在辐照功率密度达到11.1 W/cm2时会出现显著增加。文中对短路电流增大的机理进行了推导分析,得到了短路电流与限流层并联电阻间关系式,并结合子电池量子效率谱分析认为,短路电流的增加是由于激光导致的限流层并联电阻减小使得其限流失效所致。基于机理分析的等效电路模型模拟结果与实验数据吻合较好,从而说明了机理分析的正确性。; 关键词激光辐照效应三结gaas太阳电池短路电流增大等效电路模型仿真; Keywords laser irradiation effect triple-junction gaas solar cell short circuit current increasing equivalent circuit model simulation; 分类号 TM914 [电气工程—电力电子与电力传动] TN249 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响被引量：3: 6; 作者汪韬李宝霞李晓婷赛小锋高鸿楷; 机构中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1479-1482,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目 (698760 45 ); 文摘采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积 (LP MOCVD)设备 ,在Ge( 1 0 0 )向 ( 1 1 0 )面偏 9°外延生长出GaAs单晶外延层 ,对电池材料进行了X射线衍射测试分析 ,半峰宽为 5 2″ 讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响 ,表明抑制反向畴不仅与过渡层有关 ,而且与GaAs单晶外延生长参量有关; 关键词生长速率低压MOCVD 外延生长异质结液相金属氧化物化学汽相沉积 gaas/ge 反向畴砷化镓锗半导体太阳电池; Keywords LP MOCVD gaas/ge anti phase domain; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学] TM [电气工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs多结电池宽光谱ZnS/Al_2O_3/MgF_2减反射膜的设计与分析被引量：4: 7; 作者肖祥江涂洁磊白红艳; 机构云南师范大学太阳能研究所; 出处《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期670-674,共5页; 基金国家高技术研究发展计划项目(2011AA050512); 文摘为了提高砷化镓(GaAs)多结太阳电池的光电转换效率,设计了宽光谱(300nm^1 800nm)ZnS/Al2O3/MgF2三层减反射膜,分析了各层的厚度及折射率对三层膜系有效反射率的影响。结果表明:对于整个波长,ZnS厚度对有效反射率的影响要大于Al2O3和MgF2,MgF2厚度对有效反射率的影响最小;适当减小MgF2的折射率或增加ZnS的折射率可得到更低的有效反射率。同时,当ZnS,Al2O3和MgF2的最优物理厚度分别为52.77nm,82.61nm,125.17nm时,此时最小有效反射率为2.31%。; 关键词薄膜光学 gaas多结太阳电池 ZnS/Al2O3/MgF2三层减反射膜有效反射率; Keywords thin film optics gaas multi-junction solar cells ZnS/Al2O3/MgF2three-layer antireflection coating effective reflectance; 分类号 O484.41 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名太阳电池分流电路与PCU联试仿真与分析: 8; 作者邹世纯薛梅鲍伟丰陈洪涛; 机构中国电子科技集团公司第十八研究所; 出处《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期398-400,共3页; 文摘通过太阳电池阵分流电路与PCU母线调节器联试仿真与分析,建立了三结GaAs太阳电池的电容动态分析模型,验证了太阳电池阵寄生电容对PCU母线调节器的影响,开展实验验证工作,保证太阳电池分流电路和电源控制器的接口兼容性。对以后太阳电池阵及PCU母线调节器的设计提供理论和支持。; 关键词三结gaas太阳电池电容 PCU母线调节器接口兼容性; Keywords triple-junction gaas solar cell capacitance power conditioning unit interface compatibility; 分类号 TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池100 MeV质子位移辐照损伤效应实验研究	王祖军尹利元王兴鸿张琦唐宁郭晓强盛江坤缑石龙晏石兴李传洲	《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池少子寿命的变化	吴锐王君玲凌云龙王荣	《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的MOVPE外延材料	黄子乾李肖潘彬张岚	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	GaInP类异质结提升GaInP/GaInAs/Ge太阳电池效率的研究	高慧杨瑞霞	《电源技术》 CAS 北大核心	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	激光诱导三结砷化镓太阳电池短路电流增大现象与机理	窦鹏程冯国斌张检民林新伟李云鹏师宇斌张震	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2017	3	在线阅读下载PDF 职称材料
6	生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响	汪韬李宝霞李晓婷赛小锋高鸿楷	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	3	在线阅读下载PDF 职称材料
7	GaAs多结电池宽光谱ZnS/Al_2O_3/MgF_2减反射膜的设计与分析	肖祥江涂洁磊白红艳	《应用光学》 CAS CSCD 北大核心	2014	4	在线阅读下载PDF 职称材料
8	太阳电池分流电路与PCU联试仿真与分析	邹世纯薛梅鲍伟丰陈洪涛	《电源技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料