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LED用硅掺杂GaAs晶体的生长与表征(英文)
被引量：
4
1
作者
金敏
徐家跃
+3 位作者
房永征
何庆波
周鼎
申慧
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期594-598,共5页
采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂<511>取向的GaAs晶体。选用带籽晶槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发。研究了掺杂工艺、固液界面形貌和生长缺陷。结果表明:孪晶化是硅掺杂GaAs晶体生长的主...
采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂<511>取向的GaAs晶体。选用带籽晶槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发。研究了掺杂工艺、固液界面形貌和生长缺陷。结果表明:孪晶化是硅掺杂GaAs晶体生长的主要问题。探讨了孪晶形成机理,优化了生长工艺,成功获得了直径2英寸高质量的硅掺杂GaAs晶体,双摇摆曲线显示所得晶体的FWHM为40 arcsec。
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关键词
gaas
晶体生长
坩埚下降法
硅掺杂
孪晶
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职称材料
题名
LED用硅掺杂GaAs晶体的生长与表征(英文)
被引量：
4
1
作者
金敏
徐家跃
房永征
何庆波
周鼎
申慧
机构
上海应用技术学院材料科学与工程学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期594-598,共5页
基金
National Natural Science Foundation of China(51002096)
Shanghai Science and Technology Committee(09530500800,10XD1403800,11JC1412400)
Shanghai Education Commission(11YZ222)
文摘
采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂<511>取向的GaAs晶体。选用带籽晶槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发。研究了掺杂工艺、固液界面形貌和生长缺陷。结果表明:孪晶化是硅掺杂GaAs晶体生长的主要问题。探讨了孪晶形成机理,优化了生长工艺,成功获得了直径2英寸高质量的硅掺杂GaAs晶体,双摇摆曲线显示所得晶体的FWHM为40 arcsec。
关键词
gaas
晶体生长
坩埚下降法
硅掺杂
孪晶
Keywords
gaas； crystal growth； pulling-down method； si-doped； twins
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
LED用硅掺杂GaAs晶体的生长与表征(英文)
金敏
徐家跃
房永征
何庆波
周鼎
申慧
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
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