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真空铟焊的负电子亲和势砷化镓光阴极实验研究: 1; 作者潘清肖德鑫 +6 位作者吴岱李凯杨仁俊王建新张海旸刘宇黎明《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期254-258,共5页; 大功率激光加载会使负电子亲和势(NEA)砷化镓(GaAs)光阴极的温度迅速升高,较高的温度对NEA GaAs光阴极的激活层造成了破坏,从而使其量子效率迅速下降。探索了基于FEL-THz装置的NEA GaAs光阴极的真空铟焊工艺,搭建了GaAs真空铟焊平台,并... 展开更多; 关键词负电子亲和势砷化镓光阴极真空铟焊阴极工作寿命量子效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

电子倍增型GaAs光阴极实验研究: 2; 作者胡仓陆郭晖 +6 位作者焦岗成彭岔霞冯驰徐晓兵周玉鉴成伟王书菲《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1549-1554,共6页; 电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件,通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子倍增器一体化组件,研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能.对组件热清洗工艺前后的I-V特性进行了对... 展开更多; 关键词砷化镓光阴极雪崩倍增电子增益负电子亲和势; 在线阅读下载PDF 职称材料

关于微光像增强器的品质因数被引量：25: 3; 作者周立伟《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2004年第4期331-337,共7页; 20世纪60年代以来,微光夜视像增强器的技术进步一直是以"代"来评价的。通常理解是一代比一代优越。20世纪,在微光夜视像增强器发展的过程中,相继出现60年代的纤维光学面板级联耦合的像增强器(第一代),70年代的微通道板像增强... 展开更多; 关键词微光夜视像增强器纤维光学级联耦合像增强器微通道板像增强器 gaas负电子亲和势光阴极像增强器品质因数; 在线阅读下载PDF 职称材料

近红外响应的Ⅲ-V族半导体光电阴极材料及工艺被引量：4: 4; 作者王旺平马建一《光电子技术》 CAS 北大核心 2013年第3期194-197,207,共5页; 随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展。针对透射式半导体光电阴极器件,系统总结了近红外波段响应良好的GaAs、InGaAs、InGaAsP Ⅲ-V族外延材料特性及相应商... 展开更多; 关键词负电子亲和势光电阴极转移电子光阴极 gaas INgaas INgaasP; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名真空铟焊的负电子亲和势砷化镓光阴极实验研究: 1; 作者潘清肖德鑫吴岱李凯杨仁俊王建新张海旸刘宇黎明; 机构中国工程物理研究院应用电子学研究所; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期254-258,共5页; 基金国家重大科学仪器设备开发专项(2011YQ130018) 国家自然科学基金项目(11305165 +3 种基金 11475159) 2014B0402069 2014B0402070); 文摘大功率激光加载会使负电子亲和势(NEA)砷化镓(GaAs)光阴极的温度迅速升高,较高的温度对NEA GaAs光阴极的激活层造成了破坏,从而使其量子效率迅速下降。探索了基于FEL-THz装置的NEA GaAs光阴极的真空铟焊工艺,搭建了GaAs真空铟焊平台,并进行了真空铟焊后的GaAs光阴极激光与束流加载实验。研究表明,真空铟焊使GaAs与金属阴极托之间形成了紧密连接,增强了阴极与阴极托之间的热传导,减缓了阴极的温升速率,并在数瓦平均功率激光加载时将注入器中NEA GaAs光阴极的工作寿命提高了一个量级以上。; 关键词负电子亲和势砷化镓光阴极真空铟焊阴极工作寿命量子效率; Keywords negative electron affinity gaas photocathode indium soldering operation lifetime quantum efficiency; 分类号 TL53 [核科学技术—核技术及应用] O462.3 [理学—电子物理学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电子倍增型GaAs光阴极实验研究: 2; 作者胡仓陆郭晖焦岗成彭岔霞冯驰徐晓兵周玉鉴成伟王书菲; 机构微光夜视技术重点实验室北方夜视科技集团有限公司西北工业大学材料学院; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1549-1554,共6页; 文摘电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件,通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子倍增器一体化组件,研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能.对组件热清洗工艺前后的I-V特性进行了对比测试,结果表明,该组件可以承受580℃的热清洗温度,并获得了12.6倍的电子增益;880nm处的探测灵敏度≥3.87mA/w;暗电流密度≤6.79×10-5mA/cm2.; 关键词砷化镓光阴极雪崩倍增电子增益负电子亲和势; Keywords gaas photocathode avalanche mulitplication electron gain negative electron affinity; 分类号 TN21 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名关于微光像增强器的品质因数被引量：25: 3; 作者周立伟; 机构北京理工大学信息科学与技术学院; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2004年第4期331-337,共7页; 文摘 20世纪60年代以来,微光夜视像增强器的技术进步一直是以"代"来评价的。通常理解是一代比一代优越。20世纪,在微光夜视像增强器发展的过程中,相继出现60年代的纤维光学面板级联耦合的像增强器(第一代),70年代的微通道板像增强器(第二代)和80年代的GaAs负电子亲和势光阴极像增强器(第三代)。从事夜视技术的科学家们一直在探索新一代或第四代像增强器技术。什么是第四代,在夜视学术界是有争论的。问题在于,像增强器以代来划分,以代来评价,是否合适和全面;评价像增强器的优劣是性能还是技术;以什么表示像增强器的性能更好和更全面;这些问题引起了夜视学术界的深思。文中阐述了微光像增强器总体性能应以品质因数而不是代的概念进行评价。; 关键词微光夜视像增强器纤维光学级联耦合像增强器微通道板像增强器 gaas负电子亲和势光阴极像增强器品质因数; Keywords Computer vision Fiber optics Light amplifiers Optical fiber coupling Photocathodes Semiconducting gallium arsenide; 分类号 TN223 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名近红外响应的Ⅲ-V族半导体光电阴极材料及工艺被引量：4: 4; 作者王旺平马建一; 机构中国电子科技集团公司第五十五研究所; 出处《光电子技术》 CAS 北大核心 2013年第3期194-197,207,共5页; 文摘随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展。针对透射式半导体光电阴极器件,系统总结了近红外波段响应良好的GaAs、InGaAs、InGaAsP Ⅲ-V族外延材料特性及相应商业化产品的应用领域和性能。通过文献调研本文进一步归纳了不同波段NEA光电阴极和转移电子光阴极适用的材料结构,并结合传统GaAs NEA光电阴极工艺讨论了InGaAs、InGaAsP材料及阴极工艺的难点。; 关键词负电子亲和势光电阴极转移电子光阴极 gaas INgaas INgaasP; Keywords negative electron affinity photocathode transferred electron photocathode gaas Ingaas IngaasP; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	真空铟焊的负电子亲和势砷化镓光阴极实验研究	潘清肖德鑫吴岱李凯杨仁俊王建新张海旸刘宇黎明	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	电子倍增型GaAs光阴极实验研究	胡仓陆郭晖焦岗成彭岔霞冯驰徐晓兵周玉鉴成伟王书菲	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	关于微光像增强器的品质因数	周立伟	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2004	25	在线阅读下载PDF 职称材料
4	近红外响应的Ⅲ-V族半导体光电阴极材料及工艺	王旺平马建一	《光电子技术》 CAS 北大核心	2013	4	在线阅读下载PDF 职称材料