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InP衬底上制备GaInAsP/GaInAs双结太阳电池的研究: 1; 作者张恒刘如彬 +1 位作者张启明孙强《电源技术》 CAS 北大核心 2024年第7期1375-1379,共5页; 基于InP衬底的GaInAsP/GaInAs太阳电池是制备五至六结叠层太阳电池必需的低带隙子电池。采用MOCVD制备了与InP衬底晶格匹配的Ga_(0.47)In_(0.53)As三元材料和Ga_(0.16)In_(0.84)As_(0.3)P_(0.7)四元材料,禁带宽度分别为0.77和1.11 eV,... 展开更多; 关键词 INP gainasP gainas 太阳电池 MOCVD; 在线阅读下载PDF 职称材料

用X射线衍射研究缓冲层对GaInAs材料的影响: 2; 作者焦岗成刘正堂 +2 位作者石峰徐晓兵胡仓陆《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期288-290,325,共4页; 用分子束外延方法制备了具有GaInAs组分渐变缓冲层和不具有GaInAs组分渐变缓冲层的Ga0.9In0.1As/GaAs结构的外延材料。利用高分辨率X射线衍射法(HRXRD)对制备的两种样品分别进行了测试分析。实验结果表明,GaInAs组分渐变缓冲层对外延生... 展开更多; 关键词 X射线衍射晶格失配 gainas 渐变缓冲层倒易空间衍射; 在线阅读下载PDF 职称材料

超薄GaInP/GaInAs/Ge太阳电池研究被引量：3: 3; 作者高伟张宝 +2 位作者薛超高鹏王保民《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1069-1070,1142,共3页; 通过特殊的MOCVD技术和器件工艺,应用超薄衬底和对正常衬底的减薄两种方法,成功地制作出了80 mm厚的超薄GaInP/GaInAs/Ge结构的太阳电池。对太阳电池进行了相关的测试,并对实验结果进行了分析和讨论。; 关键词 MOCVD技术器件工艺 GAINP gainas Ge太阳电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同周期数的GaInAs/GaAsP多量子阱太阳能电池被引量：1: 4; 作者张奇灵尧舜 +4 位作者杨翠柏张杨陈丙振常晓阳王智勇《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期701-705,共5页; 为了研究不同量子阱周期数下GaInAs/GaAsP多量子阱太阳能电池性能的变化规律,利用金属有机化学气相沉积技术（MOCVD）制备了不同周期数的双结多量子阱太阳能电池样品以及无量子阱双结结构的参考样品,利用高分辨率X射线衍射仪（HXRD）和... 展开更多; 关键词 gainas/GaAsP 量子阱外量子效率太阳能电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光: 5; 作者屈玉华江德生 +3 位作者边历峰孙征牛智川徐晓华《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期507-512,共6页; 嵌入GaAs中的GaAsSb/GaInAs量子阱因其在1.3～1.5 μm光通信波段发光的潜力而受到关注,我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb/GaInAs量子阱样品的光致发光,发现所有样品在室温下都出现了一个较强的、波长在1.3 μm附近的低能峰和一个较弱的... 展开更多; 关键词量子阱光致发光 GaAsSb/gainas; 在线阅读下载PDF 职称材料

掩埋异质结GaInAs／AlGaInAs量子阱激光二极管...: 6; 《发光快报》 CSCD 1992年第1期31-33,共3页; 关键词激光二极管激光器腐蚀 gainas; 在线阅读下载PDF 职称材料

Zn掺杂GaInAs／InP结构中极强的外延层内部扩散: 7; 作者邸建华《发光快报》 CSCD 1995年第5期42-43,共2页; 关键词磷化铟 gainas 外延层扩散; 在线阅读下载PDF 职称材料

温度对Ga_(0.84)In_(0.16)As/Ge_(0.93)Sn_(0.07)双结太阳电池的性能影响: 8; 作者崔敏于添景 +2 位作者李倩影邓金祥高红丽《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期1179-1187,共9页; 基于Varshni半导体材料带隙对温度的响应模型和Caughey-Thomas经验模型对晶格匹配的Ga_(0.84)In_(0.16)As/Ge_(0.93)Sn_(0.07)双结太阳能电池进行模拟,研究温度对材料带隙E_(g)和反向饱和电流密度J_(0)的影响,探索太阳能电池性能参数如... 展开更多; 关键词 GeSn gainas 多结太阳电池温度光伏温度特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

用反应离子束蚀刻制备1.3μmGaInA sP/InP横模掩埋新月激光器: 9; 作者师庆华《液晶与显示》 CAS CSCD 1991年第1期37-41,共5页; 用反应离子束蚀刻(RIBE)技术制做了稳定的横模1.3μm Ga InAsP/InP 掩埋新月激光器。在11-25mA 的低阈值电流下实现了高达95%的单横模效率。在高功率和长运转周期(50℃,20mA,1000h)的条件下证明了横模的稳定性。进入到单模光纤的耦合效... 展开更多; 关键词横模 GaInA sP/InP 反应离子束蚀刻阈值电流耦合效率单模光纤运转周期有源区腔长有源层; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InP衬底上制备GaInAsP/GaInAs双结太阳电池的研究: 1; 作者张恒刘如彬张启明孙强; 机构中国电子科技集团公司第十八研究所; 出处《电源技术》 CAS 北大核心 2024年第7期1375-1379,共5页; 文摘基于InP衬底的GaInAsP/GaInAs太阳电池是制备五至六结叠层太阳电池必需的低带隙子电池。采用MOCVD制备了与InP衬底晶格匹配的Ga_(0.47)In_(0.53)As三元材料和Ga_(0.16)In_(0.84)As_(0.3)P_(0.7)四元材料,禁带宽度分别为0.77和1.11 eV,它们都具有较高的晶体质量。以此为有源层制备了GaInAsP/GaInAs双结叠层太阳电池,该双结太阳电池的开路电压为1.09V,光电转换效率为11.2%(AM0,25℃)。; 关键词 INP gainasP gainas 太阳电池 MOCVD; Keywords InP gainasP gainas solar cells MOCVD; 分类号 TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用X射线衍射研究缓冲层对GaInAs材料的影响: 2; 作者焦岗成刘正堂石峰徐晓兵胡仓陆; 机构西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室微光夜视技术重点实验室北方夜视科技集团有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期288-290,325,共4页; 文摘用分子束外延方法制备了具有GaInAs组分渐变缓冲层和不具有GaInAs组分渐变缓冲层的Ga0.9In0.1As/GaAs结构的外延材料。利用高分辨率X射线衍射法(HRXRD)对制备的两种样品分别进行了测试分析。实验结果表明,GaInAs组分渐变缓冲层对外延生长在GaAs衬底上的Ga0.9In0.1As外延材料的晶体质量具有显著的改善作用,极大降低了由于外延层与衬底晶格不匹配所带来的影响。从X射线倒易空间衍射(RSM)二维图谱结果来看,具有GaInAs组分渐变缓冲层结构的样品,其Ga0.9In0.1As外延层与GaInAs组分渐变缓冲层接近完全弛豫,Ga0.9In0.1As外延层的应变降低,表面残留应力小于0.06%,同时,GaAs衬底与Ga0.9In0.1As外延层之间的偏移夹角明显变小。; 关键词 X射线衍射晶格失配 gainas 渐变缓冲层倒易空间衍射; Keywords X-ray diffraction lattice mismatch gainas degraded buffer layer reciprocal spacemapping （RSM）; 分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超薄GaInP/GaInAs/Ge太阳电池研究被引量：3: 3; 作者高伟张宝薛超高鹏王保民; 机构中国电子科技集团公司第十八研究所; 出处《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期1069-1070,1142,共3页; 文摘通过特殊的MOCVD技术和器件工艺,应用超薄衬底和对正常衬底的减薄两种方法,成功地制作出了80 mm厚的超薄GaInP/GaInAs/Ge结构的太阳电池。对太阳电池进行了相关的测试,并对实验结果进行了分析和讨论。; 关键词 MOCVD技术器件工艺 GAINP gainas Ge太阳电池; Keywords MOCVD technology device process GalnP/GalnAs/Ge solar cells; 分类号 TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同周期数的GaInAs/GaAsP多量子阱太阳能电池被引量：1: 4; 作者张奇灵尧舜杨翠柏张杨陈丙振常晓阳王智勇; 机构北京工业大学激光工程研究院瑞德兴阳新能源技术有限公司; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期701-705,共5页; 基金北京市委组织部优秀人才培养计划(2012D005015000005) 北京市教委项目(KM201110005017)资助; 文摘为了研究不同量子阱周期数下GaInAs/GaAsP多量子阱太阳能电池性能的变化规律,利用金属有机化学气相沉积技术（MOCVD）制备了不同周期数的双结多量子阱太阳能电池样品以及无量子阱双结结构的参考样品,利用高分辨率X射线衍射仪（HXRD）和高分辨率透射电镜（TEM）测试了样品的晶体质量,同时在AM0（1×）光谱条件下测试了样品的I-V特性曲线和相应子电池的外量子效率。最终得到了高晶体质量、吸收截止波长在954 nm的Ga_（0.89）In_（0.11）As/GaAs_（0.92）P_（0.08）多量子阱结构,扩展波段的外量子效率最高达到75.18%,电池光电转换效率相对于无量子阱结构提升2.77%。通过对比测试结果发现,随着量子阱结构周期数的增加,太阳能电池在扩展波段（890~954 nm）的外量子效率不断提高,常规波段的短波响应（300~700 nm）会出现下降,长波响应（700~890 nm）会出现上升,短路电流和转换效率相应提升并趋于饱和。; 关键词 gainas/GaAsP 量子阱外量子效率太阳能电池; Keywords gainas/GaAsP quantum well EQE solar cell; 分类号 O472.8 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光: 5; 作者屈玉华江德生边历峰孙征牛智川徐晓华; 机构中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期507-512,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(60276003); 文摘嵌入GaAs中的GaAsSb/GaInAs量子阱因其在1.3～1.5 μm光通信波段发光的潜力而受到关注,我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb/GaInAs量子阱样品的光致发光,发现所有样品在室温下都出现了一个较强的、波长在1.3 μm附近的低能峰和一个较弱的高能峰.变温及变激发功率的荧光谱测量研究发现,高能峰只有在150 K以上的测试条件下才能观测到,并且其相对强度随着温度的升高而增加,其调制光谱显示出第一类跃迁的特征.他们建立了理论模型,计算的结果支持将这一发光峰指派为GaInAs层内电子的基态与重空穴激发态间的跃迁,并与实验数据吻合得很好.同时初步讨论了改善1.3μm的低能峰发光的方法.; 关键词量子阱光致发光 GaAsSb/gainas; Keywords bilayer quantum wells photoluminescence GaAsSb/gainas; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理] O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名掩埋异质结GaInAs／AlGaInAs量子阱激光二极管...: 6; 出处《发光快报》 CSCD 1992年第1期31-33,共3页; 关键词激光二极管激光器腐蚀 gainas; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Zn掺杂GaInAs／InP结构中极强的外延层内部扩散: 7; 作者邸建华; 出处《发光快报》 CSCD 1995年第5期42-43,共2页; 关键词磷化铟 gainas 外延层扩散; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名温度对Ga_(0.84)In_(0.16)As/Ge_(0.93)Sn_(0.07)双结太阳电池的性能影响: 8; 作者崔敏于添景李倩影邓金祥高红丽; 机构北京工业大学理学部; 出处《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期1179-1187,共9页; 基金国家自然科学基金青年基金资助项目(12204026) 北京市科技新星计划资助项目(Z211100002121079)。; 文摘基于Varshni半导体材料带隙对温度的响应模型和Caughey-Thomas经验模型对晶格匹配的Ga_(0.84)In_(0.16)As/Ge_(0.93)Sn_(0.07)双结太阳能电池进行模拟,研究温度对材料带隙E_(g)和反向饱和电流密度J_(0)的影响,探索太阳能电池性能参数如短路电流密度J_(sc)、开路电压V_(oc)、填充因子FF和转换效率η的温度依赖性。结果表明,250~400 K温度范围内,Ga_(0.84)In_(0.16)As和Ge_(0.93)Sn_(0.07)带隙随着温度的升高分别以-0.412、-0.274 meV/K的速率呈近似线性下降;随着材料内部温度的增加,各子电池的J_0呈指数型增长,J_(sc)和V_(oc)的温度系数分别约为12.86μA/(cm^(2)·K)和-3.48 mV/K,FF从0.87降低至0.78,η从31.39%降低至17.69%。其中,Ge_(0.93)Sn_(0.07)子电池的J_(sc)、V_(oc)、FF和η的温度系数分别约6.59μA/(cm^(2)·K)、-1.76 mV/K、-0.213%/K和-0.042%/K,表明GeSn材料的温度特性不同程度地优于常规Ⅲ-Ⅴ多结电池中的Ge子电池的温度特性。该研究结果有助于推动GaInAs/GeSn基多结太阳电池的低成本发展与应用。; 关键词 GeSn gainas 多结太阳电池温度光伏温度特性; Keywords GeSn gainas multi-junction solar cells temperature photovoltaic temperature characteristic; 分类号 TN36 [电子电信—物理电子学] O47 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用反应离子束蚀刻制备1.3μmGaInA sP/InP横模掩埋新月激光器: 9; 作者师庆华; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 1991年第1期37-41,共5页; 文摘用反应离子束蚀刻(RIBE)技术制做了稳定的横模1.3μm Ga InAsP/InP 掩埋新月激光器。在11-25mA 的低阈值电流下实现了高达95%的单横模效率。在高功率和长运转周期(50℃,20mA,1000h)的条件下证明了横模的稳定性。进入到单模光纤的耦合效率为63%,160mA 时的耦合功率为40mW。同时证明了在5mW 的恒定功率(50—70℃)和20mW(50℃)的老化试验中有稳定的连续工作。; 关键词横模 GaInA sP/InP 反应离子束蚀刻阈值电流耦合效率单模光纤运转周期有源区腔长有源层; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	InP衬底上制备GaInAsP/GaInAs双结太阳电池的研究	张恒刘如彬张启明孙强	《电源技术》 CAS 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	用X射线衍射研究缓冲层对GaInAs材料的影响	焦岗成刘正堂石峰徐晓兵胡仓陆	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	超薄GaInP/GaInAs/Ge太阳电池研究	高伟张宝薛超高鹏王保民	《电源技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	不同周期数的GaInAs/GaAsP多量子阱太阳能电池	张奇灵尧舜杨翠柏张杨陈丙振常晓阳王智勇	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光	屈玉华江德生边历峰孙征牛智川徐晓华	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	掩埋异质结GaInAs／AlGaInAs量子阱激光二极管...		《发光快报》 CSCD	1992	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	Zn掺杂GaInAs／InP结构中极强的外延层内部扩散	邸建华	《发光快报》 CSCD	1995	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	温度对Ga_(0.84)In_(0.16)As/Ge_(0.93)Sn_(0.07)双结太阳电池的性能影响	崔敏于添景李倩影邓金祥高红丽	《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
9	用反应离子束蚀刻制备1.3μmGaInA sP/InP横模掩埋新月激光器	师庆华	《液晶与显示》 CAS CSCD	1991	0	在线阅读下载PDF 职称材料