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在RHEED实时监控下GaAs晶体生长研究
被引量：
9
1
作者
罗子江
周勋
+4 位作者
杨再荣
贺业全
何浩
邓朝勇
丁召
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期704-708,共5页
采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制。报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs(001)基片同质外延GaAs。通过改变生长和退火的时间与温度(420、500、580℃),结合RHEED图像演变与GaA...
采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制。报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs(001)基片同质外延GaAs。通过改变生长和退火的时间与温度(420、500、580℃),结合RHEED图像演变与GaAs表面平整度(粗糙化)的联系,得到表面原子级平整的GaAs样品。完成生长后对样品做EDS分析,确定样品为高纯度GaAs。利用这种方法,得到厚度约为4μm砷化镓晶体。
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关键词
MBE
RHEED图像
粗糙化
EDS
gaas表面重构
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职称材料
题名
在RHEED实时监控下GaAs晶体生长研究
被引量：
9
1
作者
罗子江
周勋
杨再荣
贺业全
何浩
邓朝勇
丁召
机构
贵州大学理学院
贵州财经学院教育管理学院
贵州师范大学物理与电子科学学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期704-708,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60886001)
贵州省委组织部高层人才科研特助资助项目(Z073011)
+2 种基金
贵州省科技厅基金资助项目(Z073085)
贵州大学博士基金资助项目(X060031)
贵州省优秀科技教育人才省长专项基金资助项目([2009]114)
文摘
采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制。报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs(001)基片同质外延GaAs。通过改变生长和退火的时间与温度(420、500、580℃),结合RHEED图像演变与GaAs表面平整度(粗糙化)的联系,得到表面原子级平整的GaAs样品。完成生长后对样品做EDS分析,确定样品为高纯度GaAs。利用这种方法,得到厚度约为4μm砷化镓晶体。
关键词
MBE
RHEED图像
粗糙化
EDS
gaas表面重构
Keywords
MBE
RHEED patterns
roughening
EDS
gaas
surface reconstruction
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
O47 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
在RHEED实时监控下GaAs晶体生长研究
罗子江
周勋
杨再荣
贺业全
何浩
邓朝勇
丁召
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
9
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职称材料
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