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In原子掺入对GaInNAs/GaAs单量子阱光致发光的影响
被引量：
1
1
作者
王志路
张志伟
孙宝权
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期151-155,共5页
研究了In掺入GaNAs/GaAs单量子阱对其带间和低于带边发光性质的影响。实验结果显示 ,随着In浓度的增加 ,GaInNAs/GaAs量子阱带间发光得到改善 ,低于带边的发光强度大大地减小。这是由于GaIn NAs合金生长在GaAs衬底上 ,为补偿In和N原子...
研究了In掺入GaNAs/GaAs单量子阱对其带间和低于带边发光性质的影响。实验结果显示 ,随着In浓度的增加 ,GaInNAs/GaAs量子阱带间发光得到改善 ,低于带边的发光强度大大地减小。这是由于GaIn NAs合金生长在GaAs衬底上 ,为补偿In和N原子尺度的差异 ,N原子更倾向于与In原子形成共价健。GaInNAs/GaAs单量子阱的光调制光谱证实了高能端发光峰来自本征的带边发光。
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关键词
量子阱
低于带边发光
本征发光
光致发光
半导体
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职称材料
应变In_（0．20）Ga_（0．80）As／GaAs单量子阱结构的光谱研究
2
作者
沈文忠
唐文国
沈学础
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期11-17,共7页
报道了用光致发光光谱、吸收光谱和光电流谱研究具有相同组分和阱宽、不同覆盖层厚度的应变Ｉｎ０．２０Ｇａ０．８０Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱结构的实验结果．结合理论计算，观察到ＧａＡｓ覆盖层厚度对单量子阱结构的材料质量、应力驰...
报道了用光致发光光谱、吸收光谱和光电流谱研究具有相同组分和阱宽、不同覆盖层厚度的应变Ｉｎ０．２０Ｇａ０．８０Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱结构的实验结果．结合理论计算，观察到ＧａＡｓ覆盖层厚度对单量子阱结构的材料质量、应力驰豫和发光淬灭机制的影响，确定了各样品的应变值和导带不连续因子Ｑｃ（为０．７０±０．０５）。
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关键词
光谱
单量子阱
光致发光
IN
gaas
砷化镓
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职称材料
高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性
3
作者
张素梅
石家纬
+1 位作者
赵世舜
胡贵军
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期267-271,共5页
为了提高器件的可靠性和使用寿命 ,设计并研制了一种将p n结和有源层分开的高功率AlGaAs GaAs单量子阱远异质结 (SQW RJH)激光器 ,发射波长为 80 8nm ,腔长 90 0 μm ,条宽 1 0 0 μm ,其外延结构与通常的 80 8nmAlGaAs GaAs单量子阱半...
为了提高器件的可靠性和使用寿命 ,设计并研制了一种将p n结和有源层分开的高功率AlGaAs GaAs单量子阱远异质结 (SQW RJH)激光器 ,发射波长为 80 8nm ,腔长 90 0 μm ,条宽 1 0 0 μm ,其外延结构与通常的 80 8nmAlGaAs GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同 ,在p n结和有源区间多了一层p型AlGaAs层 ,其厚度约为 0 1 μm。为减小衬底表面位错对外延层质量的影响 ,在n+ GaAs衬底和n Al0 5Ga0 5As下包层间加一层n+ GaAs缓冲层。对器件进行了电导数测试及恒流电老化实验。与常规AlGaAs GaAs大功率半导体激光器相比 ,远结大功率半导体激光器具有阈值电流Ith偏大、导通电压Vth偏高的直流特性。 30 0 0h的恒流电老化结果表明 ,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降 。
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关键词
高功率半导体激光器
远结
单量子阱
AL
gaas
/gaas
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职称材料
题名
In原子掺入对GaInNAs/GaAs单量子阱光致发光的影响
被引量：
1
1
作者
王志路
张志伟
孙宝权
机构
唐山师范学校
内蒙古民族大学
中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期151-155,共5页
文摘
研究了In掺入GaNAs/GaAs单量子阱对其带间和低于带边发光性质的影响。实验结果显示 ,随着In浓度的增加 ,GaInNAs/GaAs量子阱带间发光得到改善 ,低于带边的发光强度大大地减小。这是由于GaIn NAs合金生长在GaAs衬底上 ,为补偿In和N原子尺度的差异 ,N原子更倾向于与In原子形成共价健。GaInNAs/GaAs单量子阱的光调制光谱证实了高能端发光峰来自本征的带边发光。
关键词
量子阱
低于带边发光
本征发光
光致发光
半导体
Keywords
gainnas/gaas single quantum well
photoluminescence below the band edge
intrinsic photoluminescence
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
应变In_（0．20）Ga_（0．80）As／GaAs单量子阱结构的光谱研究
2
作者
沈文忠
唐文国
沈学础
机构
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期11-17,共7页
文摘
报道了用光致发光光谱、吸收光谱和光电流谱研究具有相同组分和阱宽、不同覆盖层厚度的应变Ｉｎ０．２０Ｇａ０．８０Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱结构的实验结果．结合理论计算，观察到ＧａＡｓ覆盖层厚度对单量子阱结构的材料质量、应力驰豫和发光淬灭机制的影响，确定了各样品的应变值和导带不连续因子Ｑｃ（为０．７０±０．０５）。
关键词
光谱
单量子阱
光致发光
IN
gaas
砷化镓
Keywords
spectroscopic studies,In
gaas
/gaas
single
quantum
well.
分类号
O471.4 [理学—半导体物理]
TN304.22 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性
3
作者
张素梅
石家纬
赵世舜
胡贵军
机构
吉林大学电子科学与工程学院
集成光电子学国家重点联合实验室
吉林大学数学学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期267-271,共5页
基金
教育部博士点基金资助项目
文摘
为了提高器件的可靠性和使用寿命 ,设计并研制了一种将p n结和有源层分开的高功率AlGaAs GaAs单量子阱远异质结 (SQW RJH)激光器 ,发射波长为 80 8nm ,腔长 90 0 μm ,条宽 1 0 0 μm ,其外延结构与通常的 80 8nmAlGaAs GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同 ,在p n结和有源区间多了一层p型AlGaAs层 ,其厚度约为 0 1 μm。为减小衬底表面位错对外延层质量的影响 ,在n+ GaAs衬底和n Al0 5Ga0 5As下包层间加一层n+ GaAs缓冲层。对器件进行了电导数测试及恒流电老化实验。与常规AlGaAs GaAs大功率半导体激光器相比 ,远结大功率半导体激光器具有阈值电流Ith偏大、导通电压Vth偏高的直流特性。 30 0 0h的恒流电老化结果表明 ,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降 。
关键词
高功率半导体激光器
远结
单量子阱
AL
gaas
/gaas
Keywords
high-power semiconductor laser
remote junction
single
quantum
well (SQW)
Al
gaas
/gaas
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
In原子掺入对GaInNAs/GaAs单量子阱光致发光的影响
王志路
张志伟
孙宝权
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
在线阅读
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职称材料
2
应变In_（0．20）Ga_（0．80）As／GaAs单量子阱结构的光谱研究
沈文忠
唐文国
沈学础
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性
张素梅
石家纬
赵世舜
胡贵军
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
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职称材料
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0
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