晶格失配对GaAsSb/InP异质结中合金拉曼散射的温度依赖特性的影响

1

作者 储媛媛 刘莹妹 +3 位作者 李生娟 徐志成 陈建新 王兴军 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期791-797,共7页

通过在3~300 K的低温变温拉曼光谱的测量,对不同Sb组分的GaAsSb/InP异质结中的由Sb组分引起的声子非谐效应进行了拉曼散射的研究。实验发现,随着温度的降低,长光学声子峰位向高波数移动,当温度低于100 K时,变化趋于平缓。分别利用三声... 通过在3~300 K的低温变温拉曼光谱的测量,对不同Sb组分的GaAsSb/InP异质结中的由Sb组分引起的声子非谐效应进行了拉曼散射的研究。实验发现,随着温度的降低,长光学声子峰位向高波数移动,当温度低于100 K时,变化趋于平缓。分别利用三声子模型和四声子模型计算模拟了光学声子和温度的依赖关系,并和实验结果对比发现,与三声子模型相比,四声子模型与实验数据符合更好,表明温度依赖的拉曼散射峰位的变化必须考虑四次声子非谐振动。相对于晶格失配的样品S1(Sb=37.9%)和S3(Sb=56.2%),获得的声子非谐度在晶格匹配的样品S2(Sb=47.7%)中是最小的,同时通过对声子线宽的研究表明S2中声子寿命是最长的。结合低温光致发光的实验结果,证实了GaAsSb合金晶格振动的声子非谐效应和声子寿命不仅受合金无序散射的影响,同时受到和衬底晶格失配引入的线缺陷和缺陷的声子散射影响。 展开更多

关键词 gaassb/inp异质结 非谐效应 声子寿命 四声子模型

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InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ) 被引量：1

2

作者 齐志华 李献杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期821-827,共7页

关键词 gaassb/inp 双异质结双极晶体管 技术发展现状 欧姆接触电极 INGAAS 化学腐蚀工艺 Pt/Ti 制作工艺

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InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅰ)

3

作者 齐志华 李献杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期721-725,共5页

InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与... InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与生长、器件结构设计、器件制造工艺与优化以及国内外发展情况研究水平、发展趋势和商业化情况进行了系统的回顾和展望。指出结合垂直方向材料结构优化缩小器件尺寸和采用微空气桥隔离基极电极结构是InP/GaAsSb/InPDHBT向THz截止频率发展的最重要的技术路线。 展开更多

关键词 gaassb/inp 双异质结双极晶体管 单异质结双极晶体管 Ⅱ型双异质结双极晶体管 微空气桥

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一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文) 被引量：1

4

作者 金智 程伟 +2 位作者 刘新宇 徐安怀 齐鸣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期81-84,共4页

针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Kirk电流可达到110mA,电流增益截止频率达到176GHz.这种器件有... 针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Kirk电流可达到110mA,电流增益截止频率达到176GHz.这种器件有望在中等功率的毫米波电路中有所应用. 展开更多

关键词 inp 异质结双极晶体管 高电流 高频

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InP双异质结双极晶体管的相位噪声特性 被引量：2

5

作者 吴永辉 魏洪涛 +3 位作者 刘军 崔雍 樊渝 吴洪江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期537-541,547,共6页

InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制。研究了影响InP DHBT相位噪声特性的因素,并从器件结构和SiN钝化层两方面对器件进行了优化设计。详细介绍了附加相位噪声的测试... InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制。研究了影响InP DHBT相位噪声特性的因素,并从器件结构和SiN钝化层两方面对器件进行了优化设计。详细介绍了附加相位噪声的测试原理和方法,并提出了一种改进的'正交鉴相'在片测量系统,测得所制作的InP DHBT的附加相位噪声在100 kHz偏移频率时达到-144 dBc/Hz。基于此InP DHBT工艺设计并实现了一款47 GHz差分VCO单片微波集成电路(MMIC),测试结果显示1.2 GHz调谐带宽内该VCO的典型单端输出功率为-3.8 dBm,单电源-5 V工作时的电流为23 mA,在100 kHz偏移频率时的相位噪声达到-87 dBc/Hz,验证了文中所研制的InP DHBT优异的相位噪声特性。 展开更多

关键词 inp双异质结双极晶体管(DHBT) 附加相位噪声 正交鉴相 压控振荡器(VCO) 单片微波集成电路(MMIC)

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γ辐照对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响

6

作者 张桂成 史智华 李胜华 《电子科学学刊》 CSCD 1990年第3期333-336,共4页

本文研究了γ辐照对光通信用1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响,结果表明:在辐照剂量1×105—1×107rad范围内,辐照前后器件的光功率和电带宽未发生明显变化;当辐照剂量>1×107rad后,器件的光功率下降,电带宽... 本文研究了γ辐照对光通信用1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响,结果表明:在辐照剂量1×105—1×107rad范围内,辐照前后器件的光功率和电带宽未发生明显变化;当辐照剂量>1×107rad后,器件的光功率下降,电带宽上升。器件在辐照前后的l-V特性和EL图象未发生变化。用少子寿命的变化度（τ/τ0）讨论了有关结果。 展开更多

关键词 辐射 异质结 发光管 INGAAS/inp

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Ga_(0.47)In_(0.53)As/InP双异质结晶片的化学束外延生长

7

作者 周华 《液晶与显示》 CAS CSCD 1991年第2期26-27,共2页

垂直腔面发射激光器需要外延层的总厚度达10μm,因此需要较高的生长速率并且不能降低晶体质量。这里介绍的适用于Ⅲ—Ⅴ化合物半导体生长的化学束外延技术综合了 MBE 和 MOCVD 技术的若干优点,这种技术的优点是可实现高生长速率,良好的... 垂直腔面发射激光器需要外延层的总厚度达10μm,因此需要较高的生长速率并且不能降低晶体质量。这里介绍的适用于Ⅲ—Ⅴ化合物半导体生长的化学束外延技术综合了 MBE 和 MOCVD 技术的若干优点,这种技术的优点是可实现高生长速率,良好的表面均匀性和易于实现有利于激光晶片生长所需合金的组分控制。 展开更多

关键词 化学束外延 As/inp GA In 异质结 化合物半导体 MOCVD 外延层 分控制 晶体质量

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1.5μm斜坡掩埋异质结InGaA sP/InP激光器

8

作者 师庆华 《液晶与显示》 CAS CSCD 1990年第4期62-64,共3页

利用两步液相外延技术制作出与光波导单片集成的InGaAsP/InP斜坡掩埋异质结(SH-BH)激光二极管。在室温下测得有波导和无波导的SH-BH激光器的阈值电流分别为50mA和27mA。把电流注入到波导(调谐)区,激光器的激光光谱向转短的波长区偏移。... 利用两步液相外延技术制作出与光波导单片集成的InGaAsP/InP斜坡掩埋异质结(SH-BH)激光二极管。在室温下测得有波导和无波导的SH-BH激光器的阈值电流分别为50mA和27mA。把电流注入到波导(调谐)区,激光器的激光光谱向转短的波长区偏移。在脉冲工作时,得到的光谱波长偏移为1.1nm,这对应于调谐电流引起的有效折射率的改变。 展开更多

关键词 InGaA sP/inp 波导层 异质结 阈值电流 激光二极管 光波导 有效折射率 有源区 波长范围 可调谐

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基区As组分缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT热电性能的影响

9

作者 周星宝 周守利 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期119-123,共5页

基于非等温能量平衡传输模型,利用SILVACO/ATLAS数值计算软件,研究了四种不同基区As组分的缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)热电特性的影响。结果表明,As组分缓变的引入改善了器件的直流增益和特征频率,但同时器件... 基于非等温能量平衡传输模型,利用SILVACO/ATLAS数值计算软件,研究了四种不同基区As组分的缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)热电特性的影响。结果表明,As组分缓变的引入改善了器件的直流增益和特征频率,但同时器件内部温度也随之升高。直流增益和温度增加的速率随As组分缓变范围增大而增大,特征频率增加的速率随As组分缓变范围的增加而迅速减小。基区As组分为0.57至0.45由发射区侧到集电区侧线性分布的器件具有较高的增益和特征频率及较低的器件内部温度,增益、特征频率与器件内部温度得到了优化。 展开更多

关键词 inp INGAP gaassb inp 双异质结双极晶体管(DHBT) 缓变发射结 缓变基区 热电特性

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HBT结构的新进展 被引量：4

10

作者 石瑞英 刘训春 等 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期69-72,76,共5页

介绍了以In0.03Ga0.97As0.99N0.01材料为基区的GaAs异质结双极型晶体管和 以GaAs0.51Sb0.49材料为基区的InP HBT。讨论了GaAs和InP HBT结构的新进展及其对性能的改善,并对各结构的适用范围和优缺点进行了比较。

关键词 结构 异质结双极型 晶体管 inp GAAS

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75GHz 13.92dBm InP DHBT共射共基功率放大器(英文) 被引量：2

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作者 曹玉雄 苏永波 +3 位作者 吴旦昱 金智 王显泰 刘新宇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期294-297,301,共5页

报道了基于InP基双屏质结双板晶体管(DHBT)工艺的四指共射共基75 GHz微波单片集成(MMIC)功率放大器,器件的最高振荡频率fmax为150 GHz.放大器的输出极发射极面积为15μm×4μm.功率放大器在75 GHz时功率增益为12.3 dB,饱和输出功率... 报道了基于InP基双屏质结双板晶体管(DHBT)工艺的四指共射共基75 GHz微波单片集成(MMIC)功率放大器,器件的最高振荡频率fmax为150 GHz.放大器的输出极发射极面积为15μm×4μm.功率放大器在75 GHz时功率增益为12.3 dB,饱和输出功率为13.92 dBm.放大器在72.5 GHz处输入为2 dBm时达到最大输出功率14.53 dBm.整个芯片传输连接采用共面波导结构,芯片面积为1.06 mm×0.75 mm. 展开更多

关键词 inp双异质结双极晶体管(DHBT) 微波单片集成 毫米波 功放

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基于InP DHBT工艺的33~170 GHz共源共栅放大器 被引量：1

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作者 王伯武 于伟华 +4 位作者 侯彦飞 余芹 孙岩 程伟 周明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期197-200,共4页

基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测... 基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测试结果表明,该放大器的最大增益在115 GHz达到11.98 dB,相对带宽为134.98%,增益平坦度为±2 dB,工作频段内增益均好于10 dB,输出功率均好于1 dBm。 展开更多

关键词 磷化铟双异质结双极晶体管(inp DHBT) 单片微波集成电路(MMIC) 共源共栅放大器 宽带

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InP HBT小信号建模与参数提取分析 被引量：1

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作者 蒋巍 陈亚培 张勇 《微波学报》 CSCD 北大核心 2020年第S01期187-189,共3页

基于异质结双极型晶体管(HBT)优越的高频性能,精准建模对HBT的使用以及电路设计具有极其重要的指导意义。文中采用UCSD等效电路模型对HBT进行了小信号模型的建立,根据InPHBT在不同偏置下的S参数以及I-V测试结果,利用解析法分析了非线性... 基于异质结双极型晶体管(HBT)优越的高频性能,精准建模对HBT的使用以及电路设计具有极其重要的指导意义。文中采用UCSD等效电路模型对HBT进行了小信号模型的建立,根据InPHBT在不同偏置下的S参数以及I-V测试结果,利用解析法分析了非线性模型的参数提取,讨论了本征参数的拟合优化,同时给出了关于HBT小信号等效电路模型,最后通过与实测参数进行对比验证,建立的小信号模型在测试频率范围内拟合结果与测试结果吻合良好。 展开更多

关键词 inp 异质结双极型晶体管(HBT) 小信号 建模 参数提取

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InP基HBT小信号模型参数直接提取方法 被引量：2

14

作者 徐坤 张金灿 +2 位作者 王金婵 刘敏 刘博 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第8期602-608,644,共8页

为了精确地表征器件特性,提出了一种直接提取T型异质结双极型晶体管(HBT)小信号模型参数的方法。该方法仅依赖于S参数测试数据,采用精确的闭式方程式直接提取电路元件参数。该方法简单、易于实施。首先使用开路短路测试结构提取焊盘寄... 为了精确地表征器件特性,提出了一种直接提取T型异质结双极型晶体管(HBT)小信号模型参数的方法。该方法仅依赖于S参数测试数据,采用精确的闭式方程式直接提取电路元件参数。该方法简单、易于实施。首先使用开路短路测试结构提取焊盘寄生电容和电感的值,然后用截止状态和Z参数的方法提取外部电阻,再去掉这些参数以简化电路模型,本征部分的电路元件采用剥离算法来确定参数值。采用1μm×15μm的InP HBT对该算法的有效性进行验证,结果表明,在0.1~40 GHz频率范围内,模型仿真结果准确地拟合了器件测试结果。 展开更多

关键词 异质结双极型晶体管(HBT) 小信号等效电路 直接提取 剥离算法 inp

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基于InP DHBT工艺的6 bit DAC设计与实现

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作者 王子青 赵子润 龚剑 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期579-583,638,共6页

基于In P双异质结双极晶体管（DHBT）工艺设计并实现了一款6 bit高速数模转换器（DAC）芯片,该In P工艺DHBT器件的电流增益截止频率大于200 GHz,最高振荡频率大于285 GHz。DAC芯片采用R-2R梯形电阻电流舵结构,输入级采用缓冲预放大器结... 基于In P双异质结双极晶体管（DHBT）工艺设计并实现了一款6 bit高速数模转换器（DAC）芯片,该In P工艺DHBT器件的电流增益截止频率大于200 GHz,最高振荡频率大于285 GHz。DAC芯片采用R-2R梯形电阻电流舵结构,输入级采用缓冲预放大器结构,实现输入缓冲及足够高的增益;D触发器单元采用采样/保持两级锁存拓扑结构实现接收数据的时钟同步;采用开关电流源单元及R-2R电阻单元,减小芯片体积,实现高速采样。该DAC最终尺寸为4.5 mm×3.5 mm,功耗为3.5 W。实测结果表明,该DAC可以很好地实现10 GHz采样时钟下的斜坡输出,微分非线性为＋0.4/-0.24 LSB,积分非线性为＋0.61/-0.64 LSB。 展开更多

关键词 数模转换器(DAC) R-2R电阻梯 inp双异质结双极晶体管(DHBT) 电流舵 主从D触发器

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光栅光谱仪前置和后置分光构型下光调制反射谱应用的不同特征

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作者 詹嘉 查访星 顾溢 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期615-620,共6页

光调制反射光谱因其高灵敏的特性而广泛的用于研究半导体及其表面与界面特性。基于光栅光谱仪其测量光路根据分光顺序的不同可以分为前置分光构型(暗构型)与后置分光构型(亮构型)。本文以InP/In_(0.52)Ga_(0.48)As/InP异质结外延结构为... 光调制反射光谱因其高灵敏的特性而广泛的用于研究半导体及其表面与界面特性。基于光栅光谱仪其测量光路根据分光顺序的不同可以分为前置分光构型(暗构型)与后置分光构型(亮构型)。本文以InP/In_(0.52)Ga_(0.48)As/InP异质结外延结构为例,阐述了两种光路构型的不同特点和适用条件。揭示前分光构型能很好地分离荧光谱线与调制谱线;后分光构型则有利于采用较强调制激光而有效提取荧光较弱的电子结构信息。后分光构型实验中还观察到,当使用低能量激光(1064 nm)只调制激发窄带隙的InGaAs层时,却观察到宽带隙InP的谱线形的反常现象。这起源于光生载流子的界面电场调制作用,表明界面激发的后分光构型可作为一种非接触“电调制”方法而方便地应用于宽带半导体的异质外延结构的研究。 展开更多

关键词 光调制反射光谱 半导体异质结 INGAAS/inp 内建电场

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